Wytwarzanie nośników zdolnych do przewodzenia prądu
elektrycznego
W [eV]
Pasmo przewodnictwa
Elektrony
Wc
W e" Wg
Pasmo zabronione
Wv
Dziury
Pasmo podstawowe (walencyjne)
x
Generacja termiczna par elektron dziura.
Aby w krzemie przenieść elektrony z pasma walencyjnego do pasma
przewodnictwa trzeba dostarczyć im energii W e" 1,1 eV. Dla germanu wartość
e"
e"
e"
energii potrzebnej do wykonania tego zadania wynosi ~ 0,7 eV.
Półprzewodnik, który charakteryzuje się idealnie uporządkowaną siecią
krystaliczną i brakiem obcych atomów nazywa się  półprzewodnikiem
samoistnym . W półprzewodniku samoistnym swobodne nośniki prądu powstają
w wyniku rozrywania wiązań sieci krystalicznej. Powstają pary elektron 
dziura.
Koncentracją nośników nazywa się liczbę elektronów lub dziur
przypadających na jednostkę objętości (na m3 lub cm3). Koncentrację wyra\
a się
w [m-3] lub [cm-3].
W półprzewodniku samoistnym koncentracja elektronów ni jest równa
koncentracji dziur pi.
ni = pi
Koncentracja par elektron  dziura zale\
y od temperatury w sposób
wykładniczy.
�ł -Wg
�ł
�ł �ł
ni~ exp�ł �ł
2kT
�ł łł
gdzie: Wg  szerokość pasma zabronionego w [eV], T  temperatura w [K],
k  stała Boltzmann a.