EEBezzlaczowe elementy polprzewodnikowe


Politechnika Białostocka
Wydział Elektryczny
Katedra Automatyki i Elektroniki
Instrukcja
do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu:
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
Bezzłączowe elementy półprzewodnikowe
BIAAYSTOK 2008
Katedra Automatyki i Elektroniki Bezzłączowe elementy półprzewodnikowe
__________________________________________________________________________________________
1. CEL I ZAKRES ĆWICZENIA LABORATORYJNEGO
Celem ćwiczenia laboratoryjnego jest:
poznanie podstawowych właściwości i parametrów bezzłączowych elementów
półprzewodnikowych, takich jak: termistory (NTC, PTC i CTR), warystory, hallotrony;
zapoznanie się z kartami katalogowymi badanych elementów;
pomiar statycznych charakterystyk prądowo-napięciowych oraz charakterystyk
temperaturowych elementów bezzłączowych;
poznanie wybranych zastosowań badanych elementów półprzewodnikowych.
Szczegółowy zakres ćwiczenia oraz typy i symbole badanych elementów podaje
prowadzący na początku ćwiczenia.
2. WYPOSAśENIE STANOWISKA POMIAROWEGO
makiety uniwersalne, przedstawione na rys.1 i rys. 2;
uniwersalna płyta łączeniowa GL-12F z przewodami łączeniowymi;
regulowany zasilacz laboratoryjny HM7042 (2x 0 32 V/0 2 A + 1x 0 5,5 V/0 5 A);
oscyloskop cyfrowy;
generator funkcyjny;
multimetry uniwersalne;
termostat.
Pozostałe przyrządy pomiarowe będą dostępne w zale\ności od potrzeb.
a)
2
Katedra Automatyki i Elektroniki Bezzłączowe elementy półprzewodnikowe
__________________________________________________________________________________________
b)
Rys. 1 Dwa rodzaje makiet uniwersalnych do badania elementów bezzłączowych skala 1:1
(Oznaczenia: szare kółka  gniazda bananowe 2mm, czarne prostokąty  miniaturowe listwy
łączeniowe do mocowania elementów z dwoma lub trzema zaciskami)
3. BADANE ELEMENTY
3.1 Termistory
Termistory są to elementy półprzewodnikowe bezzłączowe, których rezystancja nie
jest wielkością stałą, lecz silnie reaguje na zmiany temperatury.
R
Wyró\nia się trzy typy termistorów:
PTC
CTR
NTC (Negative Temperature Coefficent)
- termistory o ujemnym współczynniku
temperaturowym rezystancji;
PTC (Positive Temperature Coefficent)
- termistory o dodatnim współczynniku
NTC
temperaturowym rezystancji;
T
CTR (Critical Temperature Resistor)
- termistory o rezystancji zmieniającej się
Rys.2 Poglądowe charakterystyki
skokowo.
rezystancyjno-temperaturowe termistorów
3
Katedra Automatyki i Elektroniki Bezzłączowe elementy półprzewodnikowe
__________________________________________________________________________________________
U U
NTC PTC
I I
Rys.3 Poglądowe charakterystyki prądowo - napięciowe termistorów NTC i PTC
3.1.1 Termistory NTC
Rezystancja termistora NTC zmniejsza się ze wzrostem temperatury zgodnie z
przybli\oną zale\nością:
B
RT = A" eT (1)
gdzie: RT  rezystancja termistora w temperaturze T, A i B  stałe materiałowe, T temperatura
bezwzględna wyra\ona w stopniach Kelvina.
W praktyce najczęściej znana jest rezystancja znamionowa termistora RT0 podana dla
temperatury T0 równej 25C czyli 298K. Podstawiając wartości T0 i RT0 do wzoru (1)
mo\emy obliczyć wartość stałej A, zaś podstawiając obliczoną wartość A do (1) otrzymamy
zale\ność temperaturową termistora w postaci:
B B
( - )
T T0
RT = RT " e (2)
0
Temperaturowy współczynnik rezystancji termistora definiowany jest jako:
1 dRT
ąT = (3)
RT dT
i dla termistorów NTC jest ujemny. Warto zauwa\yć, \e w temperaturze 25C moduł tego
współczynnika (równego około -4%/K) jest ponad 10 razy większy od współczynnika
temperaturowego metali.
Charakterystyka prądowo-napięciowa termistora NTC równie\ jest nieliniowa (rys.3).
W zakresie małych prądów przebiega praktycznie liniowo, ale powy\ej pewnej wartości
4
Katedra Automatyki i Elektroniki Bezzłączowe elementy półprzewodnikowe
__________________________________________________________________________________________
prądu płynącego przez termistor napięcie na jego zaciskach zaczyna się zmniejszać. Związane
to jest z grzaniem się elementu, które powoduje zmniejszanie się rezystancji termistora.
Termistory stosuje się jako czujniki temperatury w układach termoregulacji, w
klimatyzacji, chłodnictwie, wentylacji oraz układach automatycznej regulacji.
