1. Półprzewodnik samoistny to:
a) materiał samoistnie generujący prąd
b) półprzewodnik z pojedynczym elektronem walencyjnym
c) czysty półprzewodnik pozbawiony domieszek i z efektów sieci
d) materiał który samoistnie powstał w wyniku powstałego mieszku
2. Wraz ze wzrostem temperatury w półprzewodniku :
a) rezystancja maleje
b) rezystancja nie zmienia się
c) rezystancja rośnie wykładniczo
d) rezystancja rośnie liniowo
5. Obszar ładunku przestrzennego w złączu PN:
a) blokuje ruch nośników większościowych
b) przyśpiesza nośniki większościowe
c) spowalnia nośniki mniejszościowe
d) to obszar, w którym występuje duża koncentracja wolnych nośników
6. Przy polaryzacji diody w kierunku zaporowym szerokośd bariery potencjału:
a) zmniejsza się
b) zwiększa się
c) w całości wnika do obszaru N
d) w całości wnika do obszaru P
8. Przy polaryzacji diody w kierunku przewodzenia dla małych prądów:
a) rezystancja złącza RJ jest zaniedbywalnie mała
b) udział rezystancji złącza RJ i rezystancji podłoża RB jest porównywalny
c) przeważa rezystancja złącza RJ
d) przeważa rezystancja podłoża RB
10. Ujemną rezystancję dynamiczną wykazują diody:
a) mikrofalowe
b) zenera
c) tunelowe
d) pojemnościowe
11. Pracę tranzystora jako wzmacniacza zapewnia polaryzacja złącz:
a) emiterowego w kierunku przewodzenia i kolektorowego w kierunku przewodzenia
b) emiterowego w kierunku zaporowym i kolektorowego w kierunku przewodzenia
c) emiterowego w kierunku przewodzenia i kolektorowego w kierunku zaporowym
d) emiterowego w kierunku zaporowym i kolektorowego w kierunku zaporowym
13. Pytanie dotyczące współczynnika wzmocnienia prądowego w układzie wspólnego emitora. Podane wzory i
wybrad poprawny.
Ic/Ic=(alfa * Ie)/((1-alfa)*Ie)  alfa/(1-alfa)=beta(50-500)
14. Największe wzmocnienie prądowe zapewnia konfiguracja tranzystora w układzie:
a) żadne z poniższych
b) OE (WE)
c) OB (WB)
d) OC (WC)
15. Punkt pracy tranzystora PNP:
a) zawsze pokrywa się z punktem (0,0) charakterystyki IC od UCE. Prąd kolektora od napięcia kolektor emiter.
b) jest jednoznacznie określony przez kombinację prądu IC(prąd kolektora), IB (prąd bazy), UCE
c) istnieje tylko jeden
d) nie zależy od prostej obciążenia
18. W tranzystorze JFET typu N wzrost napięcia UGS powoduje:
a) zmniejszenie prądu nasycenia drenu
b) zwiększenie prądu nasycenia drenu
c) wzrost prądu bramki
d) spadek prądu bramki
20. Zakres nasycenia tranzystora MOSFET nazywamy zakresem:
a) bramkowym
b) diodowym
c) triodowym
d) pentodowym
21. Uzupełnij zdanie. Tranzystor jednozłączowy jest & & & & & elementem przełączającym działającym na zasadzie
modulacji konduktywności półprzewodnika.
a) dwuzaciskowym bipolarnym
b) trójzaciskowym bipolarnym
c) dwuzaciskowym polowym
d) trójzaciskowym polowym
22. Do zalet programowalnego tranzystora jednozłączowego w stosunku do nieprogramowalnego nie zaliczamy:
a) większe napięcie przebicia
b) możliwośd pracy przy małych napięciach
c) programowalne napięcie przełączające
d) mniejsza amplituda sygnału wyjściowego
23. Triodowy tyrystor blokujący wstecznie oznaczamy skrótem:
a) SCR
b) RCT
c) LTT
d) GTO
24. Przy normalnej pracy tyrystora między stanem blokowania a stanem przewodzenia występuje:
a) stan zaworowy
b) stan nasycenia
c) obszar uszkodzeo obwodu bramkowego
d) obszar ujemnej rezystancji dynamicznej
26. Jednostką natężenia oświetlenia jest:
a) kandela
b) luks
c) lumen
d) wat
27. Barwa promieniowania emitowanego przez diodę LED zależy od:
a) szerokości przerwy zabronionej
b) szerokości obszaru ładunku przestrzennego
c) ruchliwości nośników
d) kierunku polaryzacji
28. Współczynnik wypełnienia FF ogniwa fotoelektrycznego definiowany jest jako:
a) bezwzględna różnica między napięciami nieobciążonego i obciążonego ogniwa fotoelektrycznego
b) stosunek mocy maksymalnej wydzielonej w obciążeniu do maksymalnej mocy teoretycznej
c) stosunek prądu maksymalnego płynącego przez obciążenie do prądu fotoelektrycznego
d) stosunek wytworzonej mocy elektrycznej do mocy padającego promieniowania
BONUS : FF=Im*Um/Isc*Usc
współczynnik wypełnienia FF ogniwa fotoelektrycznego (definicja) (gdzie:ImUm ->prąd i napiecie odpowiadające
punktowi przegięcia w charakterystyce I-U; IscUsc ->prąd zwarcia i napięcie rozwarcia
