1. Omów model małosygnałowy złącza idealnego

Mały przyrost prądu I_a diody opisanej wzorem i_A=f(u_AB) wokół punktu pracy o współrzędnych (I₀; U₀) jest równy różniczce funkcji opisującej zależność i od u:

gdzie przewodność dyfuzyjna:

Rezystancja dyfuzyjna (dla małych sygnałów przyrostowa, dynamiczna)

Dla kierunku przewodzenia można w liczniku pominąć I_S wobec prądu polaryzującego. Dla polaryzacji zaporowej, gdy i = -I_S rezystancja różniczkowa jest nieskończenie duża.

Dla małych amplitud sygnałów harmonicznych m.cz. można zapisać dla złącza idealnego:

Schemat zastępczy dla modelu małosygnałowego m.cz. to rezystor, którego wartość rezystancji zależy od punktu pracy (składowej stałej).

Dla dużych częstotliwości należy uwzględnić elementy inercyjne (pojemność dyfuzyjną i bariery):

Y= g_d + jω (C_d + C_j)

I_t= I_a + I_dj = Y * U_ab

|I_t| = [ g_d² + ω² ( C_d + C_j)²]^1/2 * U_ab

---