Kostkê TDA7294 zna chyba ka¿dy audio-
elektronik. Dla przypomnienia, jest to mono-
lityczny wzmacniacz mocy oferuj¹cy maksy-
malna moc ci¹g³¹ 70W przy stosunkowo nis-
kiej cenie i prostocie uk³adowej. Dlatego jest
tak popularny wród m³odych elektroników
i prze¿ywa tym samym swoj¹ kolejn¹ m³o-
doæ. Bardziej dowiadczeni znaj¹ ten uk³ad
od prawie 10 lat i nie jest ju¿ dla nich tak at-
rakcyjny. Wszystkim, którzy poznali mo¿li-
woci tej kostki, proponujê wzmacniacz tran-
zystorowy na tranzystorach N-MOSFET
w porównywalnej cenie, a przy tym nawet
o wiêkszej mocy. Czy prezentowany uk³ad
jest lepszy? o tym zadecydujcie ju¿ sami.
Topologia uk³adowa
Na rysunku 1 mo¿na zobaczyæ podrêczniko-
w¹ topologiê uk³adow¹ wzmacniacza mocy
z tranzystorami N-MOSFET w stopniu wyj-
ciowym. Od klasycznego wzmacniacza
z komplementarnym wtórnikiem na wyjciu
ró¿ni siê ona zastosowaniem drugiego stopnia
w postaci wzmacniacza ró¿nicowego.
Ale po kolei. Na wejciu znajduje siê
wzmacniacz ró¿nicowy z³o¿ony z tranzysto-
rów T4, T5, punkt pracy ustala ród³o pr¹do-
we I2. Sygna³ wejciowy trafia do bazy T4,
a sygna³ sprzê¿enia zwrotnego do bazy T5.
Z wyjcia tego stopnia (R1, R2) sygna³ w po-
staci symetrycznej jest kierowany na kolejny
wzmacniacz ró¿nicowy (T1, T2). Pr¹d ród³a
pr¹dowego I1, rozdzielaj¹c siê w T1, T2 traf-
ia na rezystory R6, R7, wywo³uj¹c na nich
napiêcie polaryzacji bramek tranzystorów
mocy T3, T6 i ustala tym samym pr¹d spo-
czynkowy. Aby w pe³ni wysterowaæ tranzys-
tory wyjciowe (chodzi o T3), zasilanie stop-
nia steruj¹cego powinno byæ wy¿sze od zasi-
lania g³ównego. Takie dodatkowe napiêcie
(Ug) jest doæ niewygodne w realizacji, dla-
tego te¿ konstruktorzy kompromisowo zasi-
laj¹ ca³y uk³ad tym samym napiêciem. Ma to
powa¿n¹ wadê ograniczaj¹c¹ dodatni¹ am-
plitudê napiêcia wyjciowego. Wtedy ujem-
ne napiêcie wyjciowe jest tylko nieco
mniejsze od napiêcia zasilania, za to dodat-
nie jest pomniejszone czêsto o ponad 10V.
Zmniejsza to drastycznie moc wyjciow¹
wzmacniacza i jego sprawnoæ. Dodatkowo
pogarsza parametry wzmacniacza, zmusza-
j¹c do pracy ród³o pr¹dowe I1 oraz T1, T2
na bardzo ma³ych napiêciach, co powoduje
ich nieliniow¹ pracê. Bardzo dobrze zdaj¹
sobie sprawê z tego konstruktorzy kostki
TDA7294 i rozwi¹zali problem, stosuj¹c
prosty uk³ad bootstrap. Dziêki temu kostka
ta jest w stanie wyprodukowaæ na wyjciu
napiêcie równe zasilaniu, ale tylko bez ob-
ci¹¿enia. Przy pe³nym obci¹¿eniu napiêcie to
jest ju¿ o ok. 4V mniejsze, co wynika z pew-
nej rezystancji tranzystora MOSFET. Nieste-
ty rezystancja ta zwiêksza siê wraz z tempe-
ratur¹, dlatego wzmacniacz traci moc wraz
z rozgrzewaniem. Oba tranzystory mocy pra-
cuj¹ w uk³adzie wspólnego ród³a, co jest
doæ niekorzystne ze wzglêdu na du¿e po-
jemnoci wejciowe.
