3 Diody półprzewodnikowe +

background image

III. Diody półprzewodnikowe

1

III. Diody półprzewodnikowe

Wstęp

Podział złączy

złącza p-n, w którym styk tworzą obszary

p oraz n z tego samego materiału
półprzewodnikowego, np. krzemu,

złącza m-s, w których w kontakcie

pozostają obszary półprzewodnika i metalu,

heterozłącza, w których pozostają w

kontakcie dwa różne materiały
półprzewodnikowe, (Ge – Si)

struktura MIS (metal–izolator–półprzewodnik)



p-n

m-s

MIS

diody

Schottky

tranzystory

polowe

Praktyczne wykorzystanie złączy

diody

Schottky

tranzystory

polowe

Rys. 3.1

ch – ki

i(u)

ch – ki

C(u)

background image

III. Diody półprzewodnikowe

2

Technologia złącza p-n

„

Zależność N

D

, N

A

= f(x)

10

18

10

17

10

16

10

15

x

j

N

A

x

N

D

N

A

(baza)

x

j

[cm

-3

]

N

D

,N

A

baza

( )

( )

j

A

j

D

x

N

x

N

=

x

dx

dN

j

D

N

D

Rys. 3.3

x

Si, typ p, N

A

= 10

15

cm

-3

a)

b)

Rys. 3.2

background image

III. Diody półprzewodnikowe

3

Złącze niespolaryzowane (u = 0)

Rys. 3.4

obszar ładunku przestrzennego

obszar opróżniony złącza
obszar przejściowy
warstwa zaporowa złącza

napięcie kontaktowe

napięcie dyfuzyjne
napięcie bariery
napięcie wbudowane

2

i

D

A

T

B

n

N

N

ln

U

U

=

(3.2)

dla S

i

w temperaturze 300K →

mV

700

U

B

n

p

<<

p

n

<<

2

i

n

np

=

P

P

N

N

Warstwa zaporowa

U

B

Rys. 3.5

background image

III. Diody półprzewodnikowe

4

p

n

-x

n

x

p

x

x

-x

n

x

p

x

p

Q

-x

n

obszar

neutralny

obszar

neutralny

U

B

D

N

q

warstwa

zaporowa

A

N

q

E

mx

E

x

a)

b)

c)

U

D

>

N

A

Słuszna jest zależność

p

D

n

A

x

N

x

N

=

(3.4)

Grubość obszarów opróżnionych

B

B

D

A

D

A

0

n

U

~

U

N

q

N

N

N

2

x

+

εε

=

(3.6a)

B

B

A

D

D

A

0

p

U

~

U

N

q

N

N

N

2

x

+

εε

=

(3.6b)

B

p

n

U

~

,

x

Rys. 3.6

background image

III. Diody półprzewodnikowe

5

Złącze spolaryzowane

Kierunek

przewodzenia

Kierunek

zaporowy

Rys. 3.7

Kierunek zaporowy

Kierunek przewodzenia

E

I

u

U

B

+ E

E

I

d

-I

u

U

B

- E

a)

b)

I

nu

I

pu

I

pd

I

nu

I

pu

I

nd

N

P

N

P

Rys. 3.8

(

)(

)

u

U

N

N

qN

N

2

X

B

D

A

D

A

0

n

+

εε

=

~

u

U

B

(3.7a)

(

)

u

U

N

)

N

N

(

q

N

2

X

B

A

d

A

D

0

p

+

εε

=

~

u

U

B

(3.7b)

u

U

~

,

x

B

p

n


background image

III. Diody półprzewodnikowe

6

Charakterystyka statyczna i(u) złącza idealnego

złącze skokowe

jednowymiarowy charakter zjawisk w złączu

niski poziom wprowadzania

pole elektryczne występuje tylko w warstwie zaporowej

rezystywność obszarów neutralnych = 0

brak procesów gen.– rekomb. w obszarze ładunku przestrz.

