LABORATORIUM PRZYRZ
DÓW PÓA
PRZEWODNIKOWYCH
Nr kolejny ćwiczenia: Nr ćwiczenia w Skład zespołu:
7 skrypcie KRD
9
Temat: WYDZIAA
, KIERUNEK: GRUPA DZIEKAC
SKA NR STANOWISKA
ZÅ‚Ä…czowy tranzystor polowy EiT 3b 12
Dzień i godzina odrabiania ćwiczeń: Data odrobienia ćwiczenia: Data oddania sprawozdzania:
23.04.2008 8:15 23.04.2008 30.04.2008
Ocena:
Z1. Pomiar charakterystyk wyjściowych oraz przejściowych:
Wartość UP oszacowaliÅ›my jako napiÄ™cie UGS, dla którego prÄ…d drenu przy UDS = 5V przyjmowaÅ‚ wartość ID = 10µA, wartość
wyniosła UP = 5,07V. Następnie pomierzone zostały charakterystyki wyjściowe ID = f(UDS) przy UGS = const dla 4 podanych
wartości UGS z przedziału UP < UGS d" 0 oraz charakterystyki przejściowe ID = f(UGS) przy UDS = const dla 2 wybranych wartości
UDS z zakresu nasycenia.
Z2. Charakterystyki wyjściowe ID = f(UDS) dla UGS = const oraz przejściowe ID = f (UGS) dla UDS = const:
Charakterystyki wyjściowe ID = f(UDS) dla UGS = const
Linia rozgraniczająca wartości nienasycenia i nasycenia została wyznaczona na podstawie wartości UP = -5,25V.
Charakterystyki przejściowe ID = f(UGS) dla UDS = const
Z3. Wyznaczanie parametrów IDSS oraz UP:
Charakterystyka przejściowa ID = f (UGS) dla UDS = 8V:
Wartość UP = -5,25V wyznaczyliśmy za pomocą powyższego wykresu natomiast wartość IDSS została wyznaczona ze wzoru:
2
UGS ID
ëÅ‚
ID = IDSS -1öÅ‚ Ò! IDSS =
ìÅ‚ ÷Å‚
2
UP
íÅ‚ Å‚Å‚ UGS
ëÅ‚
-1öÅ‚
ìÅ‚ ÷Å‚
UP
íÅ‚ Å‚Å‚
Kolejne wartości IDSS dla zmieniających się wartości UGS oraz ID przy stałej wartości UDS = 8V:
UGS [V] ID [mA] IDSS [mA]
-0,5 13,28 16,22
-1 11,01 16,8
-1,5 8,83 17,31
-2 6,84 17,85
-2,5 4,92 17,93
-3 3,32 18,08
-3,5 1,96 17,64
-4 0,88 15,52
-4,5 0,31 15,19
-5 0,05 22,05
Natomiast wartość średnia wynosi w przybliżeniu IDSS = 17,46mA
Z4. Wyznaczanie zależności transkonduktancji gm = "iD/"uGS w funkcji napięcia UGS:
"iD
Wartości transkonduktancji zostały wyliczone zgodnie ze wzorem metody graficznej gm = i wynoszą kolejno:
"uGS
UGS [V] "UGS [V] "ID [mA] gm [mS]
-1 -0,5 -2,27 4,54
-1,5 -0,5 -2,18 4,36
-2 -0,5 -1,99 3,98
-2,5 -0,5 -1,92 3,84
-3 -0,5 -1,6 3,2
-3,5 -0,5 -1,36 2,72
Z5. Wyznaczanie zależności transkonduktancji gm od napięcia UGS:
Udspp 1
gm = Å"
Transkonduktacja wyznaczona została przy użyciu wzoru (dla R = 100&!) i jej kolejne wartości wynoszą:
Ugspp R
UGS [V] Uds [mV] gm [mS]
-1 96 4,8
-1,5 92 4,6
-2 84 4,2
-2,5 76 3,8
-3 64 3,2
-3,5 54 2,7
Z6. Wykres zależności gm = f(UGS):
IDSS UGS
ëÅ‚
gm = 2 -1öÅ‚(1+ UDS)
Wartości teoretyczne zostały policzone ze wzoru dla UP = -5,25V oraz  = 0 wynoszą:
ìÅ‚ ÷Å‚
UP UP
íÅ‚ Å‚Å‚
UGS [V] IDSS [mA] gm [mS]
-1 16,8 5,28
-1,5 17,31 4,71
-2 17,85 4,21
-2,5 17,93 3,58
-3 18,08 2,95
-3,5 17,64 2,24
Wykresy zależności gm = f(UGS):
Z7. Wykres zależności rds = f(UGS) dla obszaru liniowego zakresu nienasycenia:
Wykres zależności rds od UGS został wyznaczony na podstawie charakterystyk wyjściowych zmierzonych w zadaniu Z1.
Wartości rds dla kolejnych wartości UGS wyniosły:
UGS [V] rds [&!]
-1 30,78
-2 141,52
-3 337,1
-4 598,32
Wykresy zależności rds = f(UGS):
Z8. Wyznaczanie zależności rezystancji rds od napięcia UGS:
Udspp
rds = Å" R
Wartości rezystancji zostały policzone ze wzoru dla R = 5100&! i wynoszą:
Ugspp -Udspp
UGS [V] Udspp [mV] rds [&!]
-1 3 157,732
-1,5 4 212,5
-2 5 286,4
-2,5 7 383,87
-3 8 443,48
-3,5 10 566,67