Laborka nr 6 elementy półprzewodnikowe

background image

ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE

LABORATORIUM


Paweł
Stanisław
GR. 2; 17.12.2011

Tak to było zaliczone

Ćwiczenie 6
Właściwości małosygnałowe tranzystora bipolarnego

1. Pomiar zależności

W celu wyznaczenia zależności

badaliśmy zmiany napięcia

w funkcji

częstotliwości .
W czasie badania wartości elementów obwodu, oraz napięć zasilania były niezmienne
jedynym parametrem który zmienialiśmy była częstotliwość generatora , częstotliwość ta
była zmieniana w zakresie od 100Hz do 5MHz.
Na podstawie odczytanych wartości napięć

znając wartość napięcia generatora

oraz wartości elementów R

3

=3,9kΩ oraz R

1

=10Ω obliczyliśmy wartości

h

21e

korzystając ze wzoru

np. dla częstotliwości f=50kHz u

ce

– wynosiło 1,08V

250,71

Dla wyznaczenia częstotliwości charakterystycznej h

β,

jako punkt odniesienia przyjęto

h

21e

dla f=1kHz ponieważ jest to częstotliwość środkowa odcinka charakterystyki dla

której parametr h

21e

w znacznym stopniu nie zmienia się.

Przy wyznaczaniu parametru h

β

korzystamy z zależności |h

21e

(f)| = |h

21e

(f

β

)|∙

po

przekształceniu |h

21

(f

β

)| =

Obliczenia :

R

1

= 10Ω, R

3

= 3900Ω,

dla f=1kHz U

ce

=1,32V ; U

g

=1,68V

h

21e

dla fβ

=

=

Do wyznaczenia częstotliwości f

T

wybieramy częstotliwość z części środkowej

charakterystyki z zakresu opadania np. f

p

=200 kHz

dla tej częstotliwości U

ce

=0,5V ; U

g

=1,68V


background image

Tak to było

Czas przelotu mniejszościowych nośników nadmiarowych nadmiarowych przez bazę

tranzystora t

t

N

obliczamy korzystając ze wzoru



2.
Wartość rezystancji wejściowej obliczamy ze wzoru:

potencjał termiczny U

T

26mV

Parametr h

11e

wyznaczajmy ze wzoru:


korzystając ze wzoru


obliczamy rezystancję rozproszoną



3. Wartość konduktancji wyjściowej g

ce

obliczmy korzystając ze wzoru :

Podstawiając wyniki pomiarów z zadania laboratoryjnego nr 4 otrzymujemy

4. Wartość pojemności C

bc

obliczamy korzystając ze wzoru:

Podstawiając wyniki pomiarów z zadania laboratoryjnego nr 5 otrzymujemy

Wartość pojemności C

e

obliczamy korzystając ze wzoru:

30,717[nF]




Tak to było

background image

5. Wartość wzmocnienia napięciowego obliczamy według wzoru :

Podstawiając wyniki pomiarów napięć z zadania laboratoryjnego nr 3 otrzymujemy;


Podstawiając wyniki obliczeń z poprzednich zadań :


G2=1/R

2

=1/100 =1 [mS];

transkonduktancję g

m

obliczamy ze wzoru :










Tak to było










Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
ćw03 Elementy półprzewodnikowe - WYKRESY, Szkoła, penek, Przedmioty, Elektronika, Laborki
ćw03 Elementy półprzewodnikowe, Szkoła, penek, Przedmioty, Elektronika, Laborki
ćw03 Elementy półprzewodnikowe KUBA, Szkoła, penek, Przedmioty, Elektronika, Laborki
Tyrystor jest elementem półprzewodnikowym składającym się z 4 warstw w układzie 1, ELEKTRONIKA, Elek
laborka nr 5, sgsp, Fizykochemia
Laborka nr 1 (2)
Laborka nr 10, 2
CWI59H, Laborka nr 1 z fizyki - badanie propagacji mikrofal
System oznaczeń elementów półprzewodnikowych, Elektronika, Różne
Laborka nr 1, Budownictwo, Konstrukcje metalowe, Laborki
Laborka nr 1 z diod EPP
Elementy półprzewodnikowe 2
Elementy Półprzewodnikowe2222222222222222222222222
Elementy Półprzewodnikowemurzyn4167dodruku
System oznaczeń elementów półprzewodnikowych
laborka nr 8
Lista nr 1 elementarne obliczenia bilansowe v2, PWR, semestr I, OPB
Laborka nr 2 z epp dioda zenera

więcej podobnych podstron