Tranzystor – trojelektrodowy (rzadko czteroelektrodowy) połprzewodnikowy element elektroniczny,

posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego.

Wyrożnia się dwie głowne grupy tranzystorow, rożniące się zasadniczo zasadą działania - tranzystory

bipolarne i tranzystory unipolarne.

W tranzystorach bipolarnych prąd przepływa przez złącza połprzewodnika o rożnym typie

przewodnictwa (n i p). Zbudowany jest z trzech warstw połprzewodnika o typie przewodnictwa

odpowiednio npn lub pnp (o nazwach emiter - E, baza - B i kolektor - C). Charakteryzuje się tym, że

niewielki prąd płynący pomiędzy dwiema jego elektrodami (bazą i emiterem) steruje większym

prądem płynącym między innymi elektrodami (kolektorem i emiterem).

Tranzystory unipolarne (tranzystory polowe) to takie, w ktorych prąd płynie przez połprzewodnik o

jednym typie przewodnictwa. Prąd wyjściowy jest w nich funkcją napięcia sterującego.

W obszarze połprzewodnika z dwiema elektrodami: źrodłem (S) i drenem (D) tworzy się tzw. kanał,

ktorym płynie prąd. Wzdłuż tego obszaru umieszczona jest trzecia elektroda, zwana bramką (G).

Napięcie przyłożone do bramki zmienia przewodnictwo kanału, wpływając w ten sposob na płynący

prąd. W tranzystorach MOSFET bramka jest odizolowana od kanału warstwą dielektryka, a w

tranzystorach polowych złączowych (JFET) spolaryzowanym w kierunku zaporowym złączem p-n.

Inne kryteria podziału. Inne typy tranzystorow to:

 Tranzystory jednozłączowe,

 Tranzystory IGBT.

Tranzystory dzieli się też ze względu na typy użytych połprzewodnikow:

 pnp, npn - bipolarne,

 Z kanałem typu p, z kanałem typu n - unipolarne.

Innym możliwym podziałem tranzystorow jest podział ze względu na materiał połprzewodnikowy z

jakiego są wykonywane:

 German - materiał historyczny, obecnie najczęściej stosowany w technice wysokich

częstotliwości w połączeniu z krzemem (heterostruktury),

 Krzem - obecnie podstawowy materiał połprzewodnikowy, bardzo szeroko stosowany,

 Arsenek galu - stosowany w technice bardzo wysokich częstotliwości,

 Azotek galu - stosowany w technice bardzo wysokich częstotliwości,

 Węglik krzemu - (rzadko) stosowany w technice bardzo wysokich częstotliwości, dużych mocy

i w wysokich temperaturach.

Ze względu na parametry tranzystory dzieli się na:

 Małej mocy, małej częstotliwości

 Dużej mocy, małej częstotliwości

 Małej mocy, wielkiej częstotliwości

 Dużej mocy, wielkiej częstotliwości

 Tranzystory przełączające (impulsowe)

Zastosowanie

Tranzystory ze względu na swoje właściwości wzmacniające znajdują bardzo szerokie zastosowanie. Są

wykorzystywane do budowy wzmacniaczy rożnego rodzaju: rożnicowych, operacyjnych, mocy,

selektywnych, szerokopasmowych. Jest kluczowym elementem w konstrukcji wielu układow

elektronicznych, takich jak źrodła prądowe, lustra prądowe, stabilizatory, przesuwniki napięcia, klucze

elektroniczne, przerzutniki, generatory i wiele innych.

Ponieważ tranzystor może pełnić rolę klucza elektronicznego, z tranzystorow buduje się także bramki

logiczne realizujące podstawowe funkcje boolowskie, co stało się motorem do bardzo dynamicznego

rozwoju techniki cyfrowej w ostatnich kilkudziesięciu latach. Tranzystory są także podstawowym

budulcem wielu rodzajow pamięci połprzewodnikowych (RAM, ROM itp.).

Dzięki rozwojowi technologii oraz ze względow ekonomicznych większość wymienionych wyżej

układow tranzystorowych realizuje się w postaci układow scalonych. Co więcej, niektorych układow,

jak np. mikroprocesorow liczących sobie miliony tranzystorow, nie sposob byłoby wykonać bez

technologii scalania.

Tranzystor

Tranzystor – trój złączowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Według oficjalnej dokumentacji z Laboratorium Bella nazwa urządzenia wywodzi się od słów trans konduktancja (transconductance) i warystor (varistor), jako że "element logicznie należy do rodziny warystorów i posiada trans konduktancję typową dla elementu z współczynnikiem wzmocnienia co czyni taką nazwę opisową". stan nasycenia: złącza BE i CB spolaryzowane są w kierunku przewodzenia,

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny, zwany też warstwowym, stanowi kombinacją dwóch półprzewodnikowych złączy PN, wytworzonych w jednej płytce półprzewodnika. Procesy zachodzące w jednym złączu oddziałują na drugie, a nośnikami ładunku elektrycznego są dziury i elektrony. Tranzystory bipolarne wykonywane są najczęściej z krzemu, rzadziej z germanu. Ze względu na kolejność ułożenia warstw półprzewodnika rozróżniamy:

• tranzystory p-n-p

• tranzystory n-p-n

Tranzystor bipolarny składa się z trzech obszarów o przeciwnym typie przewodnictwa, co powoduje powstanie dwóch złączy: PN i NP. W tranzystorze bipolarnym poszczególne obszary półprzewodnika mają swoją nazwę: B – baza, E – emiter, C – kolektor. A złączanazywa się

• złączem emiterowym (złącze emiter-baza);

• złączem kolektorowym (złącze bazakolektor).

Tranzystor unipolarny

Tranzystor, w którym sterowanie prądem odbywa się za pomocą pola elektrycznego. Tranzystory polowe w skrócie FET (Field Effect Transistor), są również nazywane unipolarnymi. Działanie tych tranzystorów polega na sterowanym transporcie jednego rodzaju nośników, czyli albo elektronów albo dziur. Sterowanie transportem tych nośników, odbywającym się w części tranzystora zwanej kanałem, odbywa się za pośrednictwem zmian pola elektrycznego przyłożonego do elektrody zwanej bramką.