Tranzystor bipolarny w jego działaniu odgrywają zasadniczą rolę oba rodzaje nośników (dziury i elek)
-stopowe-(mało) równomierny rozkład domieszek w bazie.Duża wartość napięcia przebicia(bezdryftowe)
-epiplenarne (2-krotna dyfuzja)-nierównomierny rozkład doomieszek wbazie (dryftowe). Dla działania
tranzystora najważniejszy jest transport nośników w
bazie.W dryftowych - transport unoszeniowy w bezdryftowych tylko transport dyfuzyjny
Zasada działania Elektrony są wstrzykiwane z E do B pod wpływem UBE (w kier.przewo.). Z B elektrony przesuwają się do C (pod wpływem wbudowanego pola elektryczn znajduj. się w B tran.dryfto. lub dyfuzji w tran. bezdryf),przy czym część rekombinuje z dziurami w B tworząc prąd B a reszta jest odbierana przez silne pole elektr. w wars. zaporowej złącza C-B tworząc prąd C.
IE=IB+IC IB=IrB + IrEB+IP -ICB0 Ic=αnIE+ICBO
Rozkład koncentracji nośników nadmiar. w bazie
1) tylko unoszenie- stała koncentracja w całej bazie
2) tylko dyfuzja-rozkład nośni. nadmiar. jest liniowy
W tranzystorze dryftowym prąd emitera jest a razy większy. JN /dryf = aJN /dyfuz
Współczynnik wzmocnienia αn=α e α b
- αe rośnie gdy UEB rośnie czyli gdy IE rośnie
-αb ma większą wartość w tranzy. dryftowych a maleje dla dużych prądów IE .
Modele nieliniowe statyczne Praca nieli. statyczna-
związki między U a I stałymi na końcówkach tranz.
Dla aktywnego bez αI IdC ,dla inwersyj. αN IdE
IE = IES (expUEB/ϕT -1) - αI ICS (expUCB/ϕT -1)
IC = -ICS (expUCB/ϕT -1) - αN IES (expUEB/ϕT -1)
αI - współcz. wzmocnienia inwersyjnego
αN-współczynnik wzmocnienia normalnego
αNI ES= αIICS Dwa modele E. Molla:
a) inikcyjny - zmienne niezależne to prądy wstrzykiwane przez emiter i kolektor
b) transportowy- zmiennymi niezależnymi są prądy zbierane przez C i E
Aby zwiększyć dokładność modelu E.Molla należy uwzględnić rezystancje szeregową E , C i B.