Badanie wzmacniaczy na tranzystrze bipolarnym


POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

Numer ćwiczenia:

5.

Temat ćwiczenia:

Badanie wzmacniaczy zbudowanych na tranzystorze bipolarnym.

Zespół numer 4:

  1. Ilona Łagan

  2. Łukasz Długosz

  3. Piotr Duda

  4. Piotr Sadowski

Data wykonania:

09.11.1999

Data oddania do sprawdzenia:

Ocena:

  1. Cel ćwiczenia

Celem ćwiczenia jest zbadanie wzmacniacza zbudowanego na tranzystorze bipolarnym i wyznaczenie jego charakterystyki częstotliwościowej.

2. Schemat pomiarowy:

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

R1=9,1 kΩ

R2=680 Ω

RE=100 Ω

RC=4,7 kΩ

CS=2,2 μF

CE=25 μF

Tranzystor npn BC 107

  1. Tabele pomiarowe.

  1. Układ wzmacniacza bez kondensatora CE ; Uwej=100 [mV]

f [log]

1

1,3

1,7

2

2,3

2,7

3

3,3

3,7

4

4,3

4,7

5

5,3

5,4

5,7

6

f [Hz]

10

20

50

100

200

500

1k

2k

5k

10k

20k

50k

100k

200k

250k

500k

1M

Uwyj [V]

3,7

3,8

3,9

4

4

4

4

4

4

4

4

3,8

3,6

3,5

2,83

2

1,2

ku [V/V]

37

38

39

40

40

40

40

40

40

40

40

38

36

35

28,3

20

12

ku [dB]

31,4

31,6

31,8

32

32

32

32

32

32

32

32

31,6

31,1

30,9

29

26

21,6

  1. Układ wzmacniacza z kondensatora CE ; Uwej=100 mV ; CE=25μF

f [log]

1

1,3

1,7

2

2,3

2,34

2,7

3

3,3

3,7

4

4,3

4,7

5

5,3

5,5

5,7

6

f [Hz]

10

20

50

100

200

220

500

1k

2k

5k

10k

20k

50k

100k

200k

320k

500k

1M

Uwyj [V]

4

5

5,5

6

6,5

8,84

11

12,5

12,5

12,5

12,5

12,5

12,5

12,5

12,5

8,84

6

5

ku [V/V]

40

50

55

60

65

88,4

110

125

125

125

125

125

125

125

125

88,4

60

50

ku [dB]

32

33,9

34,8

35,6

36,3

38,9

40,8

41,9

41,9

41,9

41,9

41,9

41,9

41,9

41,9

38,9

35,6

33,9

4. Obliczenia.

    1. Napięcie graniczne:

0x01 graphic

4.2 Wzmocnienie w decybelach:

0x01 graphic

5. Wnioski.

Badaliśmy wzmacniacz zbudowany w układzie WE w oparciu o tranzystor BC 107.

    1. Układ wzmacniacza bez kondensatora CE

Wzmocnienie ustabilizowało się na poziomie 32 dB. Z pomiarów górna częstotliwość graniczna wynosi 5,4 (250 kHz) , a wyznaczenie dolnej okazało się trudne ze względu na bardzo małą wartość tej częstotliwości. Metodą graficzną otrzymaliśmy dokładne wartości częstotliwości , przy których wzmocnienie maleje o 3 dB odpowiednio: częstotliwość górną równą 5,45 (282 kHz) oraz częstotliwość dolną równą 0,8 (6,3 Hz). Różnica w wyznaczonych częstotliwościach górnych jest stosunkowo mała (około 11%).

5.2 Układ wzmacniacza bez kondensatora CE

Wzmocnienie ustabilizowało się na poziomie 41,9 dB. Z pomiarów dolna częstotliwość graniczna wynosi 2,34 (220 kHz), a górna 5,5 (320 kHz). Metodą graficzną otrzymaliśmy odpowiednio: częstotliwość dolna 2,45 (281,8 Hz), częstotliwość górna 5,55 (355 kHz). W tym przypadku różnice wynoszą odpowiednio: dolnych około 22% i górnych około 10%

Jak widać na przykładzie dwóch badanych wzmacniaczy większe wzmocnienie ma układ ze zbocznikowanym opornikiem RE przez kondensator CE. Pojemność ta ma duży wpływ na zakres małych częstotliwości, co widać na charakterystyce jako stabilizację wzmocnienia w tym przedziale. Układ bez CE charakteryzuje się niższym o około 10 dB wzmocnieniem, ale za to ma szerszy zakres wzmacnianych częstotliwości i lepszą stabilizację wzmocnienia.

2

-

RE

CE

R2

Zasilacz

Generator

wy

+

C

R1

RC

B

A

Oscyloskop

DT 516 A



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
wzmacniaczy na tranzystrze bipolarnym
Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET
Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET1
Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET2
Porównanie własności pojedynczych stopni wzmacniacza na tranzystorach bipolarnych
Badanie wzmacniacz na tr unipolarnym 5
dokumentajca, Wzmacniacz na tranzystorach HEXFET o mocy 400W/4W ; 200W/8W Sinus z opóźnionym włączan
Wzmacniacz na tranz bipolarnym
Wzmacniacz na tranzystorze unipolarnym doc
wzmacniacz na tranzystorze polowym tabelki
sprawozdanie wzmacniacz na tranzystorze polowym ćw5 elektronika
Badanie wzmacniacza szerokopasmowego, Ćwiczenie nr 23: -Badanie tranzystora bipolarnego -
90 Tranzystor bipolarny jako wzmacniacz
etr2 lab odpowiedzi na pytania do laborek z tranzystora bipolarnego, Mechatronika, 2 Rok
Badanie tranzystora bipolarnego
Badanie wzmacniaczy tranzystorowych
Badanie tranzystora, Tranzy~1o, Tranzystor bipolarny NPN
Podstaw wzm tranzyst, Ćwiczenie nr 23: -Badanie tranzystora bipolarnego -
Badanie charakterystyk tranzystora bipolaranego, Nr dziennika

więcej podobnych podstron