Opis uk³adu
Schemat pe³nego uk³adu wzmacniacza poka-
zano na rysunku 2. Na wejciu znajduje siê
kondensator C7 oddzielaj¹cy sk³adow¹ sta³¹
oraz filtr dolnoprzepustowy R24, C5. Dalej
sygna³ trafia na bazê T10, która wraz z T11
tworzy wejciowy wzmacniacz ró¿nicowy.
Do bazy T11 doprowadzony jest sygna³ sprzê-
¿enia zwrotnego przez elementy R26, R25,
C9, takie same jak w kostce TDA7294, które
ustalaj¹ wzmocnienie napiêciowe na ok. 33x
(30dB). Pr¹d pary wejciowej ustala R31 do-
³¹czony do stabilnego napiêcia uzyskiwanego
na diodzie Zenera DZ3. Wartoæ tego pr¹du
jest ma³a i wynosi ok. 1,1mA, co daje bardzo
ma³e wydzielanie siê ciep³a z tranzystorów
T10, T11. Na rezystorach R12, R13 panuje
wtedy napiêcie 5,5V. Przek³ada siê to na ok.
4V napiêcia na T4, zapewniaj¹c mu komfor-
towe warunki pracy jako ród³o pr¹dowe.
O pr¹dzie tego ród³a decyduje suma napiêæ
uzyskiwanych na D2, D3 i T3 oraz rezystancji
R7+P1. T3 pracuje jako dioda i jest umiesz-
czony na radiatorze, pe³ni¹c rolê stabilizacji
termicznej pr¹du spoczynkowego, którego
wartoæ regulujemy P1. Pr¹dy kolektorów pa-
ry ró¿nicowej T6, T7 trafiaj¹ na rezystory
R19, R32, a dalej w postaci napiêcia przez
R20, R28 na bramki wyjciowych tranzysto-
rów MOSFET T8, T13. Dodatkowym ele-
mentem jest tu tranzystor T9 s³u¿¹cy tylko za
odci¹¿enie T6. Bez niego T6 wytraca³by dwa
razy wiêcej ciep³a, ni¿ jego kolega z pary
ró¿nicowej T7. Powodowa³oby to pewn¹ nie-
symetrycznoæ termiczn¹ i mog³o przegrzaæ
T6. W takim uk³adzie jako T6, T7, T9 wystar-
czy zastosowanie ma³ych tranzystorów
w obudowach TO92. Moc strat ka¿dego
z nich nawet przy zasilaniu ±60V nie przekro-
czy 0,25W, z czym sobie doskonale poradz¹.
Tranzystory T12, T14 wraz z rezystorami
R21-32, R35-37 pe³ni¹ rolê zabezpieczenia
W
W
W
W
zz
zz
m
m
m
m
aa
aa
cc
cc
nn
nn
ii
ii
aa
aa
cc
cc
zz
zz
nn
nn
aa
aa
tt
tt
rr
rr
aa
aa
nn
nn
zz
zz
yy
yy
ss
ss
tt
tt
oo
oo
rr
rr
aa
aa
cc
cc
hh
hh
NN
NN
--
--
M
M
M
M
OO
OO
SS
SS
FF
FF
EE
EE
TT
TT
- alternatywa dla TDA7294
13
Projekty AVT
Elektronika dla Wszystkich
00
00
00
Rys. 1
22
22
77
77
66
66
22
22
pr¹dowego, ich wartoæ jest dobrana do
maksymalnego pr¹du wyjciowego. W tym
przypadku jest to równoleg³e po³¹czenie
trzech rezystancji 0,22Ω daj¹ce wynikowo
rezystancjê tylko ok. 0,07Ω, ustalaj¹c tym
maksymalny pr¹d wyjciowy równy 10A
(Imax=0,7V/R). Tak ma³a rezystancja oraz
rozbicie jej na trzy rezystory umo¿liwi³a za-
stosowanie rezystorów ma³ej mocy. Reduku-
je to znacznie wielkoæ p³ytki monta¿owej,
