MIS, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów


Idealna struktura MIS przyjmuje się że bez polaryzacji zewnętrznej zarówno w elektrodzie metalowej jak również w warstwie dielektryka i w podłożu półprzewodnikowym nie ma żadnych nieskompensowanych ładunków elektrycznych.

Izolator idealny.

Dla bardziej złożonych rozważań wprowadzamy model pasmowy.Nowe pojęcia to praca wyjścia z metalu i półprze.(qΦm ,qΦs).Praca wyjścia jest to bariera jaką muszą pokonać elektrony aby oddalić się na nieskoń. odległość. W struk. idealnej Φm=Φs bo inaczej nastąpił by przepływ elekt. z materiału o mniejszej pracy wyjścia.Najbardziej istotną cecha modelu pasmowego MIS-a jest zaginanie krawędzi

pasm energetycznych.

-Akumulacja (Ug<0) pasma energet. zaginają się przy powierzchni półprze. dogóry co odpowiada zwiększeniu koncent. nośnik większościowych (w `p' dziur) i zmniejsz. koncentr. nośnik. mniejszość. w obszarze przy powierzchn. półprz. Powstaje cienka warstwa akumulacyjna

-Zubożenie (Ug>0) pasma zagięte do do dołu

-Inwersja jeszcze bardziej do dołu

-Silna inwersja - gdy koncentracja nośników mniej. przy powierzchni zrówna się z koncent.nośników większościoowych w głębi półprzewodnika.

Charakterystyka pojemn-napięciowa MIS-a

Idealny kondensator MOS tostruktura w której:

-warst SIO2 jest jednor. io niesk rezystywn.

-nie ma nieskomp. ład. w SIO2 ani w obsz. graniczn.

Pojemność kondens. MOS można przedstawić jako szeregowe połączenie poj. warstwy dielektrycznej Co i pojemn. obszaru przypowierz. SI Cs (Cs zależy od napięcia bramki)

W obszarze akumulacji oraz inwersji o pojemności struktury decyduje Co.Gdy powstaje obszar zubożony to zaczyna mieć wpływ Cs.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
dioda laserowa, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
WARYSTOR, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
wpływ temp na złącze P-N, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
tranz bipolarny1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
fotorezystor, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gran, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gran, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
IZOLACJA, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
MISFET1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
wytwarzanie warst domieszkowych, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
HALLOTRONY, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
PNFET2, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gra2, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
PNFET1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
tranz bipolarny4, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Układy scalone warstwowe, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Fotoogniwo, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
fototranzystory, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów

więcej podobnych podstron