Własności półprzewodników

1.Samoistna koncentracja nośników w krzemie wynosi w temp pokojowej T=300K w przybliżeniu 10¹⁰ cm-3

2.pod pojęciem pólprzew. silnie domieszkowanego to sytuacja w której w danej T:

a)koncentracja domieszek jest znacznie większa od koncentracji samoistnej.

3.Próbka krzemu jest domieszką donorową o koncentracji równej 10^15.Koncentracja dziur w tej próbce w temp 300K wynosi:

c)10^5

4.Które z poniższych sformułowań jest słuszne dla krzemu dla typowych koncentracji domieszek, temperatur, oraz nat. pola elektr.

b)ruchliwość dziur i elektronów maleje przy wzroście nat. pola ele.

5.Występowanie w arsenku galu zakresu natężeń pola elektr. w którym ruchliwość różniczkowa swobodnych nośników jest ujemna, wykorzystuje. się w:

b)diodach Gunna

6.Wartość rezystancji dwóch próbek krzemu silnie domieszkowanego- jedna typu p. druga n, o tej samej koncentracji domieszek i różnych wymiarach, różnią się między sobą w t=300K:

d)różnymi wartościami ruchliwości elektronów i dziur.

7.Rezystancja krzemu samoistnego ze wzrostem temperatury:

b) maleje wykładniczo

8.Pod pojęciem niskiego poziomu wprowadzania(iniekcji) rozumie się sytuację, w której w silnie domieszkowanym półprzewodniku:

b)koncentracja mniejszościowych nośników nadmiarowych jest dużo mniejsza od koncentracji równowagowej nośników większościowych

9.Prąd dyfuzji ładunków swobodnych np. elektronów w półprzewodniku jest wprost proporcjonalny do:

c)gradientu koncentracji elektronów.

10.czas życia mniejszościowych nośników nadmiarowych w krzemie w warunkach niskiego poziomu wstrzykiwania, jest typowo zależny od:

a)koncentracji centrów generacyjno-rekombinacyjnych.

Diody półprzewodnikowe

1.W idealnej diodzie za złączem pn spolaryzowanej przewodząco zasadniczym prądem złącza jest prąd związany z:

c)dziurami wprowadz. z p do n

2.Informacje o rozkładzie natężenia pola elektrycznego w obszarze ładunku przestrzennego złącza pn są ważne przede wszystkim przy rozpatrywaniu:

a)zjawisk przebicia w złączu.

3.Prąd idealnego złącza pn spolaryzowanego przewodząco wynosi 1mA. Jeżeli prąd wzrośnie 2,71 krotne to napięcie na złączu wzrośnie :

b) o 25,8mV

4.Idealne złącze pn o prądzie nasycenia równym 1pA spolaryzowano napięciem 25,8mV w ten sposób, że potencjał anody jest wyższy od potencjału katody. Prąd płynący przez złącze wynosi w temperaturze pokojowej:

b)1,7pA

5.Amplituda prądu przebiegu harmonicznego o małej częstotliwości, płynącego przez diodę idealną, pracującą w stałej temperaturze w określonym punkcie pracy o współrz. Ud Id zmalała dwukrotnie. Jeśli się założy, że dioda jest opisana małosygnałowym modelem zastępczym, to rezystancja różniczkowa tego elementu:

c)nie zmieni się

6.W diodzie idealnej spolaryzowanej nap. stałym 700m. stwierdzono, że zmiana prądu wokół punktu pracy o 10 mikroA spowodowała pewną zmianę napięcia, zaś dwukrotna zmiana, dwukrotnie większą zmianą napięcia. które z poniższych jest prawdziwe:

c)nie można policzyć.

7.W rzeczywistej diodzie pn stwierdzono, że przyrost prądu od 1mA do 1,1mA spowodował przyrost napięcia od 600mV do 603mV. Zakładając, że dioda jest opisana modelem małosygnałowym, można na podstawie powyższego pomiaru stwierdzić, że:

a)rezyst. szeregowa jest 10 om

8.W krzemowej diodzie ze złączem pn pojemność jest określona przez koncentrację:

b)zjonizowanych atomów domieszki donorowej.

9.Pojemność barierowa diody ze złączem pn zależy od I oraz U:

d)zależy od szybkości zmian napięcia na diodzie.

10.Które z wielkości wpływają na pojemność dyfuzyjną diody pn wyst. w jej małosygnałowym sch.

c)czas życia nośników mniejszościowych w bazie diody.

11.Typowym param. kat. prostowniczych diod pólprzew. pracujących w sieci jest:

b) nap. przebicia.

