POLITECHNIKA ŚLĄSKA

WYDZ. ELEKTRYCZNY

Sem. 4 mgr

LABORATORIUM ELEKTRONIKI.

Tranzystor polowy

Sekcja.1

Rothkegel Paweł

Sitkiewicz Rafał

Sobol Adam

Wawrzyczny Robert

1. Cel ćwiczenia.

Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z tranzystorem polowym MOSFET z kanałem wzbogaconym typu p.

2. Schemat układu pomiarowego.

-

A

D

- G V

0 - 15 V V 5 M S

+ +

3. Schemat zastępczy tranzystora polowego.

G i_d D

Ugs Ugs* g_m ∼ g_DS U_DS

S

4. Wnioski.

Przy obliczaniu parametrów dynamicznych można zauważyć , że wraz ze wzrostem napięcia dren - źródło wzrasta nieznacznie transkonduktancja. Konduktancja wyjściowa w części liniowej charakterystyki wraz z obniżeniem napięcia bramka - źródło również zaczyna maleć , przy czym początkowy skok jest większy natomiast przy niższych napięciach różnice są coraz mniejsze. W stanie nasycenia konduktancja jest bardzo nieznaczna i w zasadzie trudna do wyznaczenia , ponieważ zmiany prądu drenu w tym zakresie są niewielkie. Otrzymane wyniki zgadzają się z założeniami teoretycznymi. Wartości transkonduktancji są rzędu kilku miliamperów na wolt. Konduktancja wyjściowa w zakresie liniowym charakterystyk wyjściowych wynoszą 0,24 - 0,78 [ mA / V ].

3

---