ale jest niestety okupione trudnoci¹ w ich
zakupie. Dalsz¹ czêci¹ zabezpieczenia s¹
rezystory R16, R20 oraz R30, R33 tworz¹ce
ogranicznik pr¹du z charakterystyk¹ pod-
ciêt¹. Dziêki temu zabiegowi pr¹d zwarcio-
wy jest o ok. po³owê mniejszy ni¿ pr¹d mak-
symalny, co zabezpiecza tranzystory wyj-
ciowe przed przekroczeniem maksymalnej
mocy strat. Aby uk³ad by³ niezawodny, zo-
sta³ wyposa¿ony w dodatkowe zabezpiecze-
nia. Ich zadaniem jest ciche w³¹czenie/wy³¹-
czenie wzmacniacza przy w³¹czaniu/wy³¹-
czaniu zasilania sieciowego, tak jak w przy-
padku zwarcia wyjcia, na które wzmacniacz
jest ca³kowicie odporny. Jak prosty mo¿e
byæ uk³ad takich zabezpieczeñ, mo¿na zoba-
czyæ w lewym górnym rogu rysunku 2. Tran-
zystory T1, T2 pracuj¹ w uk³adzie kompara-
tora z histerez¹, R1, R2, R4, R5 ustalaj¹ pro-
gi napiêæ. Dzia³a on w ten sposób, ¿e po zasi-
leniu uk³adu zaczyna ³adowaæ siê C1 g³ów-
nie przez pr¹d bazy T2 oraz rezystor R6. Po
przekroczeniu napiêcia progowego T2 zosta-
je zatkany, a T3 zaczyna przewodziæ. Pr¹d
przep³ywa przez diodê Zenera DZ1, uaktyw-
niaj¹c ród³o pr¹dowe na tranzystorze T5.
W³¹cza ono g³ówne ród³o pr¹dowe T4, czy-
li ca³y wzmacniacz. Podczas zwarcia wyjcia
w pierwszej chwili pr¹d jest ograniczany
przez T12, T14. Po pewnej chwili roz³ado-
wany jest C1 dziêki pod³¹czeniu go za po-
moc¹ R8, D4 do tranzystora T12. Spadek na-
piêcia na C1 wy³¹cza wzmacniacz, a ponow-
ne w³¹czenie nastêpuje po chwili, gdy C1
znów zostanie na³adowany. Jeli zwarcie nie
zosta³o usuniête, proces wy³¹czenia powtó-
rzy siê, a po usuniêciu zwarcia wzmacniacz
przejdzie do normalnej pracy. Dodatkowy
uk³ad DZ2, R3, D1 ma za zadanie roz³ado-
waæ C1, czyli wy³¹czyæ wzmacniacz w przy-
padku spadku napiêcia zasilania uniemo¿li-
wiaj¹cego poprawn¹ jego pracê. R10, R11,
R14, R18 oraz C2 tworz¹ uk³ad bootstrap
podnosz¹cy dynamicznie (w rytm sygna³u)
napiêcie zasilania stopnia steruj¹cego. Dziê-
ki niemu i wydajnym tranzystorom wyjcio-
wym wzmacniacz przy maksymalnej mocy
charakteryzuje siê wyjciowym napiêciem
nasycenia o wartoci ok.2V i jest to jeden
z najlepszych wyników we wzmacniaczach
mocy. Przek³ada siê to na wysok¹ spraw-
noæ, a w porównaniu z kostk¹ TDA7294
daje do 25% wiêcej mocy z tego samego
ród³a zasilania.
Monta¿ i uruchomienie
Monta¿ uk³adu mo¿na wykonaæ na p³ytce
przedstawionej na rysunku 3. Zaczynamy od
dwóch zworek, które wykonujemy cienkim
przewodem lub srebrzank¹, koñcz¹c na ele-
mentach wy¿szych i tranzystorach mocy.
