Wykonali:
Bujnik Maciej
Daniluk Damian
Demianiuk Daniel
Izdebski Łukasz
Grupa II
Sprawozdanie
Temat: Omówienie i poznanie zasady działania tranzystorów NPN i PNP. Charakterystyka i punkt pracy tranzystora.
Wykorzystane urządzenia:
Moduł edukacyjny KL-22001
Moduł edukacyjny KL-25002
Multimetr
W sprawozdaniu zostanie omówiona zasada działania tranzystora. Poznamy podstawowe własności tranzystora, podstawowe układy tranzystora, charakterystyki tranzystora oraz dokonamy podstawowych pomiarów prądów i napięć.
Pomiary prądów tranzystora pnp
IC | IB | IE | β |
---|---|---|---|
12,88mA | 4,3µA | 12,89mA | 2995 |
ICSAT=13,8mA | 200µA | 14,12mA | 69 |
Widać że prąd bazy jest znacznie mniejszy od prądu kolektora. Wynika to z budowy tranzystora. Obszar bazy tranzystora jest dużo mniejszy niż kolektora.
Z powodów uszkodzenia potencjometru VR2 w pierwszym przypadku IC zamiast ustalonej wartości 3mA została ustalona wartość 12,88mA.
Pomiar prądów tranzystora npn
IC | IB | IE | β |
---|---|---|---|
3mA | 8,5µA | 3,1mA | 353 |
ICSAT=24,3mA | 211µA | 24,76mA | 115 |
W tym przypadku suma prądów IC i IB też równa się wartości prądu IE. Pomimo uszkodzonego potencjometru tutaj udało się ustawić około 3mA na kolektorze.
Charakterystyka tranzystora
Schemat układu z tranzystorem wykonany w programie MultiSim
IB=0A
VCE | 0,1V | 0,2V | 0,3V | 0,5V | 0,7V | 1V | 3V | 5V | Max(11V) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IC | 0A | 13nA | 28nA | 44nA | 60nA | 110nA | 600nA | 888nA | 4µA |
IB=10µA
VCE | 0,1V | 0,2V | 0,3V | 0,5V | 0,7V | 1V | 3V | 5V | Max(10,5V) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IC | 513µA | 3,1m | 3,34mA | 3,4mA | 3,42mA | 3,47mA | 3,77mA | 4,1mA | 5mA |
IB=20µA
VCE | 0,1V | 0,2V | 0,3V | 0,5V | 0,7V | 1V | 3V | 5V | Max(10,1V) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IC | 1mA | 4,65mA | 5,37mA | 5,8mA | 5,9mA | 6mA | 6,51mA | 7,1mA | 8,5mA |
IB=30µA
VCE | 0,1V | 0,2V | 0,3V | 0,5V | 0,7V | 1V | 3V | 5V | Max(9,7V) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IC | 1,42mA | 8,07mA | 9,62mA | 9,75mA | 9,86mA | 10mA | 11,04mA | 12mA | 14,3mA |
IB=40µA
VCE | 0,1V | 0,2V | 0,3V | 0,5V | 0,7V | 1V | 3V | 5V | Max(9,2V) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IC | 4,5mA | 10,6mA | 12,5mA | 12,76mA | 12,9mA | 13,1mA | 14,5mA | 15,9mA | 18,7mA |
IB=50µA
VCE | 0,1V | 0,2V | 0,3V | 0,5V | 0,7V | 1V | 3V | 5V | Max(8,8V) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IC | 4,88mA | 13,3mA | 15,4mA | 15,63mA | 15,8mA | 16,1mA | 17,85mA | 19,5mA | 22,8mA |
IB=60µA
VCE | 0,1V | 0,2V | 0,3V | 0,5V | 0,7V | 1V | 3V | 5V | Max(8,5V) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IC | 5,2mA | 16,1mA | 18,6mA | 18,95mA | 19,2mA | 19,5mA | 21,7mA | 23,7mA | 27,5mA |
Jak widać wraz ze wzrostem prądu bazy wzrasta prąd kolektora. Charakterystyka wyjściowa dołączona do sprawozdania.
Wnioski
Prąd kolektora zmienia się w zależności od prądu bazy. Jeśli prąd bazy rośnie to i prąd kolektora też. Prąd bazy steruje tranzystorem. A gdy tranzystor jest w stanie nasycenia to wartość wzmocnienia rośnie. Charakterystyki wyjściowe zostały przedstawione na papierze milimetrowym w oparciu o pomiary.