Elektronika laboratorium
Ćwiczenie 2
Diody półprzewodnikowe
Napięcie progowe jest to napięcia charakterystyczne dla każdego rodzaju diody, przy którym następuje przewodzenie diody. Poniżej tego napięcia, prąd ma bardzo małą wartość. Napięcie progowe dla diod krzemowych wynosi około 0,7V a dla diod germanowych około 0,3V. Typowa charakterystyka diody krzemowej wraz z zaznaczonym napięciem progowym UTO pokazany jest na obrazku poniżej:
Metoda doświadczalnego wyznaczania napięcia progowego, polega na dokonaniu pomiarów prądu przy stopniowo zwiększanym napięciu, następnie na podstawie otrzymanych wyników wyznaczeniu charakterystyki prądowo napięciowej diody. Punkt na osi U w którym prąd zaczyna nagle wzrastać, jest napięciem progowym. By wyznaczone napięcie progowe było w miarę dokładne należy dokonać pomiaru charakterystyki w możliwie dużej ilości punktów napięcia.
Wyznaczanie napięcia progowego Ut badanych diod odbyło się poprzez pomiar charakterystyk prądowo napięciowych.
Schemat pomiarowy:
Użyte przyrządy pomiarowe:
Zasilacz – Metex MS-9150
Woltomierz – Aglient 33405A
Miliamperomierz – Aglient 33405A
Przy pomiarze w kierunku zaporowym należy użyć metody poprawnie mierzonego prądu, natomiast przy pomiarze w kierunku przewodzenia – metody poprawnie mierzonego napięcia.
Dioda krzemowa prostownicza:
Użyta do pomiarów dioda to KD213A. Tabela pomiarowa:
Polaryzacja w kierunku przewodzenia |
---|
IF[A] |
Uf[V] |
UP=0,58V
Polaryzacja w kierunku zaporowym:
Polaryzacja w kierunku zaporowym |
---|
IR[µA] |
UR[V] |
Parametry katalogowe diody KD213A:
UBR=200V
IF=10A
Ut=1V
IR=0.2mA
Porównując wyniki pomiarów do danych katalogowych, można uznać że badany egzemplarz ma znacznie lepsze parametry niż podaje to producent. Napięcie progowe jest niemal połowę niższe, a prąd zaporowy 1000 razy mniejszy.
Wyznaczanie rezystancji szeregowej, prądu zerowego I współczynnika złącza
współczynnika złącza;
gdzie:
I0 – to prąd zerowy złącza wyznaczony jako przedłużenie wykresu (w skali log-lin) z osią prądu
RS – rezystancja szeregowa diody wyznaczona jako różnica napięć idealnej charakterystyki do prądu płynącego przez diodę lub nachylenie charakterystyki IF(URS)
URS – spadek napięcia na rezystancji RS
η – współczynnik złącza jako nachylenie wykresu (w skali log-lin)
UT – potencjał termodynamiczny
Charakterystyka logarytmiczno-liniowa diody krzemowej:
Przedłużając ekstrapolowany wykres do przecięcia z osią prądu, wyznaczony prąd nasycenia I0 wynosi 0,03A
Napięcie na rezystancji RS jest różnicą napięć UF , UP.
