Pytanie 26 MOSFET

Tranzystor MOSFET mocy, odmiennie niż tranzystor bipolarny mocy, jest elementem z nośnikami większościowymi (elektronami) i jest sterowany napięciem doprowadzonym do elektrody sterującej (bramki), izolowanej od struktury głównej elementu. Pole elektryczne wytwarzane przez dodatnie napięcie bramki pobudza przepływ elektronów między warstwą n⁺ źródła a warstwą n^- drenu. Współczesny tranzystor polowy jest konstrukcją monolityczną wykonaną w technice scalonej, składającą się z wielkiej liczby (do ponad 1000) pojedynczych elementów połączonych równolegle. Bramka jest całkowicie izolowana elektrycznie przez warstwę dwutlenku krzemu (SiO₂) o dużej rezystancji (rzędu 10⁹ W) tak, że przy wysterowaniu prąd w jej obwodzie nie płynie, jeżeli oczywiście pominąć prąd przeładowania pojemności między elektrodami. Dzięki temu sterowanie tego elementu wymaga niewielkiej mocy. Przełączanie tranzystora polowego zarówno w stan przewodzenia, jak i w stan blokowania odbywa się przy bardzo małych stratach w porównaniu z innymi elementami. Straty wydzielane w tranzystorze polowym w procesie przełączania są pomijalnie małe w stosunku do strat w stanie jego przewodzenia

Proces włączania i wyłączania tranzystora polowego przebiega znacznie szybciej niż we wszystkich pozostałych elementach. Dlatego też zakres częstotliwości przełączeń dla tych elementów wynosi ponad 1 MHz.

Zastosowanie

układy zasilania komputerów z bateryjnym zasilaniem

---