Elementy półprzewodnikowe


  1. Wstęp teoretyczny

Diodą półprzewodnikową nazywamy spolaryzowane złącze p-n mające zdolność jednokierunkowego przewodzenia prądu. Diody takie stosowane są do prostowania prądu zmiennego i noszą nazwę diod prostowniczych. Diody prostownicze pracują w dwóch kierunkach kierunku zaporowym i kierunku przewodzenia. Istnieją jednak diody np. dioda Zenera, w których wykorzystywany jest tylko jeden kierunek przewodzenia. W przypadku diody Zenera jest to część zaporowa charakterystyki diody.

  1. Opracowanie ćwiczenia

Podczas ćwiczenia przeprowadzono badanie diod dla dwóch kierunków przewodzenia (zaporowym i przewodzenia)

Odnotowując spadki napięcia na rezystorze, mając dane napięcie zasilania i wartość oporu można obliczyć wartość spadku napięcia na diodzie, jak również prąd płynący w obwodzie. Dane te pozwalają skonstruować charakterystyki prądowo - napięciowe diody.

Spadki napięć na diodach liczono wg wzoru:

Udiody= U - Urezyst. [V]

Korzystając z prawa Ohma obliczono wartości prądów płynących w obwodach:

0x08 graphic
Obliczono wartość rezystancji dynamicznej korzystając ze wzoru:

0x08 graphic

Układ dla badania diod w kierunku przewodzenia:

0x08 graphic

0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic

Układ dla badania diod w kierunku zaporowym:

0x08 graphic

0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic

  1. Dioda Si

Dla kierunku przewodzenia R=10 [kΩ]

Dla kierunku zaporowego R=100 [Ω]

ΔU=0,65-0,54=0,11[V]

ΔI=12,9-2=10,9[mA]

0x08 graphic

  1. Dioda Ge

Dla kierunku przewodzenia R=10 [kΩ]

Dla kierunku zaporowego R=100 [Ω]

ΔU=0,24-0,18=0,6[V]

ΔI=14,6-4,4=10,2[mA]

0x08 graphic

  1. Dioda Zenera

Dla kierunku zaporowego R=100 [Ω]

W ćwiczeniu dokonano pomiaru dwóch diod Zenera:

Powyższe wartości określają napięcie pracy diod Zenera.

Dla danych wartości napięć i znanego oporu można wyznaczyć lub odczytać z wykresu wartość prądu pracy.

Dla diody 5,6 [V] wartość prądu odczytana z wykresu wynosi

IP=4×10-4 [A]

Dla diody 4,3 [V] wartość prądu odczytana z wykresu wynosi

IP=7×10-5 [A]

  1. Wnioski

Dla diod

nie można przedstawić pełnego obrazu charakterystyki dla kierunku zaporowego.

Dla powyższych diod kształt charakterystyki dla kierunku zaporowego jest zbliżony i ma charakter prostoliniowy - przedstawione jest to na wykresie zbiorczym. Wahania wartości prądu dla kierunku zaporowego są nieznaczne pomiędzy diodą Si - I=9×10-9 [A] , a diodą Shotky'ego I=6×10-9 [A], natomiast dla diody Ge wartości prądu znacznie odbiegają od poprzednich I=7,4×10-4 [A]

Dla kierunku przewodzenia charakterystyki diod są podobne.

Wartości rezystancji dynamicznej obliczonej dla poszczególnych diod są różne. Największą wartość Rd ma dioda Shotky'ego Rd=9,72Ω, dioda krzemowa Rd=3,96Ω,

dioda germanowa Rd=2,62Ω. Wartość rezystancji dynamicznej określa szerokość prostoliniowej charakterystyki pracy w kierunku przewodzenia.

Badanie diod Zenera pozwoliło na wykreślenie charakterystyki pracy diod dla kierunku zaporowego.

Charakterystyka diody 4,3 [V] jest bliska idealnej charakterystyce diody Zenera. Poszczególne piki widoczne na wykresie mogą być powodem złego odczytu wartości, lub niedokładnym pomiarem.

Natomiast charakterystyka diody 5,6 [V] jest całkowicie różna od charakterystyki idealnej.

Z obydwu wykresów można odczytać wartości prądu pracy dla danego napięcia.

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

Udiody

UR

R

UR

R

Udiody



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Tyrystor jest elementem półprzewodnikowym składającym się z 4 warstw w układzie 1, ELEKTRONIKA, Elek
System oznaczeń elementów półprzewodnikowych, Elektronika, Różne
Elementy półprzewodnikowe 2
Elementy Półprzewodnikowe2222222222222222222222222
Elementy Półprzewodnikowemurzyn4167dodruku
System oznaczeń elementów półprzewodnikowych
ćw03 Elementy półprzewodnikowe - WYKRESY, Szkoła, penek, Przedmioty, Elektronika, Laborki
Tyrystor jest elementem półprzewodnikowym składającym się z 4 warstw w układzie p, ELEKTRONIKA, Elek
ćw03 Elementy półprzewodnikowe, Szkoła, penek, Przedmioty, Elektronika, Laborki
Elementy półprzewodnikowe
73 Nw 05 Elementy polprzewodnikowe
ćw03 Elementy półprzewodnikowe KUBA, Szkoła, penek, Przedmioty, Elektronika, Laborki
Omówić rodzaje modeli elementów półprzewodnikowych
Elementy Polprzewodnikowe F6YF4DWKMV65CRY4MQSYLKNFAC3J56GK3CQB6OI F6YF4DWKMV65CRY4MQSYLKNFAC3J56GK3C
Laboratorium z elementow polprzewodnikowych instrukcje
Laborka nr 6 elementy półprzewodnikowe
EEBezzlaczowe elementy polprzewodnikowe
Badanie elementów półprzewodnikowych
Wyjaśnić zasadę tworzenia modelu małosygnałowego elementów półprzewodnikowych
E14.1, dioda teoria, Dioda jest elementem półprzewodnikowym i aby wyjaśnić jej działanie musiałbyś p

więcej podobnych podstron