111. Opisz własności idealnej struktury MIS (MOS) – wytwarzanie stanu akumulacji, zubożenie, inwersja.
Akumulacja – w tranzystorach z kanałem indukowanym, gdy do bramki doprowadzi się napięcie ujemne w stosunku do podłoża, źródło zostaje oddzielone od drenu dwoma przeciwnie spolaryzowanymi złączami p-n.