Mechatronika 1 rok |
Badanie własności prostowniczych diod półprzewodnikowych. | 16.04.2011r. |
---|---|---|
Wstęp
Dioda jest to elektryczny element półprzewodnikowy. Cechą charakterystyczną jest wyłącznie jednokierunkowy przepływ prądu (w kierunku przewodzenia). Elektroniczne diody półprzewodnikowe wykonane są zazwyczaj, w oparciu o złącze dwóch półprzewodników (złącze p-n). W obszarze typu „n” występują nośniki większościowe ujemne (elektrony) oraz unieruchomione w siatce krystalicznej atomy domieszek (donory, V grupa układu okresowego). W obszarze typu „p” nośnikami większościowymi są dziury oraz atomy domieszek akceptorowych.
Stan w złączu niespolaryzowanym w pobliżu złącza p-n nośniki większościowe dyfudują, co spowodowane jest różnicą koncentracji nośników. Gdy elektrony przemieszczają się do obszaru „p” a dziury do „n”, stają się nośnikami mniejszościowymi. Dochodzi do rekombinacji z nośnikami większościowymi, które nie przeszły na drugą stronę złącza. Powoduje to redukcję nośników po obu stronach złącza. W efekcie powstają nieruchome jony, które wytwarzają pole elektryczne zapobiegające dalszej dyfuzji (warstwa zaporowa).
Polaryzacja w kierunku przewodzenia – bariera potencjałów zostaje zmniejszona o wartość zewnętrznego napięcia U. Gdy U przekroczy wartość napięcia dyfuzyjnego, wówczas obszar zubożony znika i praktycznie bez przeszkód następuje przepływ prądu elektrycznego.
Polaryzacja zaporowa – w tym przypadku bariera potencjałów zwiększa się, gdyż do napięcia dyfuzyjnego dodaje się napięcie zewnętrzne. Przy takiej polaryzacji płynie tylko niewielki prąd unoszenia.
Przebicie lawinowe – jeśli napięcie przyłożone w kierunku zaporowym jest odpowiednio duże, to nośniki przechodzące przez obszar zubożony uzyskują duża energię. Zderzają się z węzłami siatki krystalicznej przekazując im swoją energię, co powoduje przejście elektronów do pasma przewodnictwa (a więc i utworzenie dziur). Pojawiają się nowe nośniki, które również doznają przyspieszenia, zderzają się z węzłami siatki itd. Proces ten nabiera charakteru lawinowego i nazywany jest przebiciem lawinowym – nie powoduje jednak uszkodzenia złącza. Efektem jest gwałtowny wzrost prądu w obwodzie (prąd jonizacji lawinowej).
Tabela pomiarowa
DIODA I | DIODA II | DIODA III |
---|---|---|
Kierunek przewodzenia |
Kierunek zaporowy |
Kierunek przewodzenia |
U [V] |
I [mA] |
U [V] |
0,000 | 0,00 | 0,00 |
0,100 | 0,09 | 2,00 |
0,150 | 0,52 | 4,00 |
0,160 | 0,76 | 6,00 |
0,170 | 1,10 | 8,00 |
0,180 | 1,63 | 10,00 |
0,190 | 2,36 | 12,00 |
0,200 | 3,42 | 14,00 |
0,210 | 4,95 | 16,00 |
0,220 | 7,12 | 18,00 |
0,230 | 10,34 | 20,00 |
0,240 | 14,89 | 21,00 |
0,250 | 21,12 | 22,00 |
0,260 | 30,16 | 23,00 |
0,270 | 41,80 | 24,00 |
Obliczenia
- Niepewności pomiarowe należało wyznaczyć korzystając z :
ΔI= 0,02I ΔU= 0,04U
- Niepewność standardowa:
$$u\left( x \right) = \sqrt{\frac{({_{d}x)}^{2}}{3}}$$
Np.
Dla U= 0,170 [V]
U = 0, 04 * 0, 170 = 0, 068[V]
Np.
Dla I= 4,95[mA]
I = 0, 02 * 4, 95 = 0, 099[mA]
Pozostałe pomiary zostały obliczone analogicznie i zamieszczone w tabeli poniżej.
Dioda I |
---|
Kierunek przewodzenia |
U [V] |
0,000 |
0,100 |
0,150 |
0,160 |
0,170 |
0,180 |
0,190 |
0,200 |
0,210 |
0,220 |
0,230 |
0,240 |
0,250 |
0,260 |
0,270 |
Dioda II |
---|
Kierunek przewodzenia |
U [V] |
0,000 |
0,200 |
0,400 |
0,500 |
0,550 |
0,600 |
0,620 |
0,640 |
0,660 |
0,680 |
0,700 |
0,720 |
0,740 |
0,760 |
0,780 |
Dioda III |
---|
Kierunek przewodzenia |
U [V] |
0,000 |
0,200 |
0,400 |
0,500 |
0,600 |
0,630 |
0,650 |
0,680 |
0,700 |
0,710 |
0,720 |
0,730 |
0,740 |
0,750 |
0,760 |
Charakterystyki prądowo- napięciowe
Oszacowane wartości napięć progowych Ub diod z charakterystyk I= f(U):
- kierunek przewodzenia
Ub(I) = 0,15[V]
Ub(II) = 0,5[V]
Ub(III) = 0,6[V]
- kierunek zaporowy
Ub(I) = ---
Ub(II) = ---
Ub(III) = 18[V]
- Niepewność ΔUb :
Ub = 0, 04 * Ub
- Kierunek przewodzenia:
Ub(I) = 0, 006[V]
Ub(II) = 0, 020[V]
Ub(III) = 0, 024[V]
- Kierunek zaporowy:
Ub(III) = 0, 72[V]
Wnioski
Celem ćwiczenia było zbadanie własności prostowniczych diod półprzewodnikowych oraz wyznaczenie ich charakterystyk prądowo- napięciowych. Z charakterystyk wynika, że dioda nr I najlepiej przewodzi prąd w kierunku przewodzenia, ponieważ jej napięcie progowe Ub jest najniższe. Jeżeli chodzi o kierunek zaporowy to wartości natężenia prądu dla diod I i II były w badanym zakresie napięcia rzędu 10-4 mA a więc bardzo niskie. Jedynie dioda nr III od wartości 18V wykazała znaczny skok natężenia, więc uznałem, że ma najmniejszy opór.