Miêdzy punktami oznaczonymi A-A wykonu-
jemy po³¹czenie przewodem w izolacji
o przekroju ok. 1mm
2
. Tranzystory mocy T8,
T13 przykrêcamy do radiatora przez odpo-
wiednie podk³adki izolacyjne. Pod T3 mo¿na
wywierciæ w radiatorze otwór o rednicy
5mm. Uruchomienie dla bezpieczeñstwa naj-
lepiej przeprowadziæ pod³¹czaj¹c zasilanie
przez szeregowe rezystory ma³ej mocy
22-47Ω. Posiadacze oscyloskopów powinni
obserwowaæ, co siê dzieje na wyjciu wzmac-
niacza. Dla bezpieczeñstwa mo¿na te¿ pod³¹-
czyæ g³onik przez szeregowy rezystor o war-
toci kilkuset omów. Do wejcia pod³¹czamy
generator lub dowolne ród³o sygna³u audio
za porednictwem potencjometru. Przed w³¹-
czeniem zasilania P1 skrêcamy w lewe skraj-
ne po³o¿enie. Szeregowo z ujemn¹ szyn¹ zasi-
lania w³¹czamy amperomierz. Po w³¹czeniu
zasilania powinien p³yn¹æ niewielki pr¹d
o wartoci kilku mA, a po kilku sekundach
wzmacniacz powinien siê uruchomiæ. W³¹-
czenie mo¿na poznaæ po pojawieniu siê na-
piêcia 12V na diodzie Zenera DZ1, a pr¹d
zasilania nieznacznie powinien wzrosn¹æ.
Jeli uruchomienie przebieg³o prawid³owo,
14
Projekty AVT
Elektronika dla Wszystkich
Rys. 2 Schemat ideowy
po podaniu sygna³u na wejcie w g³oniku po-
winnimy go us³yszeæ. Nie nale¿y za bardzo
rozkrêcaæ wzmocnienia, bo w zasilaniu znaj-
duj¹ siê rezystory ograniczaj¹ce pr¹d. Po kil-
ku minutach pracy ustal¹ siê warunki termicz-
ne i mo¿emy przyst¹piæ do regulacji pr¹du
spoczynkowego. W tym celu obracamy P1
w prawo do momentu zaobserwowania na
amperomierzu wartoci ok. 50mA. Mierzymy
jeszcze napiêcie sta³e (bez sygna³u) na wyj-
ciu. W przypadku takiej topologii uk³adu jest
ono bardzo ma³e i nie powinno przekroczyæ
±20mV. Na koniec zostaje usuniêcie rezysto-
rów z zasilania i sprawdzenie uk³adu przy pe³-
nej mocy. Odwa¿niejsi mog¹ wykonaæ test
zwarcia wyjcia do masy, najlepiej przy graj¹-
cej g³ono muzyce. Bêdzie wtedy s³ychaæ wy-
³¹czenie wzmacniacza i po chwili jego po-
nowne w³¹czenie. Mo¿na te¿ sprawdziæ po-
prawne dzia³anie ograniczników pr¹du, zwie-
raj¹c wyjcie do masy przez rezystor ok. 1Ω.
Pomiar wykonujemy na sinusoidzie o du¿ej
amplitudzie, obserwuj¹c sygna³ na oscylosko-
pie. Powinno byæ widoczne symetryczne ob-
cinanie wierzcho³ków sinusoidy, wzmacniacz
nie wy³¹czy siê, a pomiar wykonujemy przez
ok. 1sekundê. Po tych czynnociach pozostaje
ju¿ tylko rozkoszowanie siê dwiêkiem.
100W, 200W
a mo¿e... wiêcej
W stopniu mocy zastosowano popularne tran-
zystory N-MOSFET typu IRF540 (100V,
30A, 100W), wersja N ma wiêksz¹ moc wy-
nosz¹c¹ 130W. Mo¿e siê wydawaæ, ¿e ich
maksymalny pr¹d jest nieco na wyrost, jednak
zastosowanie tych tranzystorów wi¹¿e siê
z ich bardzo du¿¹ moc¹ strat. Tak du¿¹ moc
mimo ma³ej obudowy (TO220) osi¹gniêto
dziêki maksymalnej temperaturze struktury
175
o
. Przez to wzmacniacz dysponuje moc¹
wyjciow¹ rzêdu 100W RMS. A mo¿na j¹
uzyskaæ na 4Ω b¹d 8Ω dziêki dopuszczalne-
mu napiêciu zasilania ±50V. Ograniczeniem
jest tu maksymalne napiêcie pracy tranzysto-
rów IRF540, zastosowanie w ich miejsce
IRF640 (200V,18A, 125W) pozwala na zasi-
lanie uk³adu do ±60V. Wzmacniacz modelo-
wy przeszed³ d³ugotrwa³e testy na zasilaczu,
z którym uzyskiwa³ 140W/4Ω. Uk³ad po-
cz¹tkowo zaprojektowany by³ z myl¹ o mocy
wyjciowej rzêdu 200W/
4Ω. Wi¹¿e siê to z napiê-
ciem zasilania bliskim
±60V, do którego jest przy-
