II PRZEBIEG DOŚWIADCZENIA

Układ połączyliśmy wg schematu:

Ponieważ na wyjściach pamięci RAM typu 780101 otrzymujemy sygnały zanegowane, dlatego wyjścia te połączyliśmy z układem 7416. Układ ten składa się z sześciu inwerterów, z których my wykorzystaliśmy jedynie cztery, dzięki czemu mogliśmy odczytać rzeczywistą zawartość komórki pamięci. Komórki pamięci wypełnialiśmy słowami bitowymi w następujący sposób: do wejść układu podłączyliśmy cztery diody typu LED, które służyły wizualizacji słowa bitowego wpisywanego do komórki pamięci. Następnie ustawialiśmy adres komórki pamięci (obserwowany na diodach LED), wpisywaliśmy słowo ustawione na wejściu `DANE' i zatwierdzaliśmy je przełącznikiem `WPIS'. Wypełniliśmy tak wszystkie komórki pamięci o adresach binarnych od 0000 do 1111 słowami bitowymi 0001 oraz 1111. W celu odczytania zawartości komórek pamięci podłączyliśmy diody LED, wcześniej podłączone z wejściami układu 780101, z wyjściami układu 7416. Następnie podając adres komórki pamięci na diodach odczytywaliśmy jej zawartość. Odczytane wyniki były zgodne z oczekiwaniami.

W drugiej części ćwiczenia badaliśmy odporność pamięci na zmiany napięcia w zakresie od 1,9 [V] do 5 [V]. Wpisywanie i odczytywanie odbywało się analogicznie jak w pierwszej części ćwiczenia. Jednak w tym przypadku do zmiany adresu użyliśmy generatora liczb binarnych w celu przyspieszenia tej operacji. Wypełniliśmy w ten sposób wszystkie komórki pamięci tym samym słowem bitowym - A=0001 oraz B=1110. Do badania wykorzystaliśmy dwa zasilacze, z których jeden ustawiony był na 5 [V], natomiast na drugim ustawialiśmy napięcie niższe w zależności od potrzeb. Obniżaliśmy napięcie na czas około jednej sekundy i używając generatora liczb binarnych odczytywaliśmy zawartość wszystkich komórek pamięci w celu sprawdzenia ilości przekłamań. Obniżane napięcie mierzyliśmy przy pomocy woltomierza. Wyniki pomiaru umieściliśmy w tabeli nr 1. Po każdym odczycie ponownie wypełnialiśmy wszystkie komórki pamięci tym samym słowem bitowym - A=0001 oraz B=1110. Na podstawie odczytanych wartości sporządzone zostały wykresy zależności ilości przekłamań od napięcia.

SŁOWO BITOWE	NAPIĘCIE [V]	ILOŚĆ PRZEKŁAMAŃ		SŁOWO BITOWE	NAPIĘCIE [V]	ILOŚĆ PRZEKŁAMAŃ
0001	5,0	0		1110	5,0	0
0001	4,5	0		1110	4,5	0
0001	4,3	0		1110	4,3	0
0001	4,1	0		1110	4,1	0
0001	3,9	0		1110	3,9	0
0001	3,7	0		1110	3,7	0
0001	3,5	0		1110	3,5	0
0001	3,3	0		1110	3,3	0
0001	3,1	0		1110	3,1	0
0001	2,9	0		1110	2,9	0
0001	2,7	0		1110	2,7	2, 1
0001	2,6	4		1110	2,6	12
0001	2,5	14, 13		1110	2,5	16, 16
0001	2,4	13		1110	2,3	16
0001	2,3	14, 13		1110	2,1	16
0001	2,1	14		1110	1,9	16
0001	1,9	13
TABELA nr 1.

WYKRES nr 1

WYKRES nr 2

III WNIOSKI

Wyniki uzyskane podczas wykonywania pierwszej części doświadczenia, dowodzą poprawności działania pamięci typu 780101. Wprowadzone informacje do kolejnych komórek pamięci zostały zapisane i gotowe do odczytu w każdej chwili wykonywania doświadczenia. Odczyt i zapis odbywał się automatycznie po wydaniu odpowiedniego adresu i rozkazu. Informacja przechowywana była do momentu odcięcia zasilania do pamięci.

W drugiej części doświadczenia mieliśmy wyznaczyć sprawność odporności pamięci na zmiany napięcia zasilającego (dokładnie - spadek napięcia). Wykonaliśmy pomiary ilości przekłamań dla kolejno zmniejszającej się wartości napięcia do 5[V] do 1,9[V] dla poszczególnych słów. Wyniki z doświadczania przedstawione są w tabeli nr 1, a zilustrowane na wykresie zależności napięcia od ilości przekłamań - WYKRES nr 1 dla słowa A=0001 i WYKRES nr 2 dla słowa B=1110. Analizując otrzymane wyniki możemy wywnioskować, iż w zakresie pomiędzy 2,7[V] a 5[V] zachowana jest całkowita sprawność przechowywania informacji w tego typu pamięci. Chwilowy spadek napięcia wejściowego od 2,7[V] do 1,9[V] powoduje duży procent przekłamań dla słowa A=0001, a całkowity zanik zapisanej informacji - poniżej 2,5[V] dla słowa B=1110.

---