Podstawowe parametry układu regularnego
a=b=c, α=β=γ | Prymitywna P | Przestrzennie centrowana I | Powierzchniowo centrowana F |
---|---|---|---|
Objętość komórki elementarnej | a3 |
a3 |
a3 |
Ilosc wezłow na komórke | 1 | 2 | 4 |
Liczba koordynacyjna | 6 | 8 | 12 |
Odleglosc najblizszych sasiadow | a | $$\frac{a\sqrt{}3}{2}$$ |
$$\frac{a\sqrt{}2}{2}$$ |
Liczba drugich sasiadów | 12 | 6 | 6 |
Odległosc drugich sasiadów | $$a\sqrt{}2$$ |
a | a |
Współczynnik upakowania
Dla P: $k = \frac{\frac{4}{3}\pi\left( \frac{a}{2} \right)^{3}}{a^{3}} = \frac{\pi}{6} \approx 0,52$
Dla I: $k = \frac{2*\frac{4}{3}\pi\left( \frac{a\sqrt{3}}{4} \right)^{3}}{a^{3}} = \frac{\pi\sqrt{3}}{8} \approx 0,68$
Dla F: $k = \frac{4*\frac{4}{3}\pi\left( \frac{a\sqrt{2}}{4} \right)^{3}}{a^{3}} = \frac{\pi\sqrt{2}}{6} \approx 0,74$
Obliczanie wskaźników Millera dla płaszczyzn atomowych
Obliczanie hkl przykład
1) A = 2, B = 3, C = 6
2) Tworzymy odwrotności $\frac{1}{2}$, $\ \frac{1}{3}$, $\frac{1}{6}$
3) określamy najniższy wspólny mianownik D = 6
4) obliczamy wskaźniki h = $\frac{D}{A}\ = \ \frac{6}{2}\ = \ 3$, k = $\frac{D}{B} = \ \frac{6}{3} = 2,\ $ l = $\frac{D}{C} = \ \frac{6}{6} = 1$
Jeśli płaszczyzna nie przecina którejś osi jej wskaźnik Millera wynosi 0. Wszystkie płaszczyzny równoległe do danej płaszczyzny mają te same wskaźniki Millera.
Wiązania krystaliczne
- jonowe – atom z jednym elektronem walencyjnym oddaje go atomowi któremu brakuje jednego elektrony do zapełnienia powłoki. Powstają dwa jony które przyciągają się elektrostatycznie.
V(r)=-e2/r. Przykłady: NaCl, CsCl, KJ – złe przewodniki elektryczne ( nie ma swobodnych nośników)
- wodorowe – wiązanie tworzy się pomiędzy atomem wodoru związanym z atomem o dużej elektroujemności, a atomem z wolnymi param elektronowymi. Np. HF2, H2O, DNA
- kowalencyjne tworzą dwa elektrony, każdy z atomu biorącego udział w wiązaniu. Elektrony maja spiny skierowane przeciwnie. Wiązanie cechuje silna anizotropia. Np. C, Si, Ga, SiC, BN (są półprzewodnikiem)
- metaliczne elektrony walencyjne oderwane od atomów są rozłożone równomiernie w sieci jonów tworząc gaz elektronów przewodnictwa. Elektrony oderwane od atomów tworzą gaz elektronowy, natomiast jony w węzłach sieci krystalicznej wykonują drgania. Np. metale przejściowe (Fe, Ni, W – energia spójności ~1eV/atom), metale alkaliczne (Na, Li, K – energia spójności ~3-8eV/atom)
- molekularne występuje pomiędzy atomami w których zachodzi oddziaływanie van der Waals’a tj. oddziaływanie pomiedzy fluktuującymi dipolami elektrycznymi tych atomów. Np. gazy szlachetne Nc, Ar, Kr, Xe
PRAWA LAUEGO I BRAGGA DYFRAKCJI
Warunek dyfrakcji: Długość fali użytego promieniowania jest porównywalna z odległością pomiędzy atomami w kryształach
Warunki Lauego: Różnica dróg przebytych przez fale rozproszone na atomach: ∆=a-b=dcosΦ-dcosΨ. Jeżeli spełniony jest warunek:∆=hλ (h-l. całkowita) zachodzi interferencja konstruktywna (nastąpi maksymalne wzmocnienie)
Warunki Lauego w przypadku 3-wymiarowym:
d(cosΦ1-dcosΨ1)=hλ
d(cosΦ2-dcosΨ2)=kλ
d(cosΦ3-dcosΨ3)=lλ
h,k,l – warunki Millera
Prawo Bragga – dyfrakcja promieniowania X
2dsinΘ=nλ
Jeżeli zajdzie taki warunek że 2dsinΘ=nλ tzn. że ta wiązka po zajściu dyfrakcji interferuje się i ma maksymalne wzmocnienie
Metody doświadczalne badania struktury krystalicznej
- Lauego - używamy wiązki białej promieniowania X (widmo ciągłe X). Służy do badania monokryształów. Próbka monokryształu ma wymiary rzędu 1mm. Obraz dyfrakcyjny jest układem plamek dyfrakcyjnych. Jeżeli ten układ nie jest symetryczny świadczy to o niedokładności kryształu.
- Obracanego kryształu - stosujemy wiązkę monochromatyczną. Próbka się obraca. Stosowana do badania monokryształów (1mm). Obrót kryształu pozwala zmienić kąt Θ i pozwala spełnić równanie Bragga
- Debye’a – Scherrera (proszkowa) – używamy fali monochromatycznej. Stosowana do badania polikryształów.
Informacji uzyskane z dyfraktogramów:
- typ sieci krystalicznej
- stałe sieci krystalicznej
- średnie rozmiary kryształów
- średni poziom odkształceń sieci
Wzór Scherrera: $D_{h\text{kl}} = \frac{\text{kλ}}{\text{Bcos}\Theta}$, k≈1 – stała Scherrera (D- śr. Wielkość kryształu w kierunku prostopadłym do płaszczyzny hkl, B-szerokość połówkowa wierzchołka dyfrakcyjnego)
Model elektronów swobodnych
a) złożenie modelu
- elektrony biorące udział w przewodzeniu prądu są elektronami walencyjnymi. W zależności od rodzaju przewodnika jest ich od 1 do 3.
- ruch elektronów jest jednowymiarowy
- elektrony nie opuszczają metalu – nie pozwala im na to bariera potencjału na powierzchni
- elektrony nie oddziałują z jonami sieci krystalicznej, czyli energia potencjału V=0
b) energia Fermiego
W temperaturze bliskiej 0K elektrony w metalu zajmuja kolejne stany energii az do pewnej energii maksymalnej zwanej energia Fermiego
c) funkcja Fermiego-Diraca
Jest to funkcja rozkładu prawdopodobieństwa obsadzenia stanu
energetycznego przez elektron:
$$f\left( E \right) = \frac{1}{e^{\frac{E - E_{F}}{\text{kT}}}} + 1$$
Z modelu elektronów swobodnych wynika że w przewodzeniu prądu elektrycznego biorą udział tylko elektrony o energiach zbliżonych do energii Fermiego.
Liczba stanów elektronów: n = ∫g(E)f(E)dE
MODEL PASMOWY