Badanie tranzystora bipolarnego


POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA W KIELCACH

LABOLATORIUM ELEKTRONIKI

Data wykonania:

23.03.2002r

Temat : Badanie tranzystora bipolarnego

Wykonali:

Data

Ocena

Podpis

1. Wstęp

Celem ćwiczenia jest poznanie metod zdejmowania charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz sposobów określania ich parametrów statycznych i dynamicznych. Dla określenia własności elektrycznych tranzystorów bipolarnych w zakresie małych częstotliwości należy wyznaczyć cztery rodzaje charakterystyk, spośród nich najważniejszymi są charakterystyki wejściowe i wyjściowe. Z nachyleń charakterystyki można wyznaczyć parametry małosygnałowe tranzystora.

2. Układ pomiarowy

0x01 graphic

3. Tabele pomiarowe

Ic = f ( U ce)

Ib=5μA

Uce

V

-0,1

-0,2

-0,3

-0,5

-1

-3

-7

-8

-10

-12

-15

-20

Ic

A

0,47

0,93

0,97

0,98

1,02

1,15

1,34

1,37

1,45

1,51

1,62

1,77

Ib=10μA

Uce

V

-0,2

-0,5

-0,7

-1

-5

-6

-7

-8

-10

-12

-15

-20

Ic

A

1,96

2,02

2,06

2,1

2,51

2,6

2,69

2,78

2,95

3,11

3,37

3,81

Ib=20μA

Uce

V

-0,05

-0,07

-0,1

-0,2

-0,3

-0,7

-1,5

-4

-8

-12

-16

-18

Ic

A

0,4

0,92

1,69

3,56

3,71

3,83

3,99

4,37

4,92

5,54

6,3

6,7

Ib=30μA

Uce

V

-0,05

-0,1

-0,2

-0,3

-0,7

-1,5

-4

-8

-12

-15

-16

-20

Ic

A

0,65

2,5

5,456

5,7

5,86

6,1

6,7

7,6

8,7

9,6

10

11,3

Ib=40μA

Uce

V

-0,05

-0,1

-0,2

-0,3

-0,7

-2

-4

-10

-13,2

-15

-17

-20

Ic

A

0,8

3,19

7

7,42

7,66

8,1

8,9

11,2

12,2

13

13,8

15

Ib=50μA

Uce

V

-0,05

-0,1

-0,15

-0,3

-0,4

-1

-5

-7

-9

-11

-13

-15

Ic

A

1,03

4,3

7,11

9,5

9,7

10,6

12,4

13,4

13,8

14,6

15,4

16,2

Ib=60μA

Uce

V

-0,03

-0,07

-0,1

-0,15

-03

-0,5

-1

-5

-7

-9

-11

-13

Ic

A

0,47

2,3

5,2

8,2

11,5

12

12,6

15

15,9

16,6

17,6

18,6

Ib=70μA

Uce

V

-0,04

-0,08

-0,1

-0,15

-0,5

-1

-2

-5

-7

-10

-11

-12

Ic

A

0,91

3,46

6,01

9,54

13,6

14,2

15,1

16,6

17,8

18,9

19,4

20

Ib = f ( U be )

Uce = -5V

I b

A

0

1

2

3

4

5

10

15

25

40

60

70

Ube

V

0,54

0,6

0,61

0,62

0,626

0,629

0,637

0,639

0,648

0,656

0,66

0,67

Uce = -1V

I b

A

0

1

2

3

4

5

10

15

25

40

60

70

Ube

V

0,554

0,600

0,618

0,625

0,630

0,637

0,655

0,666

0,681

0,695

0,708

0,714

Ib = f ( Ic )

Uce = -3V

I b

A

1,15

1,5

1,8

6,6

11,7

13,9

I c

A

5

10

20

40

50

60

Uce=-10V

I b

A

1,45

2,95

6,25

11,2

14,2

20

I c

A

5

10

20

40

50

60

4. Obliczenia

Na podstawie charakterystyk obliczono wartość współczynnika h dla układu OE.