nie występują efekty przebicia

złącze idelane

Gdy warunki te są spełnione

„

Wzór na statyczną charakterystykę prądowo – napięciową i(u) złącza
idealnego ma postać



gdzie:

potencjał termiczny

q

kT

U

T

=

(3.9)

prąd nasycenia



+

=

D

p

p

A

n

n

2

i

S

N

L

D

N

L

D

n

S

q

I

(3.10)

dla złącza

p+n

D

p

p

2

i

S

N

L

D

n

S

q

I

=

(3.11)

p+n

Dla krótkiej bazy

L

p

→ W

n

Można napisać, że:

2

i

S

n

S

~

I

(3.12)

S

I

(nanoampery, pikoampery)

Model wielkosygnałowy

statyczny

B

u

A

i

⎟⎟

⎜⎜

=

1

U

u

exp

I

i

T

S

(3.8)

background image

III. Diody półprzewodnikowe

7

„

Postać graficzna modelu

Skala log-lin (przykład liczbowy)

Rys. 9

Charakterystyka odcinkowo – liniowa

U

p

i

u

100

i

max

max

i

U

p

i

u

U

p

i

u

a)

b)

c)

α

α

Rys. 3.10

„

Uproszczenia

• dla

T

U

4

u

:

T

S

U

u

exp

I

i

=

(3.13a)

błąd < 1-2%


• dla

T

U

4

u

:

s

I

i

=

(3.13b)

„

Inercja elektryczna

Pojemność dyfuzyjna (C

d

)

T

S

d

U

I

i

C

+

τ

=

czyli

i

~

C

d

(3.14)

-I

S

background image

III. Diody półprzewodnikowe

8

Pojemność złączowa (C

j

)

B

U

u

0

j

j

1

C

C

=

(3.16)

C

j0

=C(u = 0)

Zależność graficzna pojemności od napięcia na złączu

C

j

(0)

u

C

j

C

d

U

p

C

d

C

j

Rys. 3.11

Wielkosygnałowy dynamiczny model diody p-n

postać symboliczna

u

)

u

(

i

t

i

j

C

d

C

Rys. 3.12

postać analityczna

( )

(

)

dt

du

C

C

u

i

i

d

j

t

+

+

=

background image

III. Diody półprzewodnikowe

9

Parametry małosygnałowe idealnego złącza p-n

Jak wynika z rozdz. 1 mały przyrost prądu

I

a

diody opisanej wzorem

i

A

= f(u

AB

)

wokół pkt. pracy o współrzędnych

(I

0

,U

0

)

jest równy różniczce

funkcji opisującej zależność i od u.

ab

P

a

U

du

di

I

=

(3.19)

gdzie przewodność dyfuzyjna:

T

S

0

I

T

S

U

,

I

d

U

I

I

U

I

i

du

di

g

0

0

0

+

=

+

=

=

(3.20)

np.: dla I

0

=1mA, T=300K,

g

d

=40mS, r

d

=25Ω

Rezystancja dyfuzyjna:

d

d

g

1

r

=

(3.21)

Przy polaryzacji zaporowej

I

0

= -I

S

→ g

d

= 0

(3.22)

W analizie małosygnałowej konduktacja (rezystancja) dyfuzyjna może być
przedstawiona za pomocą rezystora liniowego.

d

g

a

I

ab

U

A

B

Rys. 3.13

A zatem dla małych amplitud sygnału harmonicznego można zapisać

a

d

ab

I

r

U

=

(3.23)

Konduktancja dyfuzyjna opisuje związek między

U

ab

oraz

I

a

jaki ustali się po

czasie >>

τ

p

i τ

n

.

model małosygnałowy dla w. cz.

ab

U

a

I

t

I

j

C

d

C

A

B

d

g

dj

I

Rys. 3.14

background image

III. Diody półprzewodnikowe

10

Stąd

(

)

j

d

d

C

C

j

g

Y

+

ω

+

=

(3.24)

gdzie

0

d

I

~

C

( )

