tranz bipolarny1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów


Tranzystor bipolarny w jego działaniu odgrywają zasadniczą rolę oba rodzaje nośników (dziury i elek)

-stopowe-(mało) równomierny rozkład domieszek w bazie.Duża wartość napięcia przebicia(bezdryftowe)

-epiplenarne (2-krotna dyfuzja)-nierównomierny rozkład doomieszek wbazie (dryftowe). Dla działania

tranzystora najważniejszy jest transport nośników w

bazie.W dryftowych - transport unoszeniowy w bezdryftowych tylko transport dyfuzyjny

Zasada działania Elektrony są wstrzykiwane z E do B pod wpływem UBE (w kier.przewo.). Z B elektrony przesuwają się do C (pod wpływem wbudowanego pola elektryczn znajduj. się w B tran.dryfto. lub dyfuzji w tran. bezdryf),przy czym część rekombinuje z dziurami w B tworząc prąd B a reszta jest odbierana przez silne pole elektr. w wars. zaporowej złącza C-B tworząc prąd C.

IE=IB+IC IB=IrB + IrEB+IP -ICB0 Ic=αnIE+ICBO

Rozkład koncentracji nośników nadmiar. w bazie

1) tylko unoszenie- stała koncentracja w całej bazie

2) tylko dyfuzja-rozkład nośni. nadmiar. jest liniowy

W tranzystorze dryftowym prąd emitera jest a razy większy. JN /dryf = aJN /dyfuz

Współczynnik wzmocnienia αn=α e α b

- αe rośnie gdy UEB rośnie czyli gdy IE rośnie

-αb ma większą wartość w tranzy. dryftowych a maleje dla dużych prądów IE .

Modele nieliniowe statyczne Praca nieli. statyczna-

związki między U a I stałymi na końcówkach tranz.

Dla aktywnego bez αI IdC ,dla inwersyj. αN IdE

IE = IES (expUEB/ϕT -1) - αI ICS (expUCB/ϕT -1)

IC = -ICS (expUCB/ϕT -1) - αN IES (expUEB/ϕT -1)

αI - współcz. wzmocnienia inwersyjnego

αN-współczynnik wzmocnienia normalnego

αNI ES= αIICS Dwa modele E. Molla:

a) inikcyjny - zmienne niezależne to prądy wstrzykiwane przez emiter i kolektor

b) transportowy- zmiennymi niezależnymi są prądy zbierane przez C i E

Aby zwiększyć dokładność modelu E.Molla należy uwzględnić rezystancje szeregową E , C i B.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
tranz bipolarny4, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
dioda laserowa, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
WARYSTOR, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
MIS, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
wpływ temp na złącze P-N, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
fotorezystor, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gran, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gran, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
IZOLACJA, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
MISFET1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
wytwarzanie warst domieszkowych, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
HALLOTRONY, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
PNFET2, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gra2, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
PNFET1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Układy scalone warstwowe, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Fotoogniwo, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
fototranzystory, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów

więcej podobnych podstron