POLITECHNIKA RADOMSKA Wydz. Transportu		LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI			Data: 26.10.2012
Imię i nazwisko: Cezary Grys Arkadiusz Korczak Andrzej Pajda Michał Szuchnik			Grupa:	Zespół:	Rok akademicki: 2012/2013
Nr ćwiczenia:	Temat: Badanie tranzystora				Ocena:

1. Cel ćwiczenia

Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości tranzystorów bipolarnych a także zaznajomienie się z metodyką ich badania oraz wykreślenie charakterystyk I_C=f(U_CE), I_C=f(I_B), U_BE=f(I_B), U_BE=f(U_CE).

Do pomiarów wykorzystaliśmy pulpit z tranzystorem, zasilacz, woltomierz i miliamperomierz i mikroamperomierz. Pomorów dokonywaliśmy w układzie zaprezentowanym na rysunku:

Schemat układu do badania tranzystora

2. Pomiary

3. WNIOSKI

Na ich podstawie dokonanych pomiarów wyznaczyliśmy podstawowe charakterystyki tranzystorów i możemy stwierdzić, że:

1. Prąd kolektora po przekroczeniu pewnego napięcia U_CE jest zależny tylko od prądu bazy.

2. Charakterystyka wejściowa jest typowa jak dla diody (złącza p-n).

3. Charakterystyka przejściowa jest zbliżona do linii prostej. Na jej podstawie możemy określić wzmocnienie prądowe tranzystora.

4. Wyznaczając charakterystykę wejściową dla tranzystora bipolarnego zauważamy, iż przy określonym stałym prądzie bazy zwiększając napięcie U_CE jest taki punkt, w którym tranzystor przechodzi w nasycenie (tj. zwiększając napięcie U_CE prąd I_C ustala się do pewnej wartości).

5. Z charakterystyki wejściowej U_BE = f (I_B) tranzystora bipolarnego odczytu-jemy, iż napięcie progowe, poniżej którego prąd bazy jest bardzo mały wynosi około 0,7 V co jest widoczne na wyznaczonej charakterystyce.

6. Ewentualne różnice pomiędzy wartościami rzeczywistymi a wynikami pomiarów mogą być spowodowane błędem paralaksy, klasą dokładności mierników, błędami pośrednimi (indukcyjność i rezystancja przewodów i łączy).
   

---