stosowany. Jako tranzystory
mocy nale¿y wtedy zastoso-
waæ potê¿ne IRFP240 lub
IRFP250. Konieczna jest
zmiana progu ogranicznika
pr¹dowego przez wymianê
rezystorów R21-32, R35-37
na wartoæ 0,15Ω. Du¿y
radiator i zastosowanie bar-
dzo cienkich podk³adek mi-
kowych wraz z silnym dociskiem tranzysto-
rów mocy jest niezbêdne. Testy modelu na za-
silaczu daj¹cym moc wyjciow¹ 225W/4Ω
potwierdzi³y niezawodnoæ konstrukcji. Lu-
bi¹cym eksperymenty i wra¿enia proponujê
zabawê z tranzystorami IRFP 264N, które
dziêki maksymalnej mocy strat siêgaj¹cej
400W (!) teoretycznie s¹ w stanie wycisn¹æ
z tego niepozornego uk³adu moc wyjciow¹
ponad 300W. Zastosowanie cienkich podk³a-
dek z tlenku aluminium i wentylowanego rad-
iatora wydaje siê wtedy niezbêdne. Dla takich
eksperymentów powsta³ nieco bardziej rozbu-
dowany uk³ad pokazany na fotografii, a maj¹-
cy zabezpieczenia na przekaniku dziêki nie-
mu g³onik jest chroniony równie¿ przed sk³a-
dow¹ sta³¹. Dodatkowo na p³ytce znalaz³ siê
stabilizator ±12V do zasilania przedwzmac-
niacza subwoofera. Tak silne tranzystory mo-
cy maj¹ du¿e pojemnoci bramek i ca³y
wzmacniacz niezbyt dobrze radzi sobie
z szybkimi sygna³ami, dlatego tak du¿e moce
polecam do zasilania g³onika subwoofera.
Dla dociekliwych
Bardzo rzadko w opisach konstrukcji wzmac-
niaczy mocy poruszany jest temat charakte-
rystyki stabilizacji termicznej pr¹du spoczyn-
kowego. Teoretycznie pr¹d spoczynkowy po-
winien byæ niezmienny w funkcji temperatu-
ry. Wzmacniacz na tranzystorach MOSFET
nawet bez stabilizacji jest doæ stabilny, a jego
pr¹d spoczynkowy wzrasta wraz z temperatu-
r¹ co najwy¿ej kilka razy. Do jego stabilizacji
czêsto wykorzystuje siê niewygodne termisto-
ry. W przedstawionym uk³adzie w tej roli za-
stosowano jedno z³¹cze pó³przewodnikowe
(T3). Podczas wzrostu temperatury napiêcie
z³¹cza spada, zmniejszaj¹c pr¹d ród³a pr¹do-
wego zrealizowanego na T4, a tym samym
pr¹d spoczynkowy. Dziêki temu prostemu
uk³adowi stabilizacja jest doæ dobra. W prak-
tyce wraz ze wzrostem temperatury radiatora
pr¹d spoczynkowy nieco maleje. Pomiary wy-
kaza³y najmniejsze zniekszta³cenia wzmac-
niacza przy pr¹dzie spoczynkowym ok. 50mA
i tyle powinien wynosiæ w temperaturze po-
kojowej po ustabilizowaniu siê warunków ter-
micznych. Wa¿n¹ cech¹ jest jego wiêksza
wartoæ podczas uruchomienia i w temperatu-
rze pokojowej wynosi ok. 100mA. Test uru-
chomienia wzmacniacza po wyjêciu z lodów-
ki (ok. 5
o
C) wykaza³ jego wartoæ na pozio-
mie 160mA. Za ten stan rzeczy odpowiedzial-
ne s¹ g³ównie elementy D2, D3 i T4, od któ-
rych temperatury równie¿ zale¿y pr¹d spo-
czynkowy. Mo¿na przyjaæ, ¿e D3 kompensuje
z³¹cze BE tranzystora T4 i dlatego jest
umieszczona blisko niego. Druga dioda pra-
cuje jako paso¿ytniczy regulator pr¹du spo-
czynkowego reaguj¹cy na temperaturê oto-
czenia. Pocz¹tkowo w uk³adzie by³a stosowa-
na tylko dioda D3, ale wyst¹pi³y problemy z
p³ynnym ustawianiem pr¹du i jego nadmiern¹
kompensacj¹. Z tych wzglêdów wzmacniacz
nadaje siê do stosowania w pomieszczeniach
zamkniêtych, gdzie nie wystêpuj¹ du¿e waha-
nia temperatur. Mi³onikom CAR-AUDIO
proponujê zamiast D2 wstawienie stabilnej
diody referencyjnej np. LM285-1.2, co pomo-
¿e rozwi¹zaæ ten problem. Nale¿y wtedy pa-
miêtaæ o zwiêkszeniu wartoci rezystora R7
do 220Ω.
