background image

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

Laboratorium Teorii 

Obwodów 

 

Rok akad. 

2014/2015 

 

Rodzaj 

studiów 

SI

 

Temat 

ćwiczenia: 

Badanie zjawisk rezonansowych w obwodach elektryczny - rezonans szeregowy 

Skład sekcji: 
 

1.  Marcin Mucha 
2.  Marcin Spannbauer 
3.  Filip Skoczylas 
4. 

Patryk Kuźma 

Kierunek: Elektrotechnika 
Semestr: III 
Grupa: 2 
Sekcja: 4

 

Prowadzący: 
Mgr inż. Agnieszka Jakubowska 

Data wykonania: 
23.10.2014r. 

Data oddania: 
30.10.2014r 

Ocena: 

Podpis: 

background image

1.  Cel ćwiczenia:  

 
 

Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zjawiskami rezonansowymi w obwodzie szeregowym RLC przy 

wymuszeniu  sinusoidalnym,  zapoznanie  się  z  wpływem  poszczególnych  elementów  na  wielkości 
charakteryzujące rezonans i wykresy odpowiednich charakterystyk rezonansowych. 
 

2.  Wykaz przyrządów: 

 

 

amperomierz analogowy, 

 

woltomierz analogowy, 

 

stanowisko do badania obwodu rezonansu szeregowego, 

 

generator, 

 

przewody służące do połączenia układu. 

 

3.  Schematy pomiarowe: 

 

 

Rys.1. Schemat obwodu RLC 

 

 

Rys.2. Schemat obwodu LC 

 
 
 
 

background image

4.  Tabele pomiarowe: 

 
Tab.1. Tabela pomiarowa ze spadkami napięć na elementach w obwodzie RLC 

lp. 

f[Hz] 

U[V] 

I[mA] 

Uc[V] 

Ul[V] 

20 

1,00 

1,1 

0,0 

100 

1,00 

1,0 

0,0 

151 

1,00 

12 

1,0 

0,0 

210 

1,00 

16 

1,1 

0,1 

330 

1,00 

26 

1,2 

0,3 

477 

0,90 

46 

1,4 

0,6 

603 

0,80 

76 

1,8 

1,2 

711 

0,95 

80 

3,1 

2,8 

751 

0,90 

90 

3,2 

3,2 

10 

767 

0,90 

93 

3,2 

3,2 

11 

790 

0,95 

95 

3,0 

3,1 

12 

1028 

1,00 

40 

1,1 

2,0 

13 

2026 

1,00 

15 

0,2 

1,1 

14 

3490 

1,00 

12 

0,1 

1,0 

15 

10000 

1,00 

0,0 

1,0 

 

 

Dla  zmierzonych  wartości  napięć  i  prądów  obliczamy  rezystancję  rezystora,  pojemność  kondensatora  oraz 
indukcję cewki w obwodzie RLC: 
 

𝐿 =

 𝑈

𝐿0

 

 𝐼

0

 𝜔

0

= 6,99𝑚𝐻 

 

𝐶 =

 𝐼

0

 

 𝑈

𝐶0

 𝜔

0

= 6,16𝜇𝐹 

 

𝑅 =

 𝑈

𝑧

 

 𝐼

0

 

= 10,53Ω 

 

 

Rys.3. Wykres napięć na elementach w obwodzie RLC 

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4

8

16

32

64

128

256

512 1024 2048 4096 8192 16384

U

[V]

f[Hz]

Uc

Ul

background image

Tab.2. Tabela pomiarowa ze spadkami napięć na elementach w obwodzie LC ze zwartym rezystorem 

lp. 

f[Hz] 

U[V] 

I[mA] 

Uc[V] 

Ul[V] 

20 

1,00 

0,0 

1,1 

111 

1,00 

10 

0,0 

1,0 

145 

1,00 

12 

0,0 

1,0 

210 

1,00 

16 

0,1 

1,1 

320 

1,00 

26 

0,2 

1,2 

485 

0,95 

54 

0,6 

1,4 

604 

1,00 

60 

1,2 

1,8 

710 

0,95 

72 

1,5 

2,3 

742 

0,80 

124 

5,7 

6,6 

10 

759 

0,70 

158 

16,0 

16,0 

11 

767 

0,70 

160 

15,9 

16,0 

12 

808 

0,90 

80 

7,5 

6,5 

13 

1001 

1,00 

22 

2,4 

1,4 

14 

2025 

0,95 

20 

1,2 

0,2 

15 

3520 

1,00 

12 

1,0 

0,1 

16 

10000 

1,00 

1,1 

0,0 

 
Dla  zmierzonych  wartości  napięć  i  prądów  obliczamy  rezystancję  rezystora,  pojemność  kondensatora  oraz 
indukcję cewki w obwodzie LC: 
 

𝐿 =

 𝑈

𝐿0

 

 𝐼

0

 𝜔

0

= 0,21𝑚𝐻 

 

𝐶 =

 𝐼

0

 

 𝑈

𝐶0

 𝜔

0

= 2,07𝜇𝐹 

 

 

Rys.4. Wykres napięć na elementach w obwodzie LC 

 
 
 
 
 
 

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

4

8

16

32

64

128 256 512 1024 2048 4096 8192 16384

U

[V]

f{hz]

Uc

Ul

background image

 

Rys.5. Wartości dobroci Q dla obwodu RLC i RC 

 

Dobroć Q obwodu RLC obliczamy ze wzoru: 

 

𝑄 =

𝜔

0

𝜔

𝑔𝑟2

− 𝜔

𝑔𝑟

= 1,96 

 

Dobroć Q obwodu LC obliczamy ze wzoru: 

 

𝑄 =

𝜔

0

𝜔

𝑔𝑟2

− 𝜔

𝑔𝑟

= 16,01 

 
 

5.  Wnioski: 

 

Celem  naszego  ćwiczenia  było  wyznaczenie  charakterystyk  częstotliwości  dla  układów  szeregowych 

RLC  oraz  LC.  Mierzone  były  wartości  napięć  na  poszczególnych  elementach  układu  (napięcia:  V

C

,  V

L

,). 

Rezonans  tych  napięć  wystąpił  w  obu  przypadkach  w  przedziale  częstotliwości  f  =  750÷770[Hz],  Należało 
wyliczyć także obliczyć wartości dobroci tych układów. Dobroć pierwszego z nich wyniosła 1,96, a dla drugiego 
16,01.  Różnica  w  tych  wartościach  wynika  ze  zwiększenia  rezystancji  drugiego  obwodu.  Wykreślone 
charakterystyki są podobne do idealnych, co potwierdza poprawne wykonanie pomiarów i obliczeń. 

 

 

0

20

40

60

80

100

120

140

160

1

10

100

1000

10000

100000

I[

m

A]

ω

RLC

LC

𝐼_𝑚𝑎𝑥/√2

ω

gr

ω

gr2

ω