FF=Im*Um/Isc*Usc
FF=Um/Im^2*Usc
FF=Usc/Um*Isc
29. Jest rysunek.
30. W ogniwie fotoelektrycznym przy braku obciążenia zależnośd fotoprądu od natężenia oświetlenia jest:
a) liniowa
b) ekspotencjalna
c) kwadratowa
d) logarytmiczna
Które z poniższych stwierdzeo nie jest prawdziwe:
Tranzystor FET w porównaniu z tranzystorem bipolarnym ma:
a) większą impedancję wejśd
b) mniejsze zakłócenia
c) gorsze właściwości w zakresie wielkich częstotliwości
d) dużo gorszą skalę integracji układu scalonego
W tranzystorze MOSFET z kanałem zindukowanym dla UGS=0:
a) płynie duży prąd drenu
b) zostaje zindukowany kanał
c) prąd drenu nie płynie
d) tranzystor pracuje w zakresie aktywnym
W czasie normalnej pracy tyrystora punkt przełączenia występuje przy:
a) dodatnim napięciu bramki
b) ujemnym napięciu bramki
c) ujemnym napięciu anody
d) dodatnim napięciu katody
Sterowanie mocy przy użyciu tyrystora polega na:
a) zmianie polaryzacji anoda-katoda
b) pracy w obszarze ujemnej rezystancji dynamicznej
c) regulacji punktu przełączenia tyrystora
d) regulacji kąta zapłonu tyrystora
Wyłączenie fototyrystora możliwe jest dzięki:
a) zwiększeniu napięcia anody
b) zwiększeniu prądu anodowego
c) zmianie biegunowości napięcia zasilającego
d) zwiększeniu prądu bramki
Włączenie tyrystora następuje przy polaryzacji (VA-potencjał anody, VK-potencjał katody, VG-potencjał bramki):
a) VA>VG>VK
b) VA>VGc) VAVK
d) VAWraz ze wzrostem temperatury liczba nośników prądu w półprzewodnikach:
maleje
rośnie
nie zmienia się
Półprzewodnik domieszkowany to:
materiał łatwo mieszalny
półprzewodnik z celowo wprowadzonymi zanieczyszczeniami
materiał w którym samoistnie powstają domieszki
materiał w którym nie powstaje dodatkowy poziom energetyczny
Zjawisko Zenera i przebicie lawinowe złącza PN:
są wynikiem zderzenia nośników mniejszościowych z atomami sieci
są wynikiem działania silnego pola elektr. w obszarze złącza
mogą występowad jednocześnie
są zjawiskami nieodwracalnymi
Światłem widzialnym nazywamy promieniowanie e-m w zakresie:
120-380 nanometrów
380-780 nanometrów
powyżej 380 nanometrów
poniżej 1000 nanometrów
Emisja promieniowania w diodzie LED następuje w wyniku:
poszerzenia obszaru ład. przestrz.
polaryzacji w kierunku zaporowym
rekombinacji promienistej
tunelowego przebicia złącza
Zależnośd prądowo-napięciowa diody w kierunku przewodzenia opisana jest równaniem:
Id=Iu*exp(qU/kT)
W przewodniku szerokośd pasma zabronionego wynosi:
0 (wie występuje)
W półprzewodniku typu N występuje:
pięd elektronów walencyjnych,
Nośnikami większościowymi są elektrony swobodne, nośnikami mniejszościowymi są wolne dziury.
Domieszkowanie atomami pięciowartościowymi (donorowe) a więc nośnikami większościowymi są elektrony.
Obszarowi fotodiody odpowiada dwiartka:
3
4
1
2
Wartośd prądu Ic w obwodzie wynosi(rysunek prostego obwodu z tranzystorem)
10mA
W ogniwie fotowoltaicznym przy braku obciążenia zależnośd mocy prądu od natężenia oświetlenia jest:
liniowa
ekspotencjalna
kwadratowa
logarytmiczna