UP = 0,58 [V]
URS = UF - UP
IF[A] | 0,05 | 0,1 | 0,15 | 0,2 | 0,25 | 0,3 | 0,35 | 0,4 | 0,45 | 0,5 | 0,56 | 1,1 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
URS[V] | -0,06 | -0,03 | -0,03 | -0,024 | 0 | 0 | 0 | 0,01 | 0,018 | 0,02 | 0,026 | 0,07 |
Współczynnik złącza wyznaczymy ze wzoru
$$R_{s} = \frac{U}{I_{F}}$$
rr ≈ ΔUF/ΔIF
rr ≈ ηUT/IF
Rezystancje i współczynnik złącza dla trzech wybranych prądów
IF [A] | RS [Ω] | µ | rr ≈ ΔUF/ΔIF | rr ≈ ηUT/IF η=2 |
Rstat |
---|---|---|---|---|---|
0,1 | 0,6 | 0,013 | 0,6 | 11 | 5,5 |
0,2 | 0,12 | 0,019 | 0,12 | 5,56 | 2,78 |
0,45 | 0,16 | 0,038 | 0,16 | 2,66 | 1,33 |
Dioda schottky
Model diody użytej do pomiarów: sb5100
Parametry katalogowe diody:
Tabele pomiarowe i wykresy:
Dioda schottky w kierunku przeowdzenia |
---|
If[mA] |
Uf[V] |
Up=0,35V
Dioda schottky w kierunku zaporowym |
---|
IR[µA] |
UR[V] |
Wyznaczanie rezystancji szeregowej, prądu zerowego i współczynnika złącza przebiega identycznie jak dla diody krzemowej
Prąd nasycenia IS wynosi 0,01µA
IF [A] | RS [Ω] | µ | rr ≈ ΔUF/ΔIF | rr ≈ ηUT/IF η=1 ; 2 |
Rstat |
---|---|---|---|---|---|
0,02 | 2,5 | 0,22 | 2,5 | 17,5 | 17,5 |
0,08 | 0,63 | 0,4 | 0,83 | 5 | 5 |
0,22 | 0,18 | 0,75 | 0,29 | 4 | 2 |
Parametry diody z danych katalogowych:
VRRM=100V
IF(AV) = 5A
IFSM=150A
PD=5W
VF=0,85V
IR=0,5mA
Parametry zmierzone, podobnie jak w przypadku diody krzemowej, wypadły znacznie lepiej, gdyż:
VF=0,35V
IR=0,7µA
Dioda zenera
Dioda użyta do pomiarów to: BZT03C12
Dane katalogowe:
PV=3,25W
Tj=175 C
Napięcie zenera 12V
Tabele pomiarowe i wykresy:
Dioda Zenera polaryzacja w kierunku przewodzenia |
---|
IF[A] |
UF[V] |
Napięcie Up=0,7V
Dioda Zenera polaryzacja w kierunku zaporowym |
---|
IR[A] |
UR[V] |
Napięcie przebicia zenera UZ=12V.
Napięcie nasycenia Is=0,00000001A = 0,01µA
IF [A] | RS [Ω] | µ | rr ≈ ΔUF/ΔIF | rr ≈ ηUT/IF η=1 ; 2 |
Rstat |
---|---|---|---|---|---|
0,00042 | 239,81 | 1,3 | 256,41 | 1438,85 | 1438,85 |
0,00093 | 107,53 | 1,4 | 194,93 | 752,69 | 752,69 |
0,012 | 4,35 | 1,8 | 4,73 | 130,44 | 65,22 |
Wyznaczanie parametrów diody zenera dla polaryzacji w kierunku zaporowym dla trzech wartości prądu IZ:
Parametry diody przy polaryzacji w kierunku zaporowym |
---|
IZ [A] |
rr [Ω] |
Rstat [Ω] |
Dioda LED biała
Prąd diody: 20mA
Biała dioda LED przy polaryzacji w kierunku przewodzenia |
---|
IF[A] |
UF[V] |
Według charakterystyki prądowo-napięciowej, napięcie graniczne Up= 2,5V.
Biała dioda LED przy polaryzacji w kierunku zaporowym |
---|
IR[mA] |
UR[V] |
Z wykresu, odczytana wartość prądu nasycenia Is wynosi 0,000001[A] =1µA
IF [A] | RS [Ω] | µ | rr ≈ ΔUF/ΔIF | rr ≈ ηUT/IF η=1 ; 2 |
Rstat |
---|---|---|---|---|---|
0,003 | 166,67 | 1,3 | 378,79 | 1333,33 | 1333,33 |
0,0047 | 212,77 | 1,4 | 1588,23 | 1063,83 | 1063,83 |
0,015 | 333,33 | 1,8 | 485,44 | 666,67 | 666,67 |
Oznaczenie elementu półprzewodnikowego składa się z dwóch części: literowej i numerowej. Część literowa ma dwie litery.
Pierwsza litera określa materiał, z jakiego wykonano element:
A - materiał o szerokości pasma zabronionego 0,6-1,0 eV (np. Ge);
B - materiał o szerokości pasma zabronionego 1,0-1,3 eV (np. Si);
C - materiał o szerokości pasma zabronionego większej niż 1,3 eV (np. GaAs);
D - materiał o szerokości pasma zabronionego mniejszej niż 0,6 eV (np. InSb);
R - inne materiały.