Ci¹g dalszy na stronie 25.
15
Projekty AVT
Elektronika dla Wszystkich
Rys. 3 Schemat monta¿owy
Wykaz elementów
RReezzyyssttoorryy
R1,R3,R5,R9,R12,R13,R31,R34 . . . . . . . . 10kΩ
R2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100kΩ
R4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220kΩ
R6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1MΩ
R7,R15,R20,R28,R33 . . . . . . . . . . . . . . . . 100Ω
R8,R10,R11,R19,R24,R32. . . . . . . . . . . . . . 1kΩ
R14,R18. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 270Ω
R16,R17,R26,R30 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22kΩ
R21-R23,R35-R37. . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,22Ω
R25. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 680Ω
R27,R29 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22Ω
P1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100Ω
KKoonnddeennssaattoorryy
C1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10µF
C2,C9 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22µF
C3,C11 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10µF
C4,C6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100pF
C5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1nF
C7 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 470nF
C8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33pF
C10,C12,C13 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100nF
PPóó³³pprrzzeewwooddnniikkii
D1-D5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1N4148
DZ1-DZ3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . C12V
T1,T2,T4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . BC556
T3,T5,T10-T12,T14 . . . . . . . . . . . . . . . . . BC546
T6,T7,T9. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MPSA92
T8,T13. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IRF540
PPoozzoossttaa³³ee
ARK3
KKoom
mpplleett ppooddzzeessppoo³³óóww zz pp³³yyttkk¹¹
jjeesstt ddoossttêêppnnyy ww ssiieeccii hhaannddlloowweejj AAVVTT
jjaakkoo kkiitt sszzkkoollnnyy AAVVTT--22776622..
25
Odwie¿amy kity AVT
Elektronika dla Wszystkich
W takim uk³adzie pr¹d spoczynkowy jest bar-
dzo stabilny, a uruchomienie wzmacniacza
och³odzonego za oknem w zimowy dzieñ (-5
o
C)
da³o pr¹d spoczynkowy o wartoci ok. 40mA.
Pomiar pr¹du spoczynkowego mo¿e du¿o
powiedzieæ o szybkoci wzmacniacza. Wyko-
nujemy go bez obci¹¿enia, podczas wystero-
wania wzmacniacza ró¿nymi czêstotliwocia-
mi z ró¿n¹ amplitud¹. Oka¿e siê wtedy, jak
bardzo pobór pr¹du wzrasta wraz ze wzros-
tem czêstotliwoci i amplitudy wysterowania.
Taki pomiar sygna³em prostok¹tnym o du¿ej
amplitudzie i du¿ej czêstotliwoci mo¿e do-
prowadziæ nawet do uszkodzenia wzmacnia-
cza. W prezentowanym uk³adzie doprowadza
tylko do wy³¹czenia wzmacniacza przez sys-
tem zabezpieczeñ. Odpowiedzialne za ten
stan rzeczy s¹ du¿e pojemnoci wejciowe
tranzystorów MOSFET i ma³y pr¹d steruj¹cy.
Omówienia wymaga zastosowany uk³ad
bootstrapu. Nie jest to klasyczny uk³ad stoso-
wany we wzmacniaczach mocy w roli dyna-
micznego ród³a pr¹dowego.