3.1.2 Termistory PTC
Termistory PTC charakteryzują się tym, \e w dość szerokim zakresie temperatur
(typowo od kilkunastu do ponad stu C) ich rezystancja rośnie wraz ze wzrostem temperatury
(rys.2). W tym zakresie charakterystyka rezystancyjno - temperaturowa jest opisywana
przybli\oną zale\nością:
RT = A + C " eB"T (4)
gdzie: A, B i C stałe materiałowe, zaś temperaturowy współczynnik rezystancji:
1 dRT B "C " eB"T
ąT = = (5)
RT dT
A + C " eB"T
Wartości współczynników ąT wahają się od kilku do kilkudziesięciu %/K.
Charakterystyka prądowo-napięciowa termistora PTC jest nieliniowa (rys.3).
Termistory PTC stosowane są w ró\nego rodzaju układach zabezpieczających (przede
wszystkim przed przegrzaniem oraz przed zbyt du\ym prądem).
3.1.3 Termistory CTR
Termistory CTR charakteryzują się szybką, praktycznie skokową zmianą rezystancji w
bardzo wąskim przedziale temperatur (rzędu pojedynczych K) wokół temperatury krytycznej
(rys.2). Spadek rezystancji mo\e osiągać nawet pięć rzędów wielkości. Wartość temperatury
krytycznej zale\y przede wszystkim od materiału, którego wykonano termistor. Produkowane
są termistory CTR o temperaturach od 35 do 80 C.
3.2 Warystor
Warystory są nieliniowymi rezystorami, których rezystancja maleje ze wzrostem
doprowadzonego do nich napięcia. Do produkcji warystorów wykorzystuje się tlenek cynku
(ZnO) z dodatkiem tlenków bizmutu, manganu, chromu oraz tlenków innych metali.
Charakterystyka prądowo  napięciowa warystorów cynkowych opisywana jest zale\nością:
5
Katedra Automatyki i Elektroniki Bezzłączowe elementy półprzewodnikowe
__________________________________________________________________________________________
ą
I = k "U (6)
gdzie: U  napięcie na warystorze; I  prąd, płynący przez warystor; ą  współczynnik
nieliniowości; k  stała, zale\na od wymiarów warystora i własności materiałowych.
Wartość współczynnika ą mo\na wyznaczyć na podstawie współrzędnych dwóch
punktów le\ących na roboczym odcinku charakterystyki prądowo-napięciowej warystora
zgodnie z zale\nością:
log I2 - log I1
ą = (7)
logU2 - logU1
Przykładowa charakterystyka prądowo-napięciowa warystora ZnO przedstawiona jest
na rysunku 4. W zakresie niskich napięć (prądów) rezystancja warystora osiąga dziesiątki
M&!, zaś w zakresie działania (du\e wartości prądu) spada nawet do ułamków &!.
Napięcie znamionowe warystora (UV) jest równe spadkowi napięcia na warystorze
podczas przepływu przez niego prądu o określonej wartości (np. 1mA lub 10mA), w
temperaturze otoczenia 25oC.
I
U
-UV
UV
Rys.4 Przykładowa charakterystyka prądowo-napięciowa warystora ZnO
Warystory wykorzystywane są do ochrony przeciw przepięciowej (np. zabezpieczenia
przed krótkimi przepięciami, które powstają podczas burz lub podczas przełączania obcią\eń
o charakterze indukcyjnym).
6
Katedra Automatyki i Elektroniki Bezzłączowe elementy półprzewodnikowe
__________________________________________________________________________________________
3.3 Hallotron
Hallotrony są elementami półprzewodnikowymi, których zasada działania opiera się
na efekcie Halla. Wykonywane są najczęściej w postaci płytek z litych materiałów
półprzewodnikowych lub w technologii warstwowej (półprzewodnik na podło\u
ceramicznym lub mikowym).
Zasadę działania hallotronu ilustruje rysunek 5.
Rys. 5 Ilustracja zasady działania hallotronu
Przez hallotron, umieszczony w polu magnetycznym o indukcji B, płynie prąd o
natę\eniu I. Poniewa\ na ładunek elektryczny, poruszający się z prędkością v w polu
magnetycznym B działa, siła Lorentza:
r r
r
F = e(v B) (8)
to nośniki ładunku, tworzące prąd I, są odchylane w kierunku poprzecznym do kierunku
przepływu prądu I i prostopadłym do pola magnetycznego B. Powoduje to wystąpienie
gradientu koncentracji nośników ładunku i pojawienie się ró\nicy potencjałów (napięcia VH)
proporcjonalnego do natę\enia prądu I oraz indukcji B:
7
Katedra Automatyki i Elektroniki Bezzłączowe elementy półprzewodnikowe
__________________________________________________________________________________________
RH
VH = " B " I (9)
h
gdzie: RH  stała Halla, zaś h  grubość płytki półprzewodnika.
Warto zauwa\yć, \e napięcie VH jest odwrotnie proporcjonalne do grubości płytki.
