Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET


Wyższa Szkoła Inżynierska

w Zielonej Górze

Wydział Elektryczny

Albert Górski

Tomasz Kamiński

Marek Biadacz

Grupa 24 E

Ćwiczenie nr 3

Ocena

LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI.

Temat : Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J-FET.

Data wykonania ćwiczenia: 11.04.96.

18.04.96

Data oddania sprawozdania: 25.04.96.

Sprawdził

Cel ćwiczenia.

Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z właśćiwościami wzmacniaczy na tranzystorach J-FET.

Opracowanie wyników.

1,Wyznaczenie charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza - WG

Schemat układu do wyznaczania charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza

f[Hz]

Ku[v/v]

20

0.7

100

0.81

200

0.81

1000

0.82

1500

0.88

3000

0.93

4000

1.1

5000

1.29

6000

1.5

7000

1.81

8000

2.13

9000

2.48

10000

2.79

15000

5.59

20000

5.78

0x01 graphic

Charakterystyka częstotliwościowa wzmacniacza - WG

2.Wyznaczenie wzmocnienia napięciowego Ku wzmacniacza WG .

Układ do pomiaru wzmocnienia napięciowego ku

Badanie wzmocnienia przeprowadzono przy częstotliwości fgen=1 kHz

Otrzymaliśmy wyniki :

Uwe=0,071 V

Uwy=0,218 V

ku=Uwy / Uwe =3,07 V

3.Wyznaczenie charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza - WG

Schemat układu do wyznaczania charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza

f[Hz]

Ku[v/v]

20

0.063

100

0.196

200

0.235

1000

0.3

1500

0.3

3000

0.3

4000

0.3

5000

0.296

6000

0.296

7000

0.287

8000

0.277

9000

0.264

10000

0.25

15000

0.145

20000

0.145

0x01 graphic

Charakterystyka częstotliwościowa wzmacniacza - WG

4.Wyznaczenie rezystancji wejściowej i wyjściowej wzmacniacza WG

Badanie rezystancji przeprowadzono przy częstotliwości fgen=1 kHz

W wyniku pomiarów otrzymaliśmy następujące wartości:

Rwe=686 W

Rwy=2050 W



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Badanie wzmacniaczy na tranzystrze bipolarnym
Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET1
Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET2
Badanie wzmacniacz na tr unipolarnym 5
wzmacniaczy na tranzystrze bipolarnym
dokumentajca, Wzmacniacz na tranzystorach HEXFET o mocy 400W/4W ; 200W/8W Sinus z opóźnionym włączan
Wzmacniacz na tranzystorze unipolarnym doc
Porównanie własności pojedynczych stopni wzmacniacza na tranzystorach bipolarnych
wzmacniacz na tranzystorze polowym tabelki
sprawozdanie wzmacniacz na tranzystorze polowym ćw5 elektronika
Badanie wzmacniacza szerokopasmowego, Ćwiczenie nr 23: -Badanie tranzystora bipolarnego -
Badanie wzmacniaczy tranzystorowych
Badanie wzmacniaczy tranzystoro Nieznany (2)
Badanie wzmacniacza tranzystorowego w układzie OE, ZSE nr
Wzmacniacz w ukladzie ze wspolnym zrodlem na tranzystorze unipolarnym
Badanie wzmacniaczy tranzystorowych w układzie OE, OB,OC
Badanie wzmacniacza tranzystorowego, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu
cw 2 badanie wzmacniaczy tranzystorowych w konfiguracjach OB,OE,OC
,elementy i układy elektroniczne I P, WZMACNIACZ TRANZYSTOROWY OPARTY NA TRANZYSTORZE?847B

więcej podobnych podstron