Układy do pomiaru parametrów zwarciowych i rozwarciowych
Parametry macierzy [h] są mierzone przy rozwarciu wejścia (h12 i h22) lub
zwarciu wyjścia (h11 i h21) dla składowej zmiennej.
RC
RB
+
i1
C
-
u2H"0
eg ~ i2
u1
+
-
Układ do pomiaru parametrów h11 i h21 tranzystora.
i2
RC
i1H"0
RB
~ eg
L
+
+
u1
u2
-
-
Układ do pomiaru parametrów h12 i h22 tranzystora.
Zwarcie (dla przebiegów zmiennych) w obwodzie wyjściowym uzyskuje
się przez dołączenie odpowiednio dobranej pojemności C do zacisków C-E
tranzystora.
Rozwarcie (dla przebiegów zmiennych) w obwodzie wejściowym uzyskuje
się przez włączenie szeregowe odpowiednio dobranej indukcyjności L
w obwodzie bazy.