Tranzystor bipolarny pracujący w stanie aktywnym może zostać wykorzystany do budowy układu będącego wzmacniaczem natężenia prądu elektrycznego. Małe zmiany prądu płynącego w obwodzie bazy powodują duże zmiany prądu płynącego w obwodzie kolektora. W zależności od konstrukcji układu można uzyskać wzmocnienie natężenia prądu, napięcia lub obu tych wielkości. Im większe jest napięcie między emiterem a bazą, tym prąd płynący od emitera do kolektora jest większy. Jeżeli na bazę zostanie przyłożone mniejsze napięcie względem emitera, to z emitera do bazy popłynie więcej prądu. Jeśli większy prąd wypływa z bazy to z emitera do kolektora popłynie prąd o wartości równej prądowi bazy, pomnożony przez współczynnik wzmocnienia tranzystora β (β zwykle wynosi od 30 do 300, przeciętnie 100). Większy prąd kolektora popłynie przez rezystor i wywoła na nim większy spadek napięcia – czyli napięcie na kolektorze wzrośnie. Wzrost napięcia na kolektorze przejdzie na kondensator i trafi do wyjścia.

Charakterystyki statyczne WE i WY tranzystora bipolarnego w układzie WEmitera (OE)