Układy scalone warstwowe, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów


Układy scalone warstwowe

I) Cienkowarstwowe - są wytwarzane metodami nanoszenia w próżni cienkich warstw przewodzących, rezystancyjnych i dielektrycznych na bierne podłoże izolacyjne. W ten sposób otrzymuje się wysokiej jakości rezystory i kondensatory natomiast tranzystory i diody są wytwarzane oddzielnie i są dolutowywane

Procesy technologiczne

Podstawowym procesem w technologii cienkowarstwowej jest nanoszenie warstw w próżni. Stosuje się głównie dwie metody:

-naparowywanie cieplne

-rozpylanie katodowe.

Podłoże Materiały które tworzą podłoże muszą mieć -dobre właściwości izolacyjne

-dobrą gładkość powierzchni

-dobre przewodnictwo cieplne

Warstwy przewodzące - łączą elementy, tworzą okładki kondensatorów itp. Muszą mieć

-dużą przewodność

-dobrą przyczepność do podłoża

Rezystory - wytwarzane przez nanoszenie na podłoże cienkich warstw metalicznych lub mieszanin metali i dielektryka. Najczęściej stosuje się nichrom. Możliwa jest korekcja rezystancji po naniesieniu warstwy rezystancyjnej na podłoże. (tego nie ma w układach scalonych półprzewodnikowych)

Kondensatory- naniesienie na podłoże kolejnych warstw: metalicznej i dielektrycznej i metalicznej. Warstwy metaliczne to złoto. Dielektryk to SIOX

II) Grubowarstwowe- są wytwarzane przez nanoszenie metodą sitodruku warstw przewodzących, rezystancyjnych i dielektrycznych na bierne podłoże izolacyjne. Otrzymuje się dobrej jakości rezystory i kondensatory ale tranzystory i diody trzeba wykonać w osobnym procesie i montować indywidualnie.

Proces technologiczny- Podstawowym procesem jest nanoszenie warstw grubych na podłoże ceramiczne metodą sitodruku. W układach grubowarstwowych nie można stosować podłoży szklanych. Dlatego stosuje się podłoże ceramiczne.

Kondensatory- nanoszone kolejne warstwy:

przewodząca, dielektryczna, przewodząca



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
dioda laserowa, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
WARYSTOR, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
MIS, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
wpływ temp na złącze P-N, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
tranz bipolarny1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
fotorezystor, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gran, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gran, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
IZOLACJA, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
MISFET1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
wytwarzanie warst domieszkowych, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
HALLOTRONY, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
PNFET2, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gra2, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
PNFET1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
tranz bipolarny4, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Fotoogniwo, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
fototranzystory, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów

więcej podobnych podstron