Tranzystory wystepuja jako pojedyncze elementy, ale równiez sa czesciami skladowymi ukladów scalonych. Jako elementy pojedyncze (dyskretne) sa produkowane do róznych zastosowan i o róznych wyselekcjonowanych wlasnosciach.
Tranzystor malej mocy moze miec dobrane optymalnie parametry w celu otrzymania niskiego szumu i wysokiej czestotliwosci granicznej. Tranzystor impulsowy musi byc szybki i powinien miec maly spadek napiecia w stanie zalaczenia. Tranzystor mocy, jak nazwa wskazuje, musi wytrzymywac duze moce czesto w polaczeniu z innymi cechami, takimi jak duzy prad i wysokie napiecia przebicia zlacz. Niektóre tranzystory, np. wysokich czestotliwosci (HF) maja specjalna budowe z uwagi na spelniane funkcje np. duza liczba emiterów, dla uzyskania jednoczesnie duzej mocy i wysokiej czestotliwosci pracy.
Tranzystory wykonywane sa wg róznych technologii.
Tranzystory bipolarne - sa najczesciej spotykane. W najprostszym przyblizeniu mozna je przedstawic jako dwie diody polaczone szeregowo. Moga byc skierowane w kierunku bazy (tranzystor PNP) albo w przeciwna strona (tranzystor NPN).
Tranzystory unipolarne - mozna podzielic na tranzystory JFET (junction-FET), czyli takie, w których wykorzystano efekt polowy typu zlaczowego i tranzystory MOSFET (Metal Oxide Semiconductor- FET). Zasada dzialania tranzystora JFET opiera sie na wykorzystaniu, do zmiany szerokosci kanalu przewodzacego prad elektryczny, modulacji szerokosci warstwy zaporowej w funkcji przylozonego napiecia. Posiadaja bardzo wysoka rezystancje wejsciowa i mozna je traktowac jako sterowane napieciowo zródlo pradowe. W tranzystorze MOSFET rezystancja wejsciowa jest jeszcze wyzsza a elektrode sterujaca mozna traktowac jako odizolowana. Rezystancja wejsciowa moze miec wartosc co najmniej 100 M. Pojemnosc wejsciowa powoduje jednak, ze impedancja zmniejsza sie ze wzrostem czestotliwosci. MOSFET-y duzych mocy moga miec bardzo duza pojemnosc wejsciowa w granicach od 400 do 500 pF co powoduje, ze odgrywaja one mala role nawet w ukladach niskiej czestotliwosci.
Zaleta tranzystorów polowych jest to, ze ujemny wspólczynnik temperaturowy moze skompensowac termiczny wzrost pradu w sposób liniowy.
Tranzystory polowe wystepuja jako dwa odmienne typy: z kanalem zubozanym (depletion mode) i wzbogacanym (enhancement mode). Typ z kanalem wzbogacanym nie przewodzi pradu dopóki nie zostanie przylozone napiecie na bramke. Typ zubozajacy przewodzi prad dopóki napiecie bramki wynosi zero. Zeby zmienic ten stan nalezy przylozyc napiecie dodatnie, jezeli tranzystor polowy jest tranzystorem typu p lub ujemne jezeli jest typu n.
Diody dwubazowe, nazywane równiez tranzystorami jednozlaczowymi, sa trójelektrodowymi elementami przelaczajacymi, dzialajacymi na zasadzie modulacji rezystywnosci pólprzewodnika. Uproszczona strukture fizyczna diody dwubazowej mozna opisac nastepujaco: jest to blok pólprzewodnika typy n wyposazony w wyprowadzenia baz na obu koncach (B1 i B2) i zawierajaca zlacze p-n miedzy obszarami baz. Niewielki obszar typu p pelni role emitera. Odleglosc miedzy baza B1 a zlaczem emiterowym wynosi ok, 0,5-0,7 odleglosci miedzy bazowej. Gdy przylozymy napiecie do wyprowadzen obu baz, potencjal emitera bedzie proporcjonalny do odleglosci wyprowadzen bazowych. Do czasu gdy napiecie miedzy emiterem i baza B1 bedzie ponizej potencjalu bloku w punkcie emitera, zlacze p-n bedzie spolaryzowane zaporowo. Gdy przekroczy ten potencjal, wówczas rezystancja bloku zmniejszy sie, poniewaz emiter przyciagnie czesc elektronów, które naplyna z bazy B1. To z kolei spowoduje zmniejszenie napiecia miedzy B1 i emiterem i wzrost pradu emitera. W efekcie powstaje charakterystyka o ujemnej rezystancji. Diody o podwójnych bazach stosuje sie np. w generatorach impulsowych i ukladach sterowania tyrystorami.