Druga litera określa rodzaj elementu półprzewodnikowego:
A - diody detekcyjne, mieszające i szybko przełączające;
B - diody o zmiennej pojemności;
C - tranzystory małej mocy, małej częstotliwości;
D - tranzystory dużej mocy, małej częstotliwości;
E - diody tunelowe;
F - tranzystory małej mocy, wielkiej częstotliwości;
G - elementy powielające złożone z rożnych struktur;
H - czujniki Halla (sondy do pomiaru natężenia pola magnetycznego);
K - generatory Halla o otwartym obwodzie magnetycznym;
L - tranzystory mocy, wielkiej częstotliwości;
M - generatory Halla o zamkniętym obwodzie magnetycznym (np. modulatory);
P - elementy czułe na promieniowanie (np. fotodiody);
Q - elementy promieniujące (np. diody luminescencyjne);
R - tyrystory małej mocy;
S - tranzystory impulsowe małej mocy;
T - tyrystory mocy;
U - tranzystory impulsowe mocy;
Y - diody prostownicze;
X - diody powielające;
Z - diody stabilizacyjne (diody Zenera).
Część numerowa zawiera jedną literę i trzy cyfry lub dwie litery i dwie cyfry. Część ta określa grupę oraz konkretny typ elementu w danej grupie, zawiera informację o przeznaczeniu i wytwórcy elementu, a w niektórych przypadkach także o wartościach niektórych parametrów elementu. Ma ona następującą budowę:
P + 3 cyfry - dla elementów do zastosowań powszechnego użytku;
YP + 2 cyfry - dla elementów do zastosowań profesjonalnych;
AP + 2 cyfry - dla elementów do zastosowań specjalnych.
Dla elementów profesjonalnych można zamiast litery Y stosować litery Z, X, W itd., a dla elementów specjalnych zamiast litry A dalsze litery B, C, D itd. Litera P jest umownym znakiem wytwórcy (Naukowo-Produkcyjne Centrum Półprzewodników) i często nie występuje w oznaczeniu.
Oznaczenia diod stabilizacyjnych, diod prostowniczych i tyrystorów zawierają ponadto dodatkowe symbole informujące o wartościach niektórych parametrów:
Dla diod stabilizacyjnych litera (często poprzedzona znakiem minus) określa tolerancje napięcia stabilizacji:
A - 1%
B - 2%
C - 5%
D - 10%
E - 15%
Po tej literze następują cyfry określające wartość znamionowego napięcia stabilizacji w woltach. Literę V stosuje się zamiast przecinka, jeżeli napięcie stabilizacji jest liczbą ułamkową. Gdy dioda ma polaryzację odwrotną (obudowa połączona z anodą), to na końcu występuje litera R. Polaryzacji normalnej (obudowa połączona z katodą) nie oznacza się.
Dla diod prostowniczych i tyrystorów cyfry (poprzedzone znakiem minus, odstępem lub ukośnikiem) określają maksymalną wartość impulsowego napięcia wstecznego w woltach. Litera R oznacza również polaryzację odwrotną.
Kolor świecenia diody zależy od długości fali generowanego promieniowania. Zgodnie ze wzorem:
przy czym:
Wg = Wc – Wv – szerokość pasma zabronionego lub różnica energii poziomów, między którymi zachodzi rekombinacja,
h – stała Plancka,
c – prędkość światła
długość fali zależy od szerokości pasma zabronionego, więc im to pasmo jest szersze, tym mniejsza jest długość fali. Wzrost szerokości pasma zabronionego powoduje wzrost napięcia progowego.
Barwa światła emitowanego przez diodę LED zależy od rodzaju materiału z jakiego jest wykonana (półprzewodnika) oraz od technologii wykonania. Diody o barwie czerwonej i zielonej wykonane są z fosforku galu (GaP), a diody świecące na czerwono, pomarańczowo i żółto wykonuje się z arsenofosforku galu (GaAsP). Do wyrobu diod świecących w paśmie światła widzialnego używa się również fosforku galowo-indowego (InGaP) i arsenku glinowo-galowego(AlGaAs). Diody świecące światłem podczerwonym robi się z arsenku galu (GaAs) domieszkowanego cynkiem (Zn) i krzemem (SI).