B

0

j

j

U

U

1

0

C

C

=

dla przedstawionego modelu zachodzą związki

j

d

a

t

I

I

I

+

=

(3.25a)

ab

t

U

Y

I

=

(3.25b)

(

)

ab

2

j

d

2

2

d

t

U

C

C

g

I

+

ω

+

=

(3.25c)

Właściwości diod rzeczywistych

„

Liniowy rozkład domieszek

szerokości obszaru opróżnionego

(

)

3

B

3

B

0

u

U

~

u

U

a

q

12

d

εε

=

(3.26)

pojemności złączowej

3

B

0

j

j

U

u

1

C

C

=

(3.27)

„

Wysoki poziom wprowadzania (WPW)

Dla WPW

:

T

ws

nU

U

exp

I

i

=

(3.28)

gdzie:

n>1

,

I

ws

>> I

S

, 1 < n < 2

Inny stosowany opis:

T

H

S

U

u

exp

I

/

i

1

I

i

+

=

(3.29)

gdzie

I

H

– tzw. prąd kolana (prąd graniczny)

Jeżeli

i >> I

H

wówczas:

T

U

2

u

exp

~

i

tzn.

n = 2

we wzorze (3.28)

background image

III. Diody półprzewodnikowe

11

„

Rezystancja szeregowa diody

s

r

2

1

s

r

2

1

Rys. 3.15

⎟⎟

⎜⎜

=

1

U

i

r

u

exp

I

i

T

S

S

(3.31)

⎟⎟

⎜⎜

+

+

=

1

I

i

ln

U

ir

u

S

T

S

(3.32)

dla przypadku stałoprądowego

AB

u

s

r

A

i

B

A

Rys. 3.16

dla małego sygnału

(po zróżniczkowaniu zależności (3.32))

ab

U

s

r

a

I

B

A

d

r

Rys. 3.17

„

Procesy generacji i rekombinacji nośników w warstwie
zaporowej złącza

generacja

– dla kierunku zaporowego, dodatkowa składowa prądu

generacyjnego.

)

u

(

d

n

g

i

i

G

=

(3.34)

⎟⎟

⎜⎜

kT

2

W

exp

u

U

~

i

0

g

B

G

(3.35)

rekombinacja

– dla kierunku przewodzenia część nośników w obszarze

bariery rekombinuje, stąd dodatkowa składowa prądu rekombinacyjnego

I

R

wynosi:

T

RS

R

mU

u

exp

I

i

=

(3.37)

background image

III. Diody półprzewodnikowe

12

„

Zjawiska przebić złącza

zjawisko Zenera

zjawisko jonizacji zderzeniowej

(powielanie lawinowe

gdy duże napięcie)

0

w

i

M

i

=

(3.39)

gdzie:

i

w

– prąd wsteczny w zakresie powielania lawinowego

i

0

– prąd przy braku powielania

M

– współczynnik powielania lawinowego (formalnie też zjawisko

Zenera) o postaci:

η

⎟⎟

⎜⎜

=

Z

U

u

1

1

M

(3.40)


U

Z

– napięcie przebicia przy którym prąd

→ ∞

η – zależy od rodzaju złącza

( )

6

,

2

η

10mA

u

Definicja

formalna

i

Definicja

praktyczna

Z

U

Rys. 3.18

Podsumowanie diod rzeczywistych

Kierunek zaporowy

(

)

u

i

S

G

CW

I

I

i

M

i

0

+

+

=

4

8

47

6

(3.50)

background image

III. Diody półprzewodnikowe

13

U

Z

i

u

M

!

i

CW

i

G

I

S

Rys. 17

Kierunek przewodzenia

I

II

III

lni

1

n

,

nU

i

r

U

exp

I

i

T

s

WS

>

=

T

S

U

u

exp

I

i

=

1

m

,

mU

u

exp

I

i

T

RS

>

=

u

A

kilkaset

μ

H

I

Rys. 3.20

Model małosygnałowy

A

j

C

d

r

d

C

B

Dioda

idealna

d

L

s

r

o

C

Rys. 3.21

background image

III. Diody półprzewodnikowe

14

Wpływ temperatury

„

Charakterystyka wsteczna

(

)

