Zagadnienie nr 9.

Tranzystory polowe –

konstrukcja i parametry.

Konstrukcje tranzystorów

polowych (umipolarnych) FET:
- tranzystory złączowe:
PNFET ze złączem p-n, np. Si,
MESFET dioda Schottkyego, np.

GaAs,
HEMT heterozłączowy, np. GaAlAs.
- tranzystory z izolowaną bramką:
MOS (MIS)

Parametry tranzystorów polowych:

- napięcie progowe, MIS: U

T

, U

GS(off),

- napięcie odcięcia (zatkania), PNFET: U

P

,

- napięcie przebicia między bramką a podłożem przy

zwartych elektrodach D i S: U

GSS

,

- napięcie przebicia między drenem a źródłem przy

zwarciu G ze S: U

DSS

,

- prąd nasycenia tranzystora, gdy elektrody G i S są

zwarte: I

DSS

,

- prąd upływu bramki w przypadku zwartych

elektrod S i D: I

GSS

,

- rezystancja statyczna między D a S w warunkach

maksymalnego prądu drenu: r

DS(ON),

- rezystancja statyczna między D a S w warunkach

wyłączonego kanału: r

DS(OFF),

- częstotliwość graniczna: f

max

.

Tranzystor złączowy PNFET

Tranzystor złączowy PNFET-

charakterystyki.

Tranzystory polowe MESFET

Bramką jest dioda Schottky’ego

Tranzystory polowe

heterozłączowe HEMT.

Tranzystory z izolowaną bramką

MOS (MIS).

W zależności od polaryzacji bramki
oraz innych czynników

w

półprzewodniku tworzy się pod

bramką warstwa akumulacyjna

(dużo elektronów i mało dziur),

zubożona (mało elektronów i mało

dziur) lub inwersyjna (mało
elektronów i bardzo dużo dziur).

Konstrukcja tranzystora E-MOS,

kanał p normalnie wyłączony.

Z kanałem

indukowanym,
napięcie bramki
wpływa na
właściwości
przypowierzchniowe
warstwy krzemu

Konstrukcja tranzystora D-MOS,

kanał n normalnie załączony.

Kanał wbudowany