Materiał | Barwa promieniowania |
GaAs GaP GaAs1-xPx AlxGa1-xAs |
podczerwień czerwna, zielona, żółta czerwona, pomarańczowa, zółta czerwona, podczerwień |
Odmiany i zastosowania diod LED:
IR – emitujące promieniowanie podczerwone – wykorzystywane w łączach światłowodowych, a także w urządzeniach zdalnego sterowania
HBLED, High Brightness LED – diody o wysokiej jasności świecenia; za takie uważa się, których jasność przekracza 0.2 cd; znajdują one zastosowanie w miejscach, gdzie zwykle używa się tradycyjnych źródeł światła – w sygnalizacji ulicznej, w oświetleniu pojazdów, w latarkach
tricolor LED – dioda mająca struktury do generowania trzech podstawowych barw (czerwony, zielony, niebieski), a co za tym idzie, przez możliwość ich mieszania, praktycznie dowolnej barwy
warm white LED – dioda LED generująca światło bardzo zbliżone do światła żarówki (temperatura barwy 3500 K, odpowiednio dobrana jaskrawość)
Diody elektroluminescencyjne LED należą do IV generacji sztucznych źródeł światła wykorzystywanych przez człowieka w oświetleniu. Pierwsze 3 generacje to oczywiście: płomień, lampy żarowe i lampy wyładowcze. Podział ten wynika z różnych mechanizmów powstania światła. W diodach LED, a także innych nowoczesnych źródłach światła, jakimi są diody organiczne lub polimerowe, podstawą świecenia jest zjawisko elektroluminescencji w ciele stałym (np. kryształ półprzewodnikowy).
Elektroluminescencja jest jednym z rodzajów luminescencji. U podstaw luminescencji leży zjawisko rekombinacji, czyli jeden ze sposobów przejścia układu z energetycznego stanu wzbudzenie do stanu podstawowego. W stanie podstawowym wszystkie elektrony zajmują w atomach możliwie najniższe stany energetyczne, a zewnętrzna powłoka atomowa, na której znajdują się elektrony tworzy tzw. pasmo walencyjne. Stan wzbudzenia to taki, w którym elektrony w atomach materiału są przeniesione z pasma walencyjnego na wyższe stany energetyczne, czyli do tzw. pasma przewodnictwa. Przeniesienie elektronu do pasma przewodnictwa następuje w wyniku oddziaływania zewnętrznego czynnika wzbudzającego. Tym czynnikiem może być temperatura (termoluminescencja), reakcja chemiczna (chemiluminescencja), oddziaływanie mechaniczne (tryboluminescencja), strumień elektronów (elektronoluminescencja) lub fotonów (fotoluminescencja), fala ultradźwiękowa (sonoluminescencja) lub zewnętrzne pole elektryczne (elektroluminescencja).
Ponieważ wszystko w naturze dąży do obniżenia swojego stanu energetycznego, więc również i wzbudzone elektrony dążą do tego, by pozbyć się nadmiaru energii. Warunkiem tego, by elektron mógł oddać energię przechodząc na niższy poziom energetyczny jest istnienie pustego stanu dozwolonego na tym niższym poziomie energetycznym oraz prawdopodobieństwo takiego przejścia większe od zera. Innymi słowy w paśmie walencyjnym musi znajdować się puste miejsce, tzw. dziura, które elektron może obsadzić. Przejście elektronu ze stanu wzbudzenia do stanu podstawowego, w którym elektron zajmuje miejsce dziury nazywa się rekombinacją (lub anihilacją) pary elektron-dziura. Różnicę energii sprzed rekombinacji i po rekombinacji elektron może wypromieniować w postaci fali elektromagnetycznej i wówczas mówimy o rekombinacji promienistej. Gdy czynnikiem, który doprowadził do rekombinacji promienistej jest wstrzykiwanie do układu nośników ładunku elektrycznego poprzez oddziaływanie zewnętrznego pola elektrycznego, to wówczas mamy do czynienia z elektroluminescencją. Światło widzialne powstaje wtedy, gdy różnica energii pomiędzy pasmem przewodnictwa, a pasmem walencyjnym odpowiada energiom fal z zakresu widma widzialnego.
Otrzymywanie białych diod LED
Diody LED są emiterami wytwarzającymi promieniowanie w wąskim zakresie widma częstotliwości – są więc źródłami światła monochromatycznego. Światło białe jest natomiast wrażeniem wzrokowym, które odczuwa człowiek w wyniku pobudzenia siatkówki oka światłem zawierającym fale świetlne z całego widma widzialnego od 425 nm do 675 nm. Nie jest więc możliwe bezpośrednie uzyskanie światła białego z pojedynczego złącza półprzewodnikowego p-n, które najczęściej emituje widmo o szerokości połówkowej nie przekraczającej kilkunastu nanometrów (podstawowe informacje o złączu p-n i działaniu diod LED zamieściłem w pierwszej części artykułu pt. Elektroluminescencja). Mimo to wytwarza się białe diody LED, i co więcej, są one przyszłością nowoczesnej techniki oświetleniowej.