[

]

0

Z

0

Z

Z

T

T

1

U

U

β

+

=

(3.42)

Z

β

<0 – Przebicie Zenera

Z

β

>0 – przebicie lawinowe

Z

β

≈ 0 dla u ≈ 6V

Β

Z

≈ 10

-3

K

-1

≈ const. – dla diod o napięciu przebicia U

Z

>20V

20V

10

-3

K

-1

Z

β

ok. 6V

Rys. 23

2

0

g

G

G

iG

kT

2

W

dT

di

i

1

=

=

γ

(3.43)

dla krzemu (T = 300 K) →

8

iG

γ

1

K

%

2

go

S

S

IS

kT

W

dT

dI

I

1

=

=

γ

(3.44)

„

Kierunek przewodzenia





T

go

U

U

u

exp

A

i

=

(3.47)

T

0

g

U

U

u

A

i

ln

=

stąd:

go

U

A

i

ln

q

kT

u

+

=


background image

III. Diody półprzewodnikowe

15

Ostatecznie:

T

U

u

A

i

ln

q

k

T

u

0

g

=

=

Graficzna interpretacja zależności

A

i

ln

q

k

T

u

=

i

3

i

2

i

1

u

T

Rys. 3.24

-2mV/K

kilka %/K

i

T>T

O

T

U

u

T

u

go

.

const

i

=

=

I

O

T

O

u

Rys. 3.25

background image

III. Diody półprzewodnikowe

16

„

Parametry małosygnałowe

T

S

0

d

U

I

I

g

+

=

d

d

g

C

τ

=

Pojemność

B

0

j

j

U

/

u

1

C

C

=

zależy od temperatury poprzez

2

i

D

A

B

n

N

N

ln

q

kT

U

=

Dopuszczalna temperatura złącza

P

R

T

T

th

a

j

+

=

th

a

max

j

max

R

T

T

P

=

background image

Zasady analizy układu z elementami

półprzewodnikowymi

A) Obliczanie składowej stałej napięcia/prądu

Usunąć źródła zmiennoprądowe

U

m

, I

m

= 0

B) Obliczanie składowej zmiennej napięcia/prądu

Model małosygnałowy układu (zasada tworzenia):

elementy nieliniowe układu zastępujemy odpowiednimi modelami

małosygnałowymi tych elementów

zwieramy źródła napięcia stałego

rozwieramy źródła prądu stałego

pozostałe elementy pozostawiamy bez zmian

Przykład

Analizowany układ nieliniowy

D

1

D

2

U

0

U

1

sin

2

t

I

1

sin

1

t

I

0

C =

C =

R

1

2

1

ad. A

ad. B (przypadek m.cz.)

D

1

D

2

R

1

U

0

I

0

I

1

sin

1

t

U

1

sin

2

t

r

d1

r

d2

R

1

1

2

3

1

2

3

3

2

1


Document Outline


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE1, WY?SZA SZKO?A IN?YNIERSKA
Diody półprzewodnikowe
Badanie diody półprzewodnikowej, Agnieszka Wojakowska
Badanie diody półprzewodnikowej, Agnieszka Wojakowska
DIODY POLPRZEWODNIKOW id 136607 Nieznany
Diody półprzewodnikowe (2)
Diody półprzewodnikowe, Wydzia?
Diody polprzewodnikowe, POLITECHNIKA CZ˙STOCHOWSKA
INSTRUKCJE, cw51wstep, BADANIE DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ 51
lab - Badanie charakterystyki diody półprzewodnikowej, Geodezja i Kartografia, Fizyka
diody półprzewodnikowe, II Rok, Laboratorium z Elektroniki
Diody półprzewodnikowe
diody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikwe
Diody półprzewodnikowe
Wyznaczanie charakterystyki diody półprzewodnikowej, Pollub MiBM, fizyka sprawozdania

więcej podobnych podstron