Dioda Schottky'ego Złącze metal półprzewodnik w postaci planarnego kontaktu metalicznego, naniesionego na odpowiedni półprzewodnik. Dzięki tej konstrukcji diody te są mechanicznie i elektrycznie trwałe. Resztę pow pokrywa się warstwą ochronną. Stosuje się tu dwuwarstwowy materiał półprzewodnikowy: cienka warstwa typu n, która jest zbudowana na grubszej warstwie półprzewodnika zdegenerowanego n+. Diody te mają mniejszą rezystancję szeregową. Kontakt n-p otrzymuje się spawając do niego drucik lub taśmę oraz pole kontaktowe, które powoduje powstanie pasożytniczej pojemności diody. Elementy nieliniowe konduktancja oraz pojemność warstwy opóźnionej (polaryzacja zaporowa) Wykorzystuje się diody jako nieliniowe rezystancje lub pojemność. Różnią się tylko średnicą złącza, domieszkowaniem i grubością warstwy epitaksjalnej. Ch-uje się dużą szybkością działania: mieszacze, powielacze f. Dioda pin umieszczona w oprawce współosiowej RS całkowita szeregowa R strat, Ci pojemność warstwy opóźnionej. Po spolaryzowaniu w kierunku przewodzenia następuje przejście elektronów do obszaru „i” z „n+” i dziur z „p”. Pojawia się prąd przewodzenia Ip a Ri zaczyna maleć. Dioda dla b.w.cz. jest jak regulowany R z elementem pasożytniczym, są stosunkowo wolne Tranzystor bezwzględnie stabilny, potencjalnie niestabilny Tr jest bezwzględnie stabilny jeżeli |Γwe|<1 |Γwy|<1 przy |ΓL|<1 |ΓS|<1 Bada się okręgi stabilności na wykresach Smitha. Obszar leżący wewnątrz lub na zewnątrz tego okręgu reprezentuje zbiór ΓL dla których rozpatrywany ukł jest stabilny. Tr mikrofalowe są bezwzględnie stabilne jeżeli |S11|<1 |S22|<1 i K>1 (warunek stabilności) w pełnym paśmie f lub K>1 i |Δ|<1 (wyznacznik macierzy S). Jeżeli K<1 jest potencjalnie niestabilny. Zasada działania mikrofalowego ukł przemiany f z diodą Schottkyego Konduktancja ta jest zależna od czasu: g(t)=G0+G1cosωL0t+G2cos^2ωL)t+… Syg podawany na D o nieliniowej konduktancja poddawany przemianie jest słabszy niż syg V(LO). Zatem i płynący przez diodę i(t)=g(t)Vs=Vscosω(s)t[g(t)]. Zatem otrzymujemy nast widmo syg i konduktancja… Jak wykonuje się elementy z falowodem prostokątnym na falach mikrofalowych realizuje się je w procesach obróbki mechanicznej. Podstawowymi operacjami tej tech są toczenie, frezowanie, wiercenie, szlifowanie, polerowanie, lutowanie, spawanie bądź procesy elektrochemiczne. Ukł takie mają duże rozmiary, wagę i koszt. Dzielnik mocy (dzielnik wilkinosona) Są stosowane w szerokim zakresie w telekomunikacji. Zwykle są obciążone niezależnymi od f rezystancjami Zo. Stosowane są w celu dopasowania wszystkich 3-ch wrót, oraz izolację wrót 2 i 3.SSLP linie te mają strukturę podobną do symetrycznych linii paskowych jednak przewodnik środkowy ma tu formę pręta o przekroju kołowym, kwadratowym, prostokątnym. Dielektrykiem wypełniającym linie jest najczęściej powietrze Stosuje się je w filtrach, małe straty, duża swoboda doboru parametrów. Dokładnie można dobierać wsp sprzężenia. SNOP wzajemna pojemność pasków zbliżonych krawędziami jest nieduża, nie można uzyskać silnego sprzężenia. Pole parzyste i nieparzyste w różnym stopniu wypełniają dielektryk i powietrze, stąd są różne efekty przenikalności oraz prędkości fazowe Para linii sprzężonych tworzy czterowrotnik, dla którego można obliczyć macierz wsp rozproszenia. Wyrazy tej macierzy są skomplikowane, jednak wprowadzając pewne uproszczenia można je wyznaczyć w dość łatwy sposób. Technologia używana do produkcji tych linii może być metoda obróbki mechanicznej, wówczas operacjami produkcyjnymi są wiercenie, toczenie i frezowanie materiału. Pojęcie nieciągłości w prowadnicy falowej Ze względu na zastosowanie odcinków prowadnic falowych łączących szeregowo, równolegle, rozwartych, zwartych na końcach, rozgałęzień prowadnic wprowadzamy deformację rozkładu pola elektromag.

Pojęcie nieciągłości w prowadnicy falowej CD np. rozwarty na końcu odcinek NLP. Pole w otoczeniu zakończenia NLP zachowuje się jakby linia była nieco dłuższa niż w rzeczywistości. Można to przedstawić za pomocą poj Cu rozwartego końca linii NLP bądź wydłużenia linii NLP oznaczonego Zk. Podobne zmiany szerokości mikropaska powodują powstanie nieciągłości. Jaka ilość elementów powinien posiadać FDP o ch-ce czybyszewa f1=2GHz, A1=0,1dB, f2=1,7GHz, A2=30dB η=arccosh(sqrt{A2-1}/{A1-1})/arcosh(w2/w1) =6,1/0,88 = 7 Klistron jest przykładem próżniowego przyrządu do generacji mikrofal. Ze względu na wrażliwość przestrajania można stosować je w ukł ARCz. Wadą jest kłopotliwe zasilanie, ograniczona trwałość. Zalety dobre wł szumowe, możliwość wykorzystania do generacji mikrofal aż do 150GHz. Zasada działania: stałe pole przyspiesza strumień elektronów, dociera do rezonatora o drobnych oczkach. Elektrony wzbudzają napięcie które przyspiesza bądź hamuje elektrony zmieniając prędkość początkową elektronów wybiegających z rezonatora. Następnie wpadają w obszar pola hamującego i zawracają do rezonatora. Magnetron są to diody próżniowe przeznaczone do generacji bardzo dużych mocy. Stałe pole elektryczne przyspiesza elektrony emitowane przez katodę. Pole mag (zgodnie regułą lewej ręki) powoduje powstanie prostopadle skierowanej siły zmieniającej tor elektronu. Elektron wpada w obszar zmiennego pola elektr powodując jego wyhamowanie, zanik siły zakrzywiającej i mocy cykl. Wymagane jest uzyskanie synchronizmu zmian kierunku pola wytworzonego przez rezonatory oraz średniej prędkości kątowej elektronów. FWP Aby umożliwić ich projektowanie w oparciu o tablicę przygotowane dla FDP wprowadza się transformatę f: ω'/ω1' = -ω1/ω. Należy ustalić wymagania na ch-ce ω'1,ω'2, A1', A2' określić dane równoważnego FDP, obliczyć liczbę elem filtru, odczytać z tablicy zrównoważonych wartości elem FDP, równoważne wartości elem FWP FPP transformacja f ω/ω1 = (ω'/ωo' -ωo'/ω')/ω Ustalamy wymagania: rodzaj ch-ki, A1, A2, ω1', ω1'', ω2', ω2'', przeliczony na równoważny FDP, obliczamy liczbę elementów, korzystając z tablic elem FDP przeliczyć wartość elem prototypu FDP na FPP. Indukcyjności szeregowe stają się szeregowymi obwodami rezonansowymi a równoległe poj równoległymi obwodami rezonansowymi. Tech wielowarstwowe Aby minimalizować ukł pracujące w zakresie zakresie.w.cz. stosuje się tę technologię. Wykorzystuje ona podłoże takie jak w hybrydowych mikrofalowych ukł scalonych, lecz przygotowane do późniejszego klejenia w innym procesie technologicznym. Łączenie między warstwami za pomocą pometalizowanych otworów, które łączą się po sklejeniu. Metody łączenia warstw: zgrzewanie pod ciśnieniem warstw ograniczonych z nieskończonym procesem polimeryzacji, spiekanie w niskiej temp warstw wypełnionych proszkiem ceramicznym. Symetryczna linia paskowa przewodnik środkowy takiej linii ma formę pręta o przekroju kołowym, kwadratowym lub prostokątnym, Dielektrykiem wypełniającym najczęściej jest powietrze co zmusza do stosowania podpór. SLP sostuje się głównie w filtrach. Procesy projektowania FDP bez wzorów wybieramy typ ch-ki i liczymy liczbę elementów dla zadanych parametrów ω1, ω2, A1 i A2. Następnie korzystamy z talic podających znormalizowane wartości elem. Kolejnym etapem jest ich odnormalizowanie korzystając z odpowiednich zależności Plenarny induktor spiralny Mają one postać spirali o różnych kształtach. Stos czasem jako induktory w MUS i powszechnie w MUS. Schemat zastępczy nie uzupełniamy o indukcyjność mostka łączącego środek induktora z wyprowadzeniem zew. Kondensator palczasty Ze względu na problemy z uzyskanie dużych poj przy korzystaniu z NLP stos się C między palczaste. Konstrukcja pozwala zwiększyć poj przez wydłużenie efektywnej dł szczeliny przy zachowaniu warunku l<<λ

Jak dobiera się podłoże dielektryczne w NLP należy określić param podłoża, które ma pracować na danej f b.w.cz. Więc należy tak dobrać h i εr aby f c dana zależnością fc=75/hsqrt( εr-1) byłą dużo większa od f pracy ukł, a więc f<<fc Niesymetryczna linia paskowa i falowód …Oba to przykłady prowadnic falowych. W przeciwieństwie do NLP, falowód ten przy dobrym podłożu o takiej samej Zo można otrzymać dla różnych wartości S i W. Zaletą FK jest łatwość szeregowego i równoległego montażu elem dyskretnych. KF jest prowadnicą dyspersyjną to dyspensja Zc jak i ε jest słaba. Oscylator tranzystorowy. Tranzystor w oscylatorze jest elem akustycznym za pocą którego otrzymujemy ujemną R niezbędną do spełnienia war samowzbudzenia. Ukł stabilizujący zamienia obw rezonansowe lab rezonator. Obw wy łączy oscylator z obciążeniem oscylatora i powinien przekazywać moc generowanego syg do obciążenia. Często jednak nadmierne obciążenie oscylatora może powodować problemy ze samowzbudzeniem. Pożądane jest odseparowanie obciążenia od ukł stabilizującego aby nie powodować przestrojenia oscylatora. Warunki samowzbudzenia i stanu ustalonego zapisujesię najczęściej względem wy tranzystora: SAMOWZBUDZENIE: war amplitudy: -R(L)+R(S)<0 fazy X(L)+X(S)=0 STAN USTALONY: war amplitudy: -R(L)+R(S)=0 fazy: X(L)+X(S)=0

---