Wzmacniacz na tranz bipolarnym


Politechnika Świętokrzyska w Kielcach

Laboratorium elektroniki

Ćwiczenie nr:

5

Badanie wzmacniacza na

tranzystorze bipolarnym

Zespół nr 4:

  1. Chyla Sylweriusz

  1. Drabik Tomasz

3. Fulbiszewski Tomasz

Data wykonania ćwiczenia:

21.11.2000

Ocena:

WEAiI , gr. 22A

1. Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest zaprojektowanie wzmacniacza małej mocy na tranzystorze bipolarnym BC 107

(NPN).

2. Schemat pomiarowy:

0x01 graphic

Parametry układu:

CS=2,2 μF

RE =270 kΩ

RC=1 kΩ

CS1=470 μF

3. Tabela pomiarowa:

a) dla stałego napięcia wejściowego Uwe=0,4 V

f

Uwy

ku[dB]

kHz

V

0,001

0,6

3,52

0.002

1

7,9

0,005

1,6

12

0,01

2,2

14,8

0,05

2,5

15,9

0,1

2,5

15,9

1

2,5

15,9

5

2,5

15,9

50

2,5

15,9

500

2,25

15

600

2,0

13,9

700

1,9

13,5

800

1,75

12,8

b) dołączony rezystor R0 o wartości R0=RC=1 kΩ

Uwy=1,2 V

Przy dołączeniu rezystora R0 wzmocnienie ku maleje do wartości ku=9,4 dB

c) dołączony kondensator o pojemności C=470 μF

Uwe=0,06 V

Uwy=4 V

ku=36,4 dB

Dołączenie kondensatora CS1 zdecydowanie polepsza wzmocnienie, którego wartość wynosi wówczas ku=36,4 dB.

0x08 graphic

4.Przykładowe wzory i obliczenia:

a) wyznaczanie podstawowych parametrów tranzystora:

UCC=12 V

IB=15 μA

UCE =0,8 V

0x08 graphic
UBE=0.7 V

RB1=56 kΩ

RB2=14,7 kΩ

RC=1 kΩ

ku ≅ -(RC / RE) ≅4

ICmax=( UCC-UCE )/( RE+RC)=8,8 mA

IC=1/2 ICmax= 4,5 mA

β0 =IC/IB=586,6

Z'we= (β+1)RE=158652 Ω

Zwe=Z'we||RB1||RB2=10856 Ω

b)wyznaczanie parametrów hybrydowych:

h0x01 graphic
0x01 graphic
=0x01 graphic
= 46,6 kΩ

h0x01 graphic
=0x01 graphic
=0x01 graphic
=205

5.Uwagi i wnioski:

Wzmacniacz zbudowano w układzie WE na podstawie tranzystor BC 107. Głównym zadaniem wzmacniacza jest wzmacnianie sygnału małej częstotliwości (akustycznej). Wzmacniacz powinien być zasilany ze źródła stabilizowanego, gdyż zmiany napięcia zasilania powodują przesunięcie punktu pracy tranzystora, co może wpływać na odkształcenia wzmacnianego sygnału. Włączenie kondensatora CS1 równolegle z rezystorem emiterowym RE wpływa korzystnie na wzmocnienie i przenoszenie sygnału, a ponad to kondensator ten zbocznikował rezystor RC. Dla częstotliwości f<10 Hz następuje brak wzmocnienia. Prąd IB powinien mieć wartość taką, aby potencjał kolektora był równy w przybliżeniu połowie napięcia zasilania, gdyż wtedy wzmacniacz osiąga największą sprawność.

Po przeprowadzeniu pomiarów stwierdziliśmy, że wzmocnienie napięciowe wzmacniacza wzrasta prawie liniowo wraz ze wzrostem częstotliwości (do 50 Hz) dalej ustala się na stałym poziomie (do 500000 Hz) i ponownie opada, gdy częstotliwość przekroczy 500000 Hz .

Pasmo przenoszenia wzmacniacza mieści się w przedziale od 10 Hz do 550 kHz.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
wzmacniaczy na tranzystrze bipolarnym
Badanie wzmacniaczy na tranzystrze bipolarnym
Porównanie własności pojedynczych stopni wzmacniacza na tranzystorach bipolarnych
Mój pierwszy wzmacniacz (na układzie TDA7056), cz 2
tranz bipolarny1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Przedwzmacnipreamp lampowy do LM3875, opis i schemat, Na stronie Wzmacniacz na LM 3875 opisałem budo
Badanie wzmacniacz na tr unipolarnym 5
Mój pierwszy wzmacniacz (na układzie TDA7056), cz 1
dokumentajca, Wzmacniacz na tranzystorach HEXFET o mocy 400W/4W ; 200W/8W Sinus z opóźnionym włączan
avt 2762 Wzmacniacz na tanzyst N Mosfet
Jak zbudować wzmacniacz na TDA7294, ELEKTRONIKA, Wzmacniacze
tranz bipolarny4, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
tranz bipolarne
Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET
Mój pierwszy wzmacniacz (na układzie TDA7056), cz 2
Wzmacniacz na tranzystorze unipolarnym doc
Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET1
Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET2

więcej podobnych podstron