Zagadnienie nr 9.

Tranzystory polowe – 

konstrukcja i parametry.

 

 

Konstrukcje tranzystorów 

polowych (umipolarnych) FET:
- tranzystory złączowe: 
PNFET ze złączem p-n, np. Si,
MESFET dioda Schottkyego, np. 

GaAs,
HEMT heterozłączowy, np. GaAlAs.
- tranzystory z izolowaną bramką:
MOS (MIS)

      

 

 

Parametry tranzystorów polowych:

- napięcie progowe, MIS: U

T

, U

GS(off),

- napięcie odcięcia (zatkania), PNFET: U

P

,

- napięcie przebicia między bramką a podłożem przy 

zwartych elektrodach D i S: U

GSS

,

- napięcie przebicia między drenem a źródłem przy 

zwarciu G ze S: U

DSS

,

- prąd nasycenia tranzystora, gdy elektrody G i S są 

zwarte: I

DSS

,

- prąd upływu bramki w przypadku zwartych 

elektrod S i D: I

GSS

,

- rezystancja statyczna między D a S w warunkach 

maksymalnego prądu drenu: r 

DS(ON),

- rezystancja statyczna między D a S w warunkach 

wyłączonego kanału: r 

DS(OFF),

- częstotliwość graniczna: f

max

.

 

 

Tranzystor złączowy PNFET

 

 

Tranzystor złączowy PNFET-

charakterystyki.

 

 

Tranzystory polowe MESFET

Bramką jest dioda Schottky’ego

 

 

Tranzystory polowe 

heterozłączowe HEMT.

 

 

Tranzystory z izolowaną bramką 

MOS (MIS).

W zależności od polaryzacji bramki 
oraz innych czynników

 

w 

półprzewodniku tworzy się pod 

bramką warstwa akumulacyjna 

(dużo elektronów i mało dziur), 

zubożona (mało elektronów i mało 

dziur) lub inwersyjna (mało 
elektronów i bardzo dużo dziur).

 

 

 

Konstrukcja tranzystora E-MOS, 

kanał p normalnie wyłączony.

 Z kanałem 

indukowanym, 
napięcie bramki 
wpływa na 
właściwości 
przypowierzchniowe 
warstwy krzemu 

 

 

Konstrukcja tranzystora D-MOS, 

kanał n normalnie załączony.

Kanał wbudowany