Konfiguracja elementów R10, R11, R14,
R18, C2 tworzy pewnego rodzaju pompê ³a-
dunkow¹, dziêki której zasilanie wstêpnego
stopnia wzmacniacza jest wy¿sze od napiêcia
zasilania. Stopieñ podbicia tego napiêcia jest
zale¿ny g³ównie od rezystancji R14, R18
i czym mniejsza wartoæ tych rezystorów, tym
wiêksze podbicie. Nie nale¿y jednak przesa-
dzaæ, bo podczas dodatniej po³ówki sygna³u
napiêcie zasilania jest podbijane, ale niestety
podczas ujemnej jest w takim samym stopniu
obni¿ane. Rezystory te zosta³y dobrane do ty-
powych warunków pracy w zakresie napiêæ za-
silaj¹cych ±30-50V. Aby uk³ad bootstrapu
dzia³a³ efektywnie, nale¿y dla niskich napiêæ
zmniejszyæ wspomniane rezystory do 220Ω, a
przy napiêciach wysokich zwiêkszyæ do 330Ω.
Warto jeszcze wspomnieæ o elementach
sprzê¿enia zwrotnego, które s¹ takie same jak
typowa aplikacja TDA7294. Z tego wzglêdu
uk³ad odziedziczy³ cechy, ¿eby nie powie-
dzieæ wady tego rozwi¹zania. Jest to g³ów-
nie ma³e wzmocnienie napiêciowe i ma³a re-
zystancja wejciowa oraz doæ wysoko le¿¹ca
dolna czêstotliwoæ graniczna. Bez k³opotów
mo¿na sobie z tym poradziæ, zmniejszaj¹c
R25 do 330Ω otrzymujemy dwa razy wiêk-
sze wzmocnienie. Konieczne jest wtedy
zwiêkszenie pojemnoci C9, aby zachowaæ
lub obni¿yæ doln¹ czêstotliwoæ graniczn¹.
Warto powiêkszyæ te¿ C7 oraz C2. Zwiêksze-
nie rezystancji wejciowej rzadko jest ko-
nieczne. Ja tylko dodam, ¿e pierwsze prototy-
py prawid³owo pracowa³y na rezystancji wej-
ciowej i sprzê¿enia o wartoci 100kΩ.
Wspomnê jeszcze o uk³adzie szeregowej
cewki z rezystorem, stosowanej na wyjciu,
którego to uk³adu nie ma w tym wzmacnia-
czu. G³ównie dlatego, ¿e wzmacniacz pocz¹t-
kowo projektowany by³ do wspó³pracy z g³o-
nikiem niskotonowym w subwooferze, gdzie
nie jest on konieczny. Taka cewka zajmuje
sporo miejsca i w zasadzie nie jest konieczna.
Standardowy test na sygnale prostok¹tnym
z do³¹czonym równolegle kondensatorem
0,47-1µF do obci¹¿enia wykaza³ dobr¹ stabil-
noæ wzmacniacza.
Zasilacz
Dobór zasilacza do wzmacniacza mocy nie
powinien sprawiæ wiêkszego problemu. Po-
cz¹tkuj¹cym przypomnê tylko, ¿e moc wyj-
ciowa wzmacniacza jest zale¿na g³ównie od
napiêcia zasilania pod obci¹¿eniem. Dlatego
wysokie zasilanie wzmacniacza na s³abych
tranzystorach np. IRF530 spowoduje osi¹g-
niêcie du¿ej mocy np. 200W, jednak tylko
przez krótk¹ chwilê. Nie zalecam stosowania
oddzielnych bezpieczników na zasilanie do-
datnie i ujemne. W uk³adzie bez zabezpiecze-
nia DC uszkodzenie wzmacniacza przepala
jeden bezpiecznik, co powoduje pojawienie
siê napiêcia sta³ego na wyjciu i uszkodzenie
drogiego g³onika. Bezpiecznik po stronie
pierwotnej transformatora zasilaj¹cego jest
wystarczaj¹cy. Nie warto te¿ przep³acaæ za
transformator zasilaj¹cy. Ze wzglêdu na im-
pulsowy charakter sygna³u muzycznego oraz
redni¹ impedancjê kolumny g³onikowej
wiêksz¹ od znamionowej, moc transformatora
mo¿e byæ równa mocy wyjciowej wzmacnia-
cza. Taki s³abszy zasilacz charakteryzuje
siê wiêkszym przysiadaniem napiêcia pod ob-
ci¹¿eniem, co jednak nie wp³ywa niekorzyst-
nie na pracê wzmacniacza. A paradoksalnie
nawet zwiêksza jego moc muzyczn¹.
Ireneusz Powirski