ΔUBE = 0,03 V

ΔIB = 40 μA

0x01 graphic
75 Ω

ΔUCE = 8 V

ΔUBE = 0,03 V

0x01 graphic
3,75*10-3

ΔIC = 10 mA

ΔIB = 40 μA

0x01 graphic

0x01 graphic
25

ΔUCE = 8V

ΔIC = 2,1mA

0x01 graphic
26 mS

Następnie obliczono wartości współczynnika h dla pozostałych układów. Dla układu OB.:

h11b = 0x01 graphic
= 74,7 Ω

h12b = 0x01 graphic
= 0,068

h21b = 0x01 graphic
=0,961

h22b = 0x01 graphic
=1 μS

Analogicznie dla układu OC:

h11c = h11e =75 Ω

h12c = 1-h12e =3,75*10-3

h21c = -(1+h21e) = -26

h22c = h22e = 26 mS

5. Wnioski

Celem ćwiczenia było wyznaczenie charakterystyk tranzystora w celu poznania zasady działania oraz wyznaczanie parametrów h, które charakteryzują tranzystor.

Prąd kolektora jest funkcją: IC=f(IB, UCE). Przy IB= const. otrzymujemy charakterystyki tranzystora. Wynika z nich, że tranzystor jest elementem nieliniowym, tzn. prąd IC nie wzrasta proporcjonalnie do napięcia UCE, lecz najpierw szybko narasta ze wzrostem napięcia, a potem powoli dąży do pewnej wartości, zależnej od IB.

Wynika z tego, że zmieniając wartość prądu IB uzyskujemy zmianę prądu IC w dużo większych zakresach. O stosunku przyrostu tych dwóch prądów, czyli wzmocnieniu informuje nas parametr h­21e.

Tranzystor może pracować w stanie aktywnym (ciągłe zmiany prądu IB i odpowiadające im zmiany prądu IC) lub impulsowo (przepływ prądu IB powoduje pojawienie się prądu IC, brak prądu IB jest równoznaczny z brakiem przepływu prądu IC) .

Z zasady działania tranzystora wynikają trzy podstawowe możliwości jego sterowania: prąd kolektora może być zmieniany przez zmianę prądu emitera, prądu bazy lub napięcia między bazą a emiterem.

Z charakterystyki IC = f(UCE) widzimy, że złącze kolektor-baza zaczyna przewodzić już przy dodatnich napięciach między kolektorem a emiterem. Początkowo prąd kolektora szybko wzrasta przy małych zmianach napięcia UCE, jest to zakres nasycenia. Następnie widzimy, że charakterystyka zaczyna zakrzywiać się i przechodzi w stan aktywny, to znaczy, że zmiany napięcia UCE w niewielkim stopniu wpływają na prąd kolektora. Przesunięcia między charakterystykami Ic=f(UCE) są efektem sterowania prądu kolektora prądem bazy. Nachylenie charakterystyk na obszarze aktywnym wynika z zależności współczynnika prądowego od napięcia UCE.

Na podstawie charakterystyki wejściowej Ib=f(Ube) widzimy, że stopniowo zwiększając napięcie UBE, prąd IB początkowo jest zerowy a następnie zaczyna narastać przy określonej wartości UBE.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Badanie wzmacniacza szerokopasmowego, Ćwiczenie nr 23: -Badanie tranzystora bipolarnego -
Podstaw wzm tranzyst, Ćwiczenie nr 23: -Badanie tranzystora bipolarnego -
Badanie tranzystora bipolarnego, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu
Badanie tranzystorów bipolarnych
%c6w %203%20 %20Badanie%20tranzystor%f3w%20bipolarnych
Badanie tranzystorów bipolarnego i unipolarnego doc
Badanie tranzystora bipolarnego
Badanie tranzystorów bipolarnych1
Badanie tranzystorów bipolarnych 3
Badanie tranzystorów bipolarnych
%c6w %203%20 %20Badanie%20tranzystor%f3w%20bipolarnych
Badanie tranzystora, Tranzy~1o, Tranzystor bipolarny NPN
Badanie charakterystyk tranzystora bipolaranego, Nr dziennika
Badanie układów z tranzystorem bipolarnym, metrologia
Badanie wzmacniaczy na tranzystrze bipolarnym
Badanie tranzystora, Tranzystor bipolarny, Tranzystor bipolarny NPN

więcej podobnych podstron