Ćwiczenie 8
Temat: Badanie tranzystorów.
Zagadnienia na wej ciówk :
- Narysuj symbole graficzne tranzystorów bipolarnych npn i pnp oraz
tranzystora MOSFET z kanałem typu  n i  p .
- Obliczanie rezystancji zast pczej obwodów zawieraj cych mieszane
poł czenie rezystorów.
- Narysować charakterystyk wyj ciow IC=f(UCE), IB=const tranzystora
bipolarnego.
- Narysować charakterystyk wyj ciow ID=f(UDS), UGS=const tranzystora
MOSFET.
- Opisz budow tranzystora bipolarnego typu npn.
1. Wyznaczanie charakterystyki wyj ciowej tranzystora mocy npn.
Schemat układu pomiarowego:
W celu wyznaczenia charakterystyki wyj ciowej tranzystora bipolarnego w układzie
wspólnego emitera WE, nale y zmontować powy szy układ pomiarowy. Charakterystyka
wyj ciowa I =f(U ) jest to zale no ć pr du kolektora I od napi cia kolektor-emiter U
przy stałym pr dzie bazy I =const. Charakterystyk wyj ciow nale y wyznaczyć dla kilku
warto ci pr du bazy I . Przed przyst pieniem do pomiarów nale y zapoznać si danymi
katalogowymi tranzystora, a szczególnie zwrócić uwag na graniczne warto ci napi ć i
pr dów. Wyniki pomiarów odpowiednio zapisać w tabeli 1.
Tabela 1.
Dane tranzystora:
IC=f(UCE) UCE V
IB=& & . IC mA
IB=& & . IC mA
IB=& & . IC mA
IB=& & . IC mA
1
2. Wyznaczanie charakterystyki wej ciowej tranzystora mocy npn.
Schemat układu pomiarowego:
Poł czyć układ według schematu. Charakterystyka wej ciowa IB=f(UBE) jest to
zale no ć pr du bazy IB od napi cia baza-emiter UBE przy stałym napi ciu
UCE=const. Charakterystyk wyj ciow nale y wyznaczyć dla kilku warto ci
napi cia UCE. Wyniki pomiarów zapisać w tabeli 2.
Tabela 2.
Dane tranzystora:
IB=f(UBE) IB mA
UCE=& & . UBE V
UCE=& & . UBE V
UCE=& & . UBE V
UCE=& & . UBE V
3. Wyznaczanie charakterystyki wyj ciowej tranzystora MOSFET.
Schemat układu pomiarowego:
W celu wyznaczenia charakterystyki wyj ciowej tranzystora MOSFET, nale y
zmontować powy szy układ pomiarowy. Charakterystyka wyj ciowa ID=f(UDS)
jest to zale no ć pr du drenu ID od napi cia dren- ródło UDS przy stałym
napi ciu UGS=const. Charakterystyk wyj ciow nale y wyznaczyć dla kilku
warto ci napi cia UGS. Przed przyst pieniem do pomiarów nale y zapoznać si
danymi katalogowymi tranzystora, a szczególnie zwrócić uwag na graniczne
warto ci napi ć i pr dów. Wyniki pomiarów odpowiednio zapisać w tabeli 3.
2
Tabela 3.
Dane tranzystora:
ID=(UDS) UDS V
UGS=& & . ID mA
UGS=& & . ID mA
UGS=& & . ID mA
UGS=& & . ID mA
4. Wyznaczanie charakterystyki przej ciowej tranzystora MOSFET.
Schemat układu pomiarowego:
Poł czyć układ według schematu. Charakterystyka przej ciowa ID=f(UGS) jest to
zale no ć pr du drenu ID od napi cia bramka- ródło UGS przy stałym napi ciu
UDS=const. Charakterystyk wyj ciow nale y wyznaczyć dla kilku warto ci
napi cia UDS. Wyniki pomiarów zapisać w tabeli 4.
Tabela 4.
Dane tranzystora:
ID=(UGS) UGS V
UDS=& & . ID mA
UDS=& & . ID mA
UDS=& & . ID mA
UDS=& & . ID mA
5. Opracowanie wyników ćwiczenia.
W sprawozdaniu umie cić wszystkie schematy pomiarowe, zanotować dane
mierników i przyrz dów pomiarowych, przerysować i uzupełnić tabele
pomiarowe. Narysować na papierze milimetrowym charakterystyki IC=f(UCE),
IB=f(UBE), ID=(UDS), ID=(UGS) dla odpowiednich stałych parametrów.
Zanotować wnioski na podstawie poni szych zagadnie :
- dlaczego stosujemy radiatory chłodz ce tranzystor w czasie pracy?
- czy tranzystor jest elementem liniowym czy nie  odpowied uzasadnij.
3