1)większość podłoży krzemowych wytwarzana jest metodą:

a)czochralskiego

2) węglik krzemu w technologii przyrządów półprzewodnikowych jest stosowany:

a)do wytwarzania tranzystorów mocy

3)homoepitaksja to osadzanie warstwy arsenku galu na podłożu:

a)GaAs

4)metodą MOVPE można osadzać:

a)domieszkowane warstwy epitaksjalne

5)do wytwarzania dielektryków stosujemy metody:

b)CVD c)utlenianie termiczne

6)proces utleniania termicznego krzemu prowadzony jest typowo w temperaturze

a)900-1200C

7)w procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jest:

c)suma liczby atomów domieszki w podłożu i na jego powierzchni

8)w procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od:
a)dozy jonów b)energii wiązki
9)wygrzewanie poimplantacyjne stosuje się w celu:
a) aktywacji domieszki c)regeneracji struktury krystalicznej

10)w półprzewodniku domieszkowanym na typ p występuje duża koncentracja:

b)dziur w paśmie walencyjnym
11)z jakiej techniki litograficznej uzyskuje się najmniejsze wymiary wzorów

c)litografię EUV

12) w fotolitografii EUV stosuje się maski;

b)refleksyjne

13)w technologii struktur półprzewodnikowych wiązkę elektronową stosuje się do:

a)nanolitografii

14)warstwa trawi się anizotropowo tj.:

c)z jednakową szybkością w różnych kierunkach

15)w technice RIE stosuje się:
a)zjonizowane gazy reagujące z