12.Specyficznym parametrem kat. dla diod stabilizacyjnych jest:

d)rezystancja różniczkowa w zakresie przebicia.

13.W diodach stabilizacyjnych temp. wsp. zmian nap stabilizacji może być równy zeru, jeżeli:

c)o nap. przebicia decyduje zjawisko tunelowe i zj. jonizacji.

14.Idealne złącze krzemowe pn zasilane z idealnego źródła nap. o wydajności 700mV jest spolaryzowane przewodząco. pod wpływem zm temp. o 1K nap na złączu:

c)pozostanie stałe.

15.Zależność między nap. na przewodząco spolaryz. diodzie a temp., przy zasilaniu jej z idealnego źródła prądowego o wydajności znacznie większej od prądu nasycenia diody, jest:

b)liniowa.

16.Prąd wsteczny rzeczywistej krzemowej diody pn przy zasilaniu ze źródła o wyd znacznie mniejszej od nap przeb. przy wzroście T

a)rośnie wykładniczo.

3.Tranzystory bipolarne.

1.bipolarny pracuje we wsp.kolekt:

a)baza jest we a emiter wy.

2.Polaryzacja obu złączy w kier.zaporow. jest pracą w zakresie

b)odcięcia.

3.Polar.npn pracującego w zakresie aktywnym normalnym odpowiada nast. nap. złączowym:

a)Ucb>0 Ube>0.

4.Statyczna zależność prądu emitera od nap EB jest w idealnym tr bipol.prac w zakresie nasycenia zależnością:

b)wykładniczą.

5.W tr bip prac. w zakr.nasyc Ic:

c)silnie zależy od U_CE.

6.W wielkosygnałowym modelu statycznym idealnego tr bip zależność Ic od Ube jest w zakresie aktywnym normalnym:

b)wykładnicza.

7.Zwarciowy wsp. wzmocnienia prądowego beta rzeczywistego tr bip dla składowej stałej zależy:

d)od szerokości obszaru E i B.

8.Małosygnałowy zwarciowy wsp. wzmocnienia prądowego rzecz. tr bip, pracującego w WE zależy od:

c)stałego Ic.

9.Zależność Ib od Ube w idealnym tr bip dla małych ampl. jest :

a)funkcją liniową.

10.W tr bip npn w pewnym punkcie pracy stały Ic=10mA, Ucb=10V Ube=0,7V. Elementy małosygnałowego układu zastępczego dla składowej zmiennej:

c)transkonduktancja g_m.=400mS.

11.Małosygnałowa zwarciowa admitancja wejściowa tr bip prac w układzie WE zależy od:

c)sumy pojemności barierowych obu złącz i poj dyfuz. złącza E.

12.W rzecz. tr bip el. macierzy h12 nie jest=0 w zakresie m.cz :

b)z powodu zjawiska modulacji napięciowej szerokości bazy.

13.Param katal.(dop. moc określonego typu tr bip przy ustalonych warunkach oddawania ciepła:

b)maleje przy wzroście temp.otocz

14.Rezyst. term. tr bip jest potrzebna przy określeniu:

a)zakresu dop temp otoczenia.

4.Tranzystory polowe.

1.Tr NMOS normalnie wył ma:

b)kanał indukowany.

2.Zamiast kanał norm wył tr MOS:

c)mówimy warstwa inwersyjna.

3.nap progowe tr MOS zależy od:

c)grubości izolatora bramkowego.

4.W idealnym tr NMOS w zakresie odcięcia między podanymi nap zachodzi relacja:

b)Ugs<Up.

5.W zakres nasyc MOS Id zależy:

b)od napięć Ugs i Uds

6.Efekt nap. modulacji długości kanału w rzecz tr MOS prowadzi do:

c)wystąpienia różnej od zera konduktancji różniczkowej między D a S.

7.W zakresie nienasycenia transkonduktancja, w modelu małosygnałowym idealnego tr MOS zależy od:

d)stałego napięcia Uds.

8. Transkonduktancja idealnego tr MOS prac w zakresie nasycenia zależy od:

c)stosunku szerokości kanału do długości

9.na własności częstotliwościowe i impulsowe tr MOS wpływa :

c)długość kanału.

10.Przebicie między bramą i kanałem w MOS jest spowodowane:

c)przebiciem warstwy dielektryka bramkowego wskutek silnego pola el.

11.Przebicie między bramką a kanałem tr JFET ma typowy charakter:

a)przebicia lawinowego.

12.Up dla JFET zależy od:

b)koncentracji domieszek w kanale.

---