Żeby wykonać białą diodę LED korzysta się z jednego z podstawowych praw kolorymetrii, a mianowicie sumowania addytywnego podstawowych barw światła. W wyniku dodania barw światła: czerwonej, zielonej i niebieskiej (RGB – ang. Red Green Blue) możliwe jest otrzymanie światła białego. Warunkiem jest, by natężenia poszczególnych barw pozostawały ze sobą w ścisłych stosunkach ilościowych. Wychodząc od prawa addytywności barw stosuje się 3 główne metody otrzymania białej diody LED: mieszanie światła kilku barw, konwersja długości fali z wykorzystaniem luminoforu lub metoda hybrydowa będąca połączeniem 2 pierwszych.
Mieszanie światła. W pierwszej metodzie najczęściej umieszcza się w jednej obudowie 3 chipy LED tworzące diodę RGB (rys. 1). W wyniku addytywnego sumowania barw otrzymywany jest kolor biały. Jest to rozwiązanie o największej wydajności, gdyż nie występują tu straty w luminoforze związane z konwersją światła. Rozwiązanie to daje duże możliwości w zakresie elastycznego sterowania temperaturą światła białego i współczynnikiem oddania barw CRI. Przykładowo dzięki zastosowaniu 3 barw podstawowych możliwe jest otrzymanie maksymalnego wskaźnika oddawania barw CRI około 90, natomiast jeżeli dodać jeszcze 2 diody – jedną turkusową i jedną żółtą, to wówczas maksymalne CRI wynosi 99 (!). Niekorzystną cechą tej metody jest duży koszt i komplikacja obwodu zasilająco-sterującego. Każda z diod wymaga osobnego obwodu zasilającego ustalającego odpowiedni punkt pracy. Dodatkowo trzeba uwzględnić różnice w natężeniu oświetlenia poszczególnych barw. Odmienne są też charakterystyki termiczne i starzeniowe dla każdego rodzaju diod, co wymaga uwagi podczas projektowania i wykonywania kompensującego te zmiany systemu sterującego. W metodzie mieszania barw wykorzystuje się również matryce dyskretnych diod: czerwonych, zielonych i niebieskich. Wówczas należy wykorzystywać rozpraszające układy optyczne, które wspomogą |
|
---|
efekt mieszania barw. Metoda mieszania RGB jest często nazywana metodą cyfrową otrzymywania światła białego, gdyż w metodzie tej często wykorzystuje się mikroprocesory, które biorą na siebie zadanie związane z odpowiednim wysterowaniem diod i uzyskaniem światła o pożądanych parametrach. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Wyniki pomiarów:
|
Współczynnik stabilizacji
Uwe | Uwy | Su |
---|---|---|
[V] | [V] | |
12 | 12 | 1 |
15 | 12,2 | 0,81 |
16 | 12,5 | 0,78 |
Podczas przeprowadzania tego ćwiczenia, nasz zespół popełnił błąd przy pomiarze charakterystyk wyjściowych stabilizatora parametrycznego. Możliwe iż dioda uległa uszkodzeniu lub, sądząc po napięciu wyjściowym równym 0,7V czyli tyle co napięcie progowe tej diody w kierunku przewodzenia, dioda była wpięta do układu w polaryzacji w kierunku przewodzenia. Jako, iż błąd został zauważony, zdobyte doświadczenie pozwoli uniknąć podobnych błędów w przyszłości. Pozostałe pomiary wyglądają na poprawne. W niektórych przypadkach, jak w przypadku radzieckiej diody krzemowej KD213A, wyznaczone parametry okazały się znacznie lepsze od danych katalogowych, co może być wynikiem posiadania wyjątkowo udanego egzemplarza diody.
Ćwiczenie pozwoliło nam w praktyce zobaczyć, a dzięki temu zrozumieć zasady działania diod półprzewodnikowych, a popełnione błędy podczas pomiarów nauczyły unikania ich w przyszłości, z czego wnioskuję, że przeprowadzenie ćwiczenia było bardzo korzystne.