wpływ temp na złącze P-N, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów


Wpływ temperatury na złącze P-N

Przyrządy półprzewodnikowe mogą pracować

W zakresie tzw. średnich temp w których prawie wszystkie atomy domieszek są zjonizowane a generacja jest jeszcze mało prawdopodobna.

Zakres zaporowy

W tym zakresie przez złącze płynie prąd JR =JS +Jg przy czym w Ge przeważa JS w Si przeważa Jg.

Js~exp(-Wg/kT) Ge Jg~ exp(-Wg/2kT) dla Si

1/Js dJs/dT = Wg/kT2 Ge 1/Jg dJg/dT = Wg/2kT2

Współczynnik temp prądu wstecznego wynosi ok.:

9% dla Ge 7% dla Si

Można przyjąć że dla obu złączy prąd wsteczny zwiększa się dwukrotnie przy wzroście temp o 10`C

Zakres przebicia

Tu zmiany napięcia w funkcji temperatury można zapisać w postaci zależności liniowej

Up=Up(0)[1+ β(T-T0)] β-temp współcz przebicia

β<0 dla Zenera β>0 dla lawinowego

a)Przebicie Zenera

wzrost T

-zmniejszenie szerokości pasma zabronionego

-zmniejszenie szerokości warstwy zaporowej

-wzrost prądu Zenera przy stałym napięciu lub zmniejszenie napięcia przy stałym prądzie

b) Przebicie Lawinowe

wzrost T

-wzrost amplitudy drgań atomów

-wzrost prawdopodobieństwa zderzeń

-mniejsza droga swobodna nośników

-mniejsza wartość energii kinet nośników

-zmniejszenie prawdopodobieństwa jonizacji zderzeniowej

-zmniejszenie prądu przy stałym napięciu lub wzrost napięcia przy stałym prądzie

Kierunek przewodzenia

J=JR [exp qU/mkT -1]

Temp współczynnik prądu przewodzenia przy stałym napięciu U wynosi:

1/J dJ/dTU = 1/ JR dJR/dT - qU/mkT

1/J dJ/dTU =(Wg-qU)/ 2kT2 Si małe prądy

1/J dJ/dTU =(Wg-qU)/ kT2 Ge i (Si praca normal)

Współczynnik temperaturowy prądu przewodzenia wynosi 8% dla typowych warunków pracy złączy w temp. 300K

U=0.3V dla Ge , U=0.3V dla Si małe prądy

U=0.7V dla Si normalna praca



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
dioda laserowa, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
WARYSTOR, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
MIS, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
tranz bipolarny1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
fotorezystor, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gran, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gran, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
IZOLACJA, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
MISFET1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
wytwarzanie warst domieszkowych, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
HALLOTRONY, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
PNFET2, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gra2, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
PNFET1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
tranz bipolarny4, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Układy scalone warstwowe, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Fotoogniwo, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
fototranzystory, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów

więcej podobnych podstron