Idealna struktura MIS przyjmuje się że bez polaryzacji zewnętrznej zarówno w elektrodzie metalowej jak również w warstwie dielektryka i w podłożu półprzewodnikowym nie ma żadnych nieskompensowanych ładunków elektrycznych.
Izolator idealny.
Dla bardziej złożonych rozważań wprowadzamy model pasmowy.Nowe pojęcia to praca wyjścia z metalu i półprze.(qΦm ,qΦs).Praca wyjścia jest to bariera jaką muszą pokonać elektrony aby oddalić się na nieskoń. odległość. W struk. idealnej Φm=Φs bo inaczej nastąpił by przepływ elekt. z materiału o mniejszej pracy wyjścia.Najbardziej istotną cecha modelu pasmowego MIS-a jest zaginanie krawędzi
pasm energetycznych.
-Akumulacja (Ug<0) pasma energet. zaginają się przy powierzchni półprze. dogóry co odpowiada zwiększeniu koncent. nośnik większościowych (w `p' dziur) i zmniejsz. koncentr. nośnik. mniejszość. w obszarze przy powierzchn. półprz. Powstaje cienka warstwa akumulacyjna
-Zubożenie (Ug>0) pasma zagięte do do dołu
-Inwersja jeszcze bardziej do dołu
-Silna inwersja - gdy koncentracja nośników mniej. przy powierzchni zrówna się z koncent.nośników większościoowych w głębi półprzewodnika.
Charakterystyka pojemn-napięciowa MIS-a
Idealny kondensator MOS tostruktura w której:
-warst SIO2 jest jednor. io niesk rezystywn.
-nie ma nieskomp. ład. w SIO2 ani w obsz. graniczn.
Pojemność kondens. MOS można przedstawić jako szeregowe połączenie poj. warstwy dielektrycznej Co i pojemn. obszaru przypowierz. SI Cs (Cs zależy od napięcia bramki)
W obszarze akumulacji oraz inwersji o pojemności struktury decyduje Co.Gdy powstaje obszar zubożony to zaczyna mieć wpływ Cs.