Dane o badanym tranzystorze bipolarnym :
typ BC 559B (p-n-p)
Pcmax = 300 mW
Icmax = 100 mA
UCEmax = 45 V
UBEmax = 6 V
UCBmax = 45 V
1. Wyznaczenie charakterystyk wyjściowych i wejściowych trazystora w układzie WE
Tabela pomiarów do wykreślenia charakterystyk wyjściowych.
Charakterystyki IC = f(UCE) |
|||||
IB = 150 mA |
IB = 250 mA |
IB = 350 mA |
|||
UCE [V] |
IC [mA] |
UCE [V] |
IC [mA] |
UCE [V] |
IC [mA] |
0,5 |
10 |
0,5 |
17,7 |
0,5 |
23 |
1 |
10,4 |
1 |
18,5 |
1 |
24,8 |
2 |
11,1 |
2 |
19,8 |
2 |
26,9 |
3 |
11,7 |
3 |
21,2 |
3 |
29,2 |
4 |
12,3 |
4 |
22,7 |
4 |
32,2 |
5 |
13 |
5 |
24,7 |
5 |
35,8 |
6 |
13,7 |
6 |
26,5 |
6 |
40 |
7 |
14,5 |
7 |
28,7 |
7 |
44,6 |
8 |
15,3 |
8 |
31 |
8 |
50 |
9 |
16,2 |
9 |
33,7 |
9 |
68 |
10 |
16,9 |
10 |
35,7 |
10 |
80 |
Charakterystyka dla IB = 150 mA
Charakterystyka dla IB = 250 mA
Charakterystyka dla IB = 350 mA
Tabela pomiarów do wykreślenia charakterystyk wejściowych tranzystora.
Charakterystyki IB = f(UBE) |
|||||
UCE = 3,14 V |
UCE = 6,21 V |
UCE = 9,25 V |
|||
UBE [mV] |
IB [mA] |
UBE [mV] |
IB [mA] |
UBE [mV] |
IB [mA] |
91 |
0,1 |
71 |
0,1 |
75 |
0,1 |
188 |
0,2 |
223 |
0,2 |
178 |
0,2 |
263 |
0,3 |
282 |
0,3 |
267 |
0,3 |
398 |
0,4 |
368 |
0,4 |
360 |
0,4 |
564 |
0,7 |
459 |
0,5 |
479 |
0,5 |
581 |
0,9 |
542 |
0,6 |
533 |
0,6 |
611 |
1,3 |
568 |
0,8 |
578 |
0,9 |
647 |
5,4 |
600 |
1,3 |
601 |
1,4 |
662 |
9 |
613 |
1,9 |
624 |
2,5 |
671 |
12,6 |
643 |
5 |
657 |
11,4 |
676 |
15,9 |
661 |
10,4 |
661 |
15,8 |
686 |
22,8 |
669 |
15,4 |
664 |
20,4 |
Charakterystyka dla UCE = 3,14 V
Charakterystyka dla UCE = 6,21 V
Charakterystyka dla UCE = 9,25 V
2. Wyznaczenie charakterystyk wyjściowych układzie WB
Tabela pomiarów do wykreślenia charakterystyk wyjściowych.
Charakterystyki IC = f(UCB) |
|||
IE = 1,82 mA |
IE = 1,82 mA |
||
UCB [V] |
IC [mA] |
UCB [V] |
IC [mA] |
0,1 |
1,82 |
0,4 |
3,12 |
0,5 |
1,83 |
0,8 |
3,13 |
1 |
1,83 |
2 |
3,14 |
1,52 |
1,83 |
3 |
3,14 |
2 |
1,83 |
4 |
3,15 |
2,5 |
1,83 |
5 |
3,15 |
3 |
1,83 |
6 |
3,17 |
3,5 |
1,84 |
7 |
3,17 |
5 |
1,85 |
8 |
3,18 |
6 |
1,86 |
9 |
3,19 |
8,7 |
1,87 |
10 |
3,19 |
|
|
11 |
3,22 |
|
|
12 |
3,24 |
|
|
13 |
3,25 |
|
|
16 |
3,27 |
|
|
18 |
3,28 |
Charakterystyka dla IE = 1,82 mA
Charakterystyka dla IE = 3,2 mA
WNIOSKI :
Wyznaczone przez nas charakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego w układzie WE odbiegają od ich idealnego przebiegu. Spowodowne to być może błędami obarczającymi pomiar. Najlepsze przybliżenie oddaje charakterystyka dla
IB = 250 mA. Charakterystyki wejściowe tranzystora bipolarnego w układzie WE przedstawiają się znakomicie. Z otrzymanych charakterystyk stwierdziliśmy, że nasz tranzystor jest krzemowy ( napięcie progowe UTO znajduje się w przedziale 0,5..0,8 V).
Gwałtowny wzrost prądu IB obserwujemy dla UBE równego około 0,6 V dla każdej
z charakterystyk.
W układzie WB wyznaczyliśmy charakterystyki wyjściowe. Są one bardziej zbliżone do modelowych niż te które wyznaczyliśmy w układzie WE. Szczególnie dobrze wyszła nam charakterystyka wyjściowa tranzystora bipolarnego dla
IE = 3,2 mA.
Ocena
Nr
ćwiczenia
3
Grupa
laborat.
nr
Albert Górski
Tomasz Kamiński
Marek Biadacz
W.S.Inż. w Zielonej Górze
wydział Elektryczny
Sprawdził
Data odd.
srawozdania
30.05.96
Data wyk.
ćwiczenia
25.04.96
09.05.96
Temat ćwiczenia :
Badanie tranzystorów bipolarnych.
LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI