5 Tranzystory polowe

background image

V. Tranzystory polowe/unipolowe

1



V. Tranzystory polowe/unipolowe

„

FET – zasada działania

l

S

i

E = U

DS

h

w

kanał typu n

D

i

V

G

„–”

n

n

p

n

>>

n

n

p

n

gate

Rys. 5.1

Prąd w obwodzie

o

R

E

i

=

(5.1)

w

h

l

N

q

1

w

h

l

1

w

h

l

R

n

o

μ

=

σ

=

ρ

=

(5.2)

stąd

w

1

~

R

o

(5.3)

S

D

S

D

S

D

V

1

V

G

=

0

V

G

=

V

3

V

G

=

Rys 5.2

background image

V. Tranzystory polowe/unipolowe

2

„

Klasyfikacja

Klasyfikacja 3- warstwowa

FET

złącze

JFET

z izolowaną

bramką

IGFET

ze złączem p-n

PNFET

ze złączem m-s

MESFET

MIS, MISFET

MOS, MOSFET

ciekowarstwowy

TFT

GaAs

kanał „n”

kanał „p”

I

II

III

sposób

izolacji

rodzaj

kanału

technologia

kanału

kanał n

kanał p

kanał

zaindukowany

(SCMOS)

kanał

wbudowany

(BCMOS)

praca z kanałem

wzbogacanym

(EMOS)

praca z kanałem

zubożanym

(DMOS)

Rys. 5.3

Typ tranzystora a rodzaj izolacji

typ tranzystora

izolacja

MOS, MIS

dielektryk

JFET

złącze p-n

złącze m-s

MESFET

background image

V. Tranzystory polowe/unipolowe

3

„

MOS

-

kanał indukowany

-

normalnie wyłączony

-

pracujący ze wzbogaceniem

D

S

G V

G

= 0

m

1

L

μ

<

+

n

+

n

p

B

D

S

V

G

> 0

+

n

+

n

p

B

D

i

kanał

(stan inwersji)

EMOS

S

G

D

B

2

0

Si

(substrate)

Rys. 5.4


„

MOS

-

kanał wbudowany

-

normalnie załączony

-

pracujący ze zubożaniem

D

S

G

+

n

+

n

p

B

D

i

kanał

D

S

V

G

< 0

+

n

+

n

p

B

S

B

G

DMOS

D

Rys. 5.5

„

„Elektryczna” regulacja wartości napięcia
progowego

(

)

( )

BS

p

BS

p

u

A

0

U

u

U

+

=

(5.4)

background image

V. Tranzystory polowe/unipolowe

4

„

Charakterystyki statyczne idealnego MOS


Zakresy pracy i zależności

analityczne

0

i

D

=

zakres odcięcia

p

GS

U

u

<

(5.5)

zakres przewodzenia

p

GS

U

u

zakres pentodowy

zakres triodowy

(nienasycenia)

p

GS

GS

U

u

u

<

p

GS

GS

U

u

u

(

) (

)

=

2

u

u

U

u

B

u

,

u

i

2

DS

DS

p

GS

DS

GS

D

(5.6)

(

)

(

)

2

p

GS

GS

D

U

u

2

B

u

i

=

(5.7)

Parametr materiałowy B

ox

ox

o

o

ox

o

t

L

W

L

C

W

B

ε

ε

μ

=

μ

=

(5.8)

tzn.

L

W

~

B

o

~

B

μ

Postać graficzna modelu

Charakterystyki wyjściowe i

D

(u

DS

)

Rys. 5.6

background image

V. Tranzystory polowe/unipolowe

5

Charakterystyki przejściowe

Rys. 5.7

Kształt kanału dla różnych zakresów pracy

Zał:

const

u

GS

=

var

u

DS

=

Zakres triodowy: małe wartości u

DS

Rys. 5.8a

Zakres triodowy: większe wartości u

DS.

Rys. 5.8b

background image

V. Tranzystory polowe/unipolowe

6

Granica zakresu triodowego i pentodowego

Rys. 5.8c

background image

V. Tranzystory polowe/unipolowe

7

(

)

p

GS

o

U

u

~

1

+

μ

=

μ

(5.9)

(

) (

)

(

)

[

]

DSSAT

DS

2

p

GS

DS

GS

D

u

u

1

U

u

2

B

u

,

u

i

γ

+

=

(5.10)

(

)

2

p

GS

D

U

u

2

B

i

=

gs

m

d

U

g

I

=

(5.11)


(

)

D

p

GS

GS

D

m

Bi

2

U

u

B

du

di

g

=

=

=

(5.12)


ds

ds

gs

m

d

U

g

U

g

I

+

=

(5.13)

MOS idealny

gdzie

D

DS

D

ds

i

du

di

g

γ

=

=

(5.14)

gs

m

gs

gs

m

U

g

U

C

f

2

=

π

(5.15)


2

p

GS

m

L

2

U

u

f

π

μ

=

(5.16)

κ

T

~

B

(5.17)

( )

( )

⎟⎟

⎜⎜

Δ

+

=

T

dT

dU

1

T

U

T

U

p

0

p

p

(5.18)

L

W

~

L

W

N

q

a

2

G

n

D

n

0

μ

μ

=

(5.19)

DS

0

D

u

G

i

=

(5.20)

Nachylenie ch-ki

wyjściowej (wzór 5.10)

background image

V. Tranzystory polowe/unipolowe

8

(

)

(

)

2

p

GS

2

p

GS

DSS

GS

D

U

u

2

B

U

u

1

I

u

i

=



=

(5.21)

0

d

2

p

2

N

a

q

U

ε

ε

=

background image

6

V. Tranzystory polowe/unipolowe

Granica zakresu triodowego i pentodowego

Rys. 5.8c

„ Charakterystyki statyczne rzeczywistego

MOS

Modulacja ruchliwości nośników

(

)

p

GS

o

U

u

1

Θ

+

μ

=

μ

(5.9)

gdzie:

Θ

- parametr modelu

Stąd modyfikacja parametrem B w którym

0

μ

należy

zastąpić przez

μ

Modulacja długości kanału (zakres pentodowy)

(

) (

)

(

)

[

]

DSSAT

DS

2

p

GS

DS

GS

D

u

u

1

U

u

2

B

u

,

u

i

γ

+

=

(5.10)


gdzie:

γ

- parametr modelu

γ

1

- sens analogiczny jak napięcie Early’ego w BJT

background image

7

V. Tranzystory polowe/unipolowe

Praca w zakresie podprogowym (odcięcia)

g

D

i

i

=

D

G

S

B

+

n

p

GS

U

u

<

p

GS

U

u

dla

DS

D

u

exp

~

i

składowa dyfuzyjna

!

+

n

Przebicie bramka – podłoże (warstwy izolatora Si0

2

)

max

GS

U

– typowo kilkadziesiąt voltów

Przebicie lawinowe złącza dren-podłoże

typowo mierzy się

DSO

U

tzn. przy

0

u

GS

=

Rys. 5.9

„ Wielkosygnałowy dynamiczny model MOS

Należy uzupełnić model stałoprądowy o pojemności (rys

5.10)

GDE

C

GSE

C

ox

C

( )

u

C

j

G

C

S

D

G

(

)

DS

GS

D

u

,

u

i

ox

t

B

„-”

„+”

SB

C

DB

C

ox

ox

o

ox

t

C

ε

ε

=

Rys. 5.10

background image

8

V. Tranzystory polowe/unipolowe

Trzy grupy pojemności

Nieliniowe pojemności złączowe (pasożytnicze)

SB

SB

u

~

C

DB

DB

u

~

C

typowo kilka pF


Typowo „

S

” zwarte z „

B

0

C

SB

DB

C

pojemność wyjściowa

Liniowe pojemności nakładki metalowej elektrody bramki na

obszary źródła i drenu (pasożytnicze)

x

GDE

GSE

t

1

~

C

,

C

szczególnie szkodliwa, jest powodem
sprzężenia zwrotnego między wyjściem
(dren) a wejściem (bramka)

!

background image

9

V. Tranzystory polowe/unipolowe

Nieliniowa pojemność bramki (rys. 5.10)

(

)

sygn

GB

G

f

,

u

f

C

=

założenie

Rozważamy

nEMOS

(kanał

n

, normalnie OFF)

g

C

ox

C

.

cz

.

m

.

cz

.

w

p

U

G

u

x

ox

o

ox

t

C

ε

ε

=

stan

akumulacji

stan

zubożenia

stan

inwersji

ox

C

( )

u

C

j

( )

( )

u

C

C

u

C

C

j

ox

j

ox

+

Dyspersja częstotliwościowa pojemności bramki

Rys. 5.11

Uwaga

Pojemność

ox

C

jest pojemnością użyteczną, gdyż

ox

C

~

B

ma mieć dużą wartość

!

background image

10

V. Tranzystory polowe/unipolowe

Postać modelu

GS

u

GSE

G

GS

C

C

C

+

=

(

)

DS

GS

D

u

,

u

i

GDE

C

D

S

DB

C

G

DS

u

Rys. 5.12


Typowe

wartości pojemności

pF

30

5

C

G

÷

=

pF

1

C

,

C

GSE

GDE

<

pF

5

2

,

0

C

DB

÷

=



background image

11

V. Tranzystory polowe/unipolowe

„ Model małosygnałowy MOS (m-cz)

Zasada tworzenia – podana wcześniej (rozdz. I)

Określa się dla zakresu nasycenia, głównie konfiguracja WS

Z modelu stałoprądowego (nasycenie)

(

)

2

p

GS

D

U

u

2

B

i

=

Można napisać dla małych amplitud

gs

m

d

U

g

I

=

(5.11)

Transkonduktancja

m

g

(

)

D

p

GS

GS

D

m

Bi

2

U

u

B

du

di

g

=

=

=

(5.12)

typowo

mS

1

3

.

0

g

m

÷

=

Schematy zastępcze

gs

U

gs

m

U

g

ds

U

G

D

d

I

S

MOS idealny

gs

U

gs

m

U

g

ds

U

G

D

d

I

S

MOS rzeczywisty

ds

r

Rys. 5.13

Dla rzeczywistego MOS

ds

ds

gs

m

d

U

g

U

g

I

+

=

(5.13)


MOS idealny

gdzie

D

DS

D

ds

i

du

di

g

γ

=

=

(5.14)

Nachylenie ch-ki

wyjściowej (wzór 5.10)

background image

12

V. Tranzystory polowe/unipolowe

„ Model małosygnałowy MOS (m.cz.)

Małosygnałowy model m.cz. należy uzupełnić o

pojemności:

Æ

pojemność bramki –

g

C

Æ

pojemność warstwy opróżnionej dren-podłoże –

db

C

Æ

pojemności pasożytnicze wynikające z nakładki
powierzchni bramki nad źródło i dren –

gde

,

gse

C

C

Schemat zastępczy

gs

U

gs

m

U

g

ds

U

gde

C

db

C

gs

C

widać tylko

pojemność

!

g

gse

gs

C

C

C

+

=


Właściwości częstotliwościowe

Częstotliwość charakterystyczna

=

m

f

częstotliwość przy

której moduł amplitudy prądu wejściowego o charakterze
pojemnościowym jest równy modułowi amplitudy prądu źródła
sterowanego w obwodzie wyjściowym, tj.

gs

m

gs

gs

m

U

g

U

C

f

2

=

π

(5.15)

Po podstawieniu odpowiednich zależności i przekształceniach,
dla dowolnego typu przewodnictwa w kanale otrzymujemy

2

p

GS

m

L

2

U

u

f

π

μ

=

(5.16)

gdzie:

L

– długość kanału

Wniosek:

C

zęstotliwość charakterystyczna jest większa dla

nMOS-ów

w porównaniu z

pMOS-ami

, ze względu

na około trzykrotnie większą wartość ruchliwości
elektronów w porównaniu z dziurami. Także istotny

def

.

Rys. 5.14

background image

13

V. Tranzystory polowe/unipolowe

jest wpływ długości kanału – im krótszy kanał, tym

większa

m

f

.

„ MOS – wpływ temperatury

Temperatura wpływa na parametry

B

p

U

oraz

Zależność B(T) wynika z zależności

( )

T

μ

, stąd

κ

T

~

B

(5.17)

tutaj

1

κ

(wpływ międzypowierzchni na mechanizm

rozpraszania nośników)

Napięcie progowe zależy liniowo od temperatury

( )

( )

⎟⎟

⎜⎜

Δ

+

=

T

dT

dU

1

T

U

T

U

p

0

p

p

(5.18)

gdzie

wartość współczynnika termicznego

K

/

mV

kilka

dT

dU

p

=

Wpływ temperatury na statyczną charakterystykę

(

)

GS

D

u

i

1

T

2

T

>

.

komp

I

D

1

T

2

T

2

p

U

1

p

U

D

i

GS

u

korzystne

!

TÊ to i

D

Ì

punkt

autokompens.

Rys. 5.15

Uwaga

!

punkt

autokompensacji

!

background image

14

V. Tranzystory polowe/unipolowe

JFET

„ Budowa

Elektroda bramki

JFET’a

jest oddzielona od kanału za pomocą

zaporowo spolaryzowanego złącza

p-n

.

Szkic przekroju

JFET

z kanałem

n

oraz symbole














Rys. 5.16

Przy braku polaryzacji kanał jest przewodzący

Konduktywność kanału otwartego

(

)

0

u

GS

=

L

w

~

L

W

N

q

a

2

G

n

D

n

0

μ

μ

=

(5.19)

gdzie:

D

N

- koncentracja domieszki donorowej w kanale

n

μ

- ruchliwość elektronów

w

- szerokość kanału

Stąd dla małej wartości

0

u

DS

DS

0

D

u

G

i

=

(5.20)

+

n

+

n

+

p

L

a

2

n

+

p

S

G

D

S

G

D

„n”

S

G

D

„p”

(dolna bramka)

background image

15

V. Tranzystory polowe/unipolowe

„ Charakterystyki statyczne

Podział na zakresy pracy i wzory opisujące podstawowe

charakterystyki

JFET

są w przybliżeniu takie jak dla

MOS

Charakterystyki przejściowe w zakresie nasycenia

(

)

(

)

2

p

GS

2

p

GS

DSS

GS

D

U

u

2

B

U

u

1

I

u

i

=



=

(5.21)

DSS

I

- nowy parametr (o innym wymiarze

!

)

=

DSS

I

prąd drenu płynący przy

0

u

GS

=

p

0

DSS

U

B

G

2

1

I

=

gdzie:

0

G

- konduktancja otwartego kanału

Typowa zależność

(

)

GS

D

u

i

pokazano na rys. 5.17

D

i

GS

u

p

U

DSS

I

Rys. 5.17

def.

background image

16

V. Tranzystory polowe/unipolowe

Napięcie progowe

0

D

2

p

2

N

a

q

U

ε

ε

=

(5.21)

gdzie

a oznacza połowę szerokości kanału (mierzoną w głąb

struktury).

Charakterystyki wejściowe

Są inne niż dla tranzystorów

MOS. Charakterystyki

(

)

GS

G

u

i

JFET są analogiczne jak dla złącza p-n spolaryzowanego
zaporowo (prąd generacyjny) stąd
przebicie bramki JFET’a

przebicie lawinowe złącza p-n

typowo

G

i

rzędu nA


„ Inne uwagi

w

JFET’ach występuje efekt modulacji długości kanału

w

JFET’ach nie występuje efekt modulacji ruchliwości

nośników

model małosygnałowy ma postać identyczną jak dla tranzystora

MOS

!

background image

17

V. Tranzystory polowe/unipolowe

„ Porównanie właściwości tranzystorów

bipolarnych i polowych

W tranzystorach polowych prąd związany jest z ruchem

nośników większościowych, natomiast w tranzystorach
bipolarnych główną rolę w przepływie prądu odgrywają nośniki
mniejszościowe wprowadzone z emitera do bazy i
transportowane przez bazę do złącza kolektorowego.

Dla tej samej wartości prądu polaryzującego transkonduktancja

(bo do niej jest proporcjonalnie wzmocnienie napięciowe stopnia
wzmacniającego na pojedynczym tranzystorze) tranzystora
bipolarnego jest do kilkuset razy większa niż tranzystora
polowego.

Rezystancja wejściowa tranzystorów polowych jest pięć do

sześciu rzędów większe niż dla tranzystorów bipolarnych.

Przeciętnie tranzystory bipolarne mają częstotliwości graniczne

większe niż przeciętne tranzystory polowe.

Istotne znaczenie ma zakres napięć, w których tranzystor jest

elementem aktywnym. Minimalnie napięcie na wyjściu
tranzystora bipolarnego, przy którym przechodzi on w obszar
nasycenia wynosi od 100 do 200 mV. Dla tranzystorów
polowych przejście w obszar triodowy zachodzi dla napięć rzędu
kilku voltów.
Maksymalne napięcie wyjściowe związane jest ze zjawiskami
przebicia i jest większe w tranzystorach bipolarnych.
Reasumując: w tranzystorach bipolarnych użyteczny zakres
napięć odpowiadający pracy w obszarze aktywnym jest
zdecydowanie większy.

Tranzystory polowe wnoszą mniejsze zniekształcenia sygnałów

harmonicznych. Dotyczy to głównie zniekształcenia trzeciego
rzędu, gdyż charakterystyki tranzystorów polowych są bardzo
zbliżone do zależności kwadratowej.

Przełącznik typu

CMOS zapewnia znacznie mniejszy pobór

mocy w stanach ustalonych aniżeli przełącznik na tranzystorze
bipolarnym. Natomiast szybkość działania przełącznika
bipolarnego jest nieco większa niż przełącznika polowego.



Document Outline


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
ELEKTORNIKA TRANZYSTORY POLOWE
TRANZYSTORY POLOWE
inne1, Badanie parametrów tranzystora polowego BF245, KLASA
TRANZYSTORY POLOWE szkic
Elektronika analogowa teoria tranzystory polowe
9 Tranzystory polowe konstrukcja i parametry
TRANZYSTORY POLOWE REFERAT, Inzynieria Materiałowa, I semestr, Elektrotechnika, elektrotechnika, Tr
Badanie charakterystyk tranzystora polowego, Badanie tranzystora polowego
sprawozdanie polowe, Transport Polsl Katowice, 3 semestr, Rok2 TR, Tranzystory polowe
Tranzystory polowe i uklady optoelektryczne, Księgozbiór, Studia, Elektronika i Elektrotechnika
05 Tranzystory Polowe (2)
Spraw - tranzystory polowe i uklady2, Robotyka, Elektronika
5 tranzystory polowe unipolarne wyci¦Öte do 10 st r
Złączowe tranzystory polowe egzamin
09 Tranzystory polowe konstrukcje i parametry
polowe, tranzystory polowe
Tranzystor, Inzynieria Materiałowa, I semestr, Elektrotechnika, elektrotechnika, Tranzystory polowe
Cw5 Tranzystory polowe
Tranzystory polowe MOS egzamin

więcej podobnych podstron