Właściwości elektryczne hallotronu opisują rodziny charakterystyk statycznych:
przejściowych i wyjściowych. Charakterystyki statyczne przejściowe to funkcje zmian
napięcia Halla VH od parametru sterującego: pola magnetycznego B lub prądu I, płynącego
przez hallotron. Charakterystyki statyczne wyjściowe to zale\ność napięcia Halla VH od
prądu wyjściowego (IX).
Hallotrony znajdują zastosowanie m.in.:
do pomiaru wielkości elektromagnetycznych (np. indukcji magnetycznej, natę\enie
prądu);
do pomiaru wielkości nieelektrycznych (np. prędkości obrotowej, przesunięcia);
jako wyłączniki bezkontaktowe.
4. UKAADY POMIAROWE
4.1. Układy do wyznaczanie charakterystyk statycznych metodą "punkt po punkcie".
+ A
R
Zasilacz
Badany
regulowany
V
element
_
a)
+ A
R
Zasilacz
Badany
regulowany
V
element
_
b)
Rys.6 Schematy układów pomiarowych do wyznaczania charakterystyk statycznych metodą
 punkt po punkcie : a) pomiar  małych rezystancji (z dokładnym pomiarem napięcia),
b) pomiar  du\ych rezystancji (z dokładnym pomiarem prądu).
8
Katedra Automatyki i Elektroniki Bezzłączowe elementy półprzewodnikowe
__________________________________________________________________________________________
4.2. Układ do wyznaczania charakterystyk statycznych metodą oscyloskopową.
do kanału X
Transformator
oscyloskopu
R
Badany
element
do kanału Y
oscyloskopu
Rys.7 Uproszczony schemat do wyznaczania charakterystyk statycznych elementów
półprzewodnikowych metodą oscyloskopową.
4.3 Zaproponować schematy pomiarowe do wyznaczania charakterystyk rezystancyjno-
temperaturowe termistorów.
5. POMIARY
Uwaga! Przed rozpoczęciem pomiarów:
zapoznać się z kartami katalogowymi badanych przyrządów
półprzewodnikowych (dostępne w laboratorium lub na stronach internetowych);
zanotować najwa\niejsze parametry dopuszczalne i charakterystyczne badanych
elementów.
5.1 Wyznaczyć charakterystyki rezystancyjno-temperaturowe termistorów;
5.2 wyznaczyć charakterystyki prądowo-napięciowe termistorów metodą  punkt po
punkcie ;
5.3 wyznaczyć charakterystyki prądowo-napięciowe termistorów metodą oscyloskopową;
5.4 wyznaczyć charakterystyki prądowo-napięciowe warystorów metodą  punkt po
punkcie ;
5.5 wyznaczyć charakterystyki prądowo-napięciowe warystorów metodą oscyloskopową;
5.6 zdjąć charakterystyki przejściowe hallotronu;
5.7 zdjąć charakterystyki wyjściowe hallotronu;
9
Katedra Automatyki i Elektroniki Bezzłączowe elementy półprzewodnikowe
__________________________________________________________________________________________
5.8 dokonać pomiaru prędkości obrotowej silnika elektrycznego (na osi silnika
umieszczona jest wirująca tarcza z magnesem);
6. OPRACOWANIE WYNIKÓW POMIARÓW
Uwaga! Protokół pomiarowy po zakończeniu ćwiczenia powinien być podpisany przez
prowadzącego i dołączony do sprawozdania z ćwiczenia.
W sprawozdaniu nale\y zamieścić:
schematy układów pomiarowych
oscylogramy
wyniki pomiarów w postaci tablic i wykresów
niezbędne obliczenia
wnioski z przeprowadzonych badań.
7. WYMAGANIA BHP
Warunkiem przystąpienia do praktycznej realizacji ćwiczenia jest zapoznanie się z
instrukcją BHP, obowiązującą w Laboratorium, oraz przestrzeganie zasad w niej zawartych.
8. LITERATURA
1. Kołodziejski J., Spiralski L., Stolarski E. Pomiary przyrządów półprzewodnikowych,
WKiA, Warszawa, 1990.
2. Marciniak W. Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, 1984
3. Polowczyk M., Klugman E. Przyrządy półprzewodnikowe, Wyd. Politechniki Gdańskiej,
2001
4. Tietze U., Schenk Ch. Układy półprzewodnikowe, WNT, 1997.
Opracował: dr in\. Andrzej Karpiuk
10


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
W04 Elementy półprzewodnikowe Diody Prostowniki
TERMOGRAFICZNE BADANIA MIKROSKOPOWE ELEMENTÓW LASERÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
option extended valid elements
Christmas elementary
elements
identify?sign elements?84AB82
Elementy wymagan organizacyjne
zdeformowane elementy
PA3 podstawowe elementy liniowe [tryb zgodności]
Elementy struktury organizacyjnej i zarządzanie projektowaniem organizacji

więcej podobnych podstron