EAIiE		Maciej Dec Marcin Frankiewicz			Zespół 3
Grupa 2		Tranzystor			Ćwiczenie nr 124
Data wyk.	Data oddania	Zwrot do popr.	Data oddania	Ocena	Podpis

Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest pomiar charakterystyk wyjściowych tranzystora

Wprowadzenie:

Tranzystorem nazywamy trójwarstwowy element półprzewodnikowy, który może służyć do wzmacniania sygnałów elektrycznych. Wzmacniające działanie tranzystora polega na tym, że niewielki i płynący pod wpływem niewielkiego napięcia prąd bazy może sterować przepływem wielokrotnie silniejszego prądu kolektora.

Każdy tranzystor składa się z dwóch rodzajów półprzewodnika typu „n” i „p”. Złącze baza-emiter spolaryzowane jest w kierunku przewodnictwa, natomiast złącze baza-kolektor w kierunku zaporowym.

Charakterystyką tranzystora nazywamy zależność prądu kolektora od prądu bazy i napięcia kolektor-emiter. Stosunek przyrostów prądu kolektora i bazy nazywamy współczynnikiem wzmocnienia prądowego.

W tranzystorze rzeczywistym współczynnik wzmocnienia β jest względnie stały w obszarze pracy aktywnej. Pozostałe dwa obszary pracy tranzystora to obszar nasycenia i obszar odcięcia.

Obszar charakterystyk tranzystora rzeczywistego jest ograniczony maksymalnym dopuszczalnym napięciem emiter - kolektor (U_KEmax) i maksymalną dopuszczalną mocą strat cieplnych P_A określoną dla danej temperatury T₀.

Ostatni warunek można zapisać w postaci i_KU_KE≤P_A(T₀) Równanie to wyznacza na wykresie charakterystyk linię mocy admisyjnej, której nie wolno przekraczać przy pomiarze charakterystyk.

Ib	Δ Ib	Uce	Δ Uce	Ic	Δ Ic
[μA]	[μA]	[V]	[V]	[mA]	[mA]
300	0,2	0,1	0,001	1,65	0,003
	0,2	0,2	0,001	23	0,004
	0,2	0,3	0,001	35	0,004
	0,2	0,5	0,001	36	0,004
	0,2	0,7	0,001	36,5	0,004
	0,2	1	0,001	37	0,003
	0,2	2	0,002	37	0,004
	0,2	3	0,003	37	0,004
	0,2	5	0,004	37,5	0,004
	0,2	7	0,006	38	0,005
	0,2	10	0,006	38,5	0,005
400	0,25	0,1	0,001	2,9	0,003
	0,25	0,2	0,001	33	0,005
	0,25	0,3	0,001	52,5	0,005
	0,25	0,5	0,001	55	0,005
	0,25	0,7	0,001	55	0,005
	0,25	1	0,001	55	0,005
	0,25		0,002	55,5	0,005
	0,25	3	0,003	56	0,005
	0,25	5	0,004	56	0,006
	0,25	7	0,006	57	0,006
	0,25	10	0,006	58	0,006
500	0,3	0,1	0,001	4,7	0,003
	0,3	0,2	0,001	40	0,006
	0,3	0,3	0,001	69	0,007
	0,3	0,5	0,001	72,5	0,007
	0,3	0,7	0,001	75	0,007
	0,3	1	0,001	75	0,007
	0,3		0,002	75	0,007
	0,3	3	0,003	76,5	0,007
	0,3	5	0,004	77,5	0,007
	0,3	7	0,006	77,5	0,007
	0,3	10	0,006	80	0,007
600	0,35	0,1	0,001	6,2	0,004
	0,35	0,2	0,001	54	0,008
	0,35	0,3	0,001	82,5	0,008
	0,35	0,5	0,001	92,5	0,008
	0,35	0,7	0,001	92,5	0,008
	0,35	1	0,001	97,5	0,008
	0,35		0,002	97,5	0,008
	0,35	3	0,003	97,5	0,008
	0,35	5	0,004	100	0,009
	0,35	7	0,006	102,5	0,009
	0,35	10	0,006	105	0,009
700	0,40	0,1	0,001	7,5	0,005
	0,40	0,2	0,001	64	0,008
	0,40	0,3	0,001	100	0,008
	0,40	0,5	0,001	117,5	0,008
	0,40	0,7	0,001	117,5	0,008
	0,40	1	0,001	117,5	0,008
	0,40	2	0,002	120	0,008
	0,40	3	0,003	120	0,008
	0,40	5	0,004	122,5	0,009
	0,40	7	0,006	125	0,009
	0,40	1	0,006	127,5	0,009

Wnioski:

W ćwiczeniu badaliśmy typowy tranzystor bipolarny. Jego charakterystyki wyjściowe dla pięciu wartości prądu bazy zilustrowane są na wykresie.

Na tego typu charakterystykach można wyróżnić kilka zakresów związanych z polaryzacją złącza emirer-baza. Najczęściej wykorzystuje się zakres aktywny , w którym to złącze pracuje w kierunku przewodzenia. Wtedy tranzystor posiada właściwości wzmacniające.

---