Wzmacniacz w ukladzie ze wspolnym zrodlem na tranzystorze unipolarnym


Politechnika

Wrocławska

SKŁAD GRUPY

Rok studiów

Grupa

Studia dzienne

Semestr

Rok akad.

Laboratorium Elektroniki Układowej

Grupa

laborat.

Numer

ćwiczenia

Temat

Badanie jednostopniowego wzmacniacza w układzie ze wspólnym źródłem na tranzystorze

Ocena

Data wykon.

Ćwiczenia

unipolarnym.

1. Schemat ideowy wzmacniacza.

Parametry elementów użytych do modelowania wzmacniacza:

RG = 3,3 MΩ

RD = 1,6 kΩ

RS = 1,2 kΩ

R0= 10 kΩ

CWE = 10 μF

CWY = 4,7 μF

CS = 22 μF

Zadane parametry wzmacniacza.

kU = 3

R0 = 10 kW

fgdd = 100 kHz

RWE = >1 MΩ

UGSoff = -5 V

2. Wyznaczenie charakterystyki UWY = f(UWE) dla f = 10kHz.

Pomiary wykonywane były woltomierzami, mierzone było napięcie wejściowe oraz wyjściowe wzmacniacza.

2.1. Tabela wyników pomiarów.

Lp

Uwe

Uwy

ku

V

V

-

1

0,099

0,3

3,03

2

0,145

0,45

3,10

3

0,192

0,6

3,13

4

0,235

0,73

3,11

5

0,29

0,9

3,10

6

0,336

1,03

3,07

7

0,375

1,15

3,07

8

0,401

1,22

3,04

9

0,435

1,32

3,03

10

0,506

1,51

2,98

11

0,574

1,66

2,82

12

0,609

1,77

2,91

13

0,687

1,93

2,81

14

0,81

2,14

2,64

15

0,931

2,3

2,47

16

1,053

2,42

2,30

17

1,281

2,61

2,04

2.1. Przykładowe obliczenia:

2.3. Wykres zależności Uwy = f(Uwe).

Seria 1 Uwy = f(UwE)

Seria 2 kU = f(UwE)

3. Wyznaczenie charakterystyki częstotliwościowej.

Pomiaru napięcia wyjściowego dokonywaliśmy oscyloskopem przy stałym napięciu wejściowym. Jako współczynnik kU odniesienia przyjmowaliśmy kU dla częstotliwości f = 10 kHz.

3.1. Tabela wyników pomiarów.

Uwyod = 0,355 V

Lp

wskazanieUwy pp

Cu

Uwy

f

ku|kuodn

dz.

V/dz.

V

Hz

-

1

2

0,5

0,35

10

1,00

2

4,1

0,5

0,72

20

2,04

3

5

0,5

0,88

30

2,49

4

5,6

0,5

0,99

40

2,79

5

5,8

0,5

1,03

50

2,89

6

5,9

0,5

1,04

60

2,94

7

6

0,5

1,06

70

2,99

8

6,1

0,5

1,08

200

3,04

9

6,4

0,5

1,13

400

3,19

10

6,5

0,5

1,15

1000

3,24

11

6,45

0,5

1,14

10000

3,21

12

6,4

0,5

1,13

100000

3,19

13

6,1

0,5

1,08

300000

3,04

14

5,9

0,5

1,04

400000

2,94

15

5,6

0,5

0,99

500000

2,79

16

5,3

0,5

0,94

600000

2,64

17

5

0,5

0,88

700000

2,49

18

4,7

0,5

0,83

800000

2,34

19

4,4

0,5

0,78

900000

2,19

20

4,20

0,5

0,74

1000000

2,09

3.2.Wykres zależności ku=f(f)-charakterystyka częstotliwościowa wzmacniacza.

3.3. Przykładowe obliczenia.

4. Wyznaczenie rezystancji wejściowej i wyjściowej wzmacniacza.

4.1. Wyznaczenie rezystancji wejściowej.

Przy pomiarze rezystancji wejściowej dokonywaliśmy pomiaru napięcia wyjściowego raz bez rezystora dodatkowego Rd drugi raz z rezystorem dodatkowym.

4.1.1. Tabela wyników pomiarów.

f [kHz]

1

5

20

Uwe bez R [V]

1,12

1,17

1,59

Uwe z Rd [V]

0,64

0,41

0,39

Rwe [kΩ]

615

1520

2523,08

4.1.2. Wyznaczona charakterystyka Rwe = f(f).

4.1.3. Przykładowe obliczenia.

4.2. Wyznaczenie rezystancji wyjściowej.

Przy pomiarze rezystancji wyjściowej dokonywaliśmy pomiaru napięcia wyjściowego raz bez obciążenia rezystorem R0 drugi raz z obciążeniem.

4.2.1. Tabela wyników pomiarów.

f [kHz]

1

5

20

Uwy bez R0 [V]

1,59

1,17

1,12

Uwy z R0 [V]

1,35

1,01

0,97

Rwy [kΩ]

56,25

63,125

64,6667

4.2.2. Wyznaczona charakterystyka Rwy = f(f).

4.2.3. Przykładowe obliczenia.

5. Pomiar zniekształceń nieliniowych.

5.1. Tabela wyników pomiarów.

δ generatora = 1,3%

Lp.

Uwe

δ

V

%

1

0,195

2,8

2

0,282

5,6

3

0,564

12

4

0,765

17,3

5

3,084

47

5.2. Przykładowe oscylogramy.

5.3.Charakterystyka.

Wnioski i spostrzeżenia

Badany przez nas jednostopniowego wzmacniacz w układzie ze wspólnym źródłem na tranzystorze unipolarnym charakteryzuje się następującymi cechami i właściwościami:



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Wzmacniacz na tranzystorze unipolarnym doc
Badanie wzmacniacz na tr unipolarnym 5
wzmacniaczy na tranzystrze bipolarnym
dokumentajca, Wzmacniacz na tranzystorach HEXFET o mocy 400W/4W ; 200W/8W Sinus z opóźnionym włączan
Wycofanie majątku ze spółki jawnej na cele osobiste wspólników, Gazeta Podatkowa
Badanie wzmacniaczy na tranzystrze bipolarnym
Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET
,elementy i układy elektroniczne I P, WZMACNIACZ TRANZYSTOROWY OPARTY NA TRANZYSTORZE?847B
Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET1
Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera doc
Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET2
Porównanie własności pojedynczych stopni wzmacniacza na tranzystorach bipolarnych
wzmacniacz na tranzystorze polowym tabelki
sprawozdanie wzmacniacz na tranzystorze polowym ćw5 elektronika
Ochrona interesów handlowych Wspólnoty Europejskiej na rynkach krajów
Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Wpływ zmian związanych ze starzeniem się na
r f3 bfnice+w+zarz b9dzaniu+w+firmach+ze+wzgl eadu+na+ich+wielko 9c e6 AZE4PCMNH3GOV3ZKXWLDDO7A7NQNE
Etyka funkcjonariusza publicznego(ze szczeg�lnym nastawieniem na kuratora s

więcej podobnych podstron