mA w mA
Dioda:
K=1 K=knÅ"
U 2 2
d ( )
[ ] [ ]
L
V V
U
t
Id=I Å"e - prÄ…d diody
S
Parametry mało sygnałowe
I
d
gm=K U -U - transkonduktancja
( )
gs p
U =U Å"ln - napiÄ™cie diody
d T
( )
I
S
UT
Wzmacniacz operacyjny:
rd = - oporność dynamiczna
I
d
1. prądy wejściowe równe 0
Szeregi wartości:
2. napięcie pomiędzy wejściami jest równe (wirtualne
E3: 50%: - 10, 22, 47
zwarcie)
E6: 20%: - 10, 15, 22, 33, 47, 68
Idealny wzmacniacz operacyjny
E12: 10% - 10, 12, 15, 18, 22, 27, 33, 39, 47, 56, 68, 82 Z =" A="
we Z =0
wy
E24: 5% - 10, 11, 12, 13, 15, 16, 18, 20, 22, 24, 27, 30,
A niezależne od częstotliwości
33, 36, 39, 43, 47, 51, 56, 62, 68, 75, 82, 91
inne wzory dla wzmacniacza operacyjnego
Tranzystor bipolarny: U1-U
2
Uc= - napięcie sumacyjne
I =I Å"² - prÄ…d kolektora
2
c b
U =U1-U - napięcie różnicowe
I =(²+1)Å"I - prÄ…d emitera
d 2
e b
U =UcÅ"Ac+U Å"Ad
wy d
I =I +Ib - prÄ…d emitera
e c
Ac=0, Ad=" - dla idealnego
U U
A A
r0= = - oporność wewnętrzna
Ad
I I
c DSS
CMRR=20lg - współczynnik tłumienia sygnału
1 ² ( )
Ac
= Ä…= I =Ä…Å"I
c e
U ²+1
A
wspólnego
Parametry mało sygnałowe
I +I
b1 b2
I = - prąd polaryzacji wejść
Ic
b
2
gm= - transkonduktancja
U
T
I = I -I - prąd niezrównoważenia
#" #"
n b1 b2
UT U
T
rĄ= re=
Ib I
e
Wzory ogólne inne:
Tranzystor Darlingtona
"U
we
²=²1Å"²2
S= - współczynnik stabilizacji
"U
wy
Rwet = ( ²+1)(re+ Re)
d U
c
ic=C - prÄ…d kondensatora
Częstotliwość graniczna pasma pracy tranzystora:
dt
1
Cwej=C 1+K +C - pojemność wej. wzmacniacza
( )
f = bc u be
Rwej = Rb%"rĄ +Rgen
gr
2  RwejC1 , gdzie
zwiÄ…zana z efektem Millera
1
A-1
f =
Rwyj = Rc +RL CMILOUT=CCB - pojemność związana z efektem
gr
2  RwyjC2 , gdzie A
C1 C2 to odpowiednio pojemności kondensatorów Millera
i
f = AclÅ"f - staÅ‚y iloczyn wzmocnienia i szerokoÅ›ci
T cl
sprzęgających na bazie i kolektorze
pasma dla WO z zamkniętą pętlą ujemnego sprzężenia
Tranzystor polowy JFET:
U >U - komparator daje +V
I =I
we+ we-
d s
2
U U >U - komparator daje -V
gs we+ we-
I =I 1- - nasycenie
d DSS
( )
U
p
2 I Sprzężenie zwrotne do  + - przerzutnik Schmitta
1
DSS 2
I = U -U Å"Uds- U - triodowy
( ) Au
d gs p ds
2
[ ]
U
Uwy wy 20
2
U
p
Au [dB]=20Å"log10 =10
( )
U
Uwe we
U +U >U - nasycenie (obsz. liniowy)
#" #" #" #" #" #"
ds gs p
szerokość histerezy: odwracający fazę:
U +U #" #" #" #" #" #"
ds gs p
R1
U #" #" #" #"
gs p
(V -V )"( )
+Q' -Q'
R1+R2
U <0 - typ N
#" #"
gs
R1
U >0 - typ P
#" #"
gs (V
nieodwracajÄ…cy fazy: -V )"( )
+Q' -Q'
R2
Parametry mało sygnałowe
2 I U
DSS gs
gm= 1- - transkonduktancja
( )
U U
#" #"
p p
Tranzystor polowy MOSFET:
1
Id= K U -U - obszar nasycenia
( )2
gs p
2
1
I =K -U  Uds2 - ob. triodowy
(U )U 2
d gs p ds
[ ]
2
I =KÅ"U - tylko dla zubożanych
DSS p