Tranzystor

Tranzystory polowe z izolowaną bramką. Element elektroenergetyczny o 3 końcówkach. Stosowany przy wielkich częstotliwościach. Wykonywane z kanałem typu n lub p. Z kanałem n sterowane są +Ugs, a z kanałem p mają ponad 2 krotnie wiekszą rezystancję D-S. W przewodzeniu prądu dominują nośniki większościowe dlatego ma krótki czas przełączania. Aby zapobiec przepięciom pochodzącym od Uds stosuje się MOSFETy ze zintegrowaną diodą zwrotną o szybkiej zdoln odzysk właść zaporowych. Zab się też elem czynnymi i biernymi(poj podł do drenu). Przepływ prądu nastepuje pomiedzy S i D przez kanał. Sterowanie tym prądem nastepuje przez zmianę Ugs. Typy MOS: a) z kanałem zubożonym (wbudowanym) normalnie właczone, istnieje kanał przy zerowym Ugs; b) z Kan wzbogaconym(indukowanym) mormalnie wyłączone. Kanał tworzy się dopiero gdy Ugs przekroczy ch-czną wartość Ut(progową). Ponieważ bramka jest izolowana to nie płynie przez nią prąd. Tr spolaryzowany w kier przewodzenia (z Kan indukowanym) jest w stanie blokowania aż do momentu podania na bramkę odpowiedniego sygnału. Pozostaje w tym stanie aż do usunięcia tego sygnału. Po spolaryzowaniu w kier wstecznym będzie on przewodził we wzgl na diodę wewnętrzną. Tr jt elem w pełni sterowalnym. Można go wł lub wył w dowolnym momencie podając sygnał na bramkę. Ugs nap odcięcia, nie płynie prąd D. Up- progowe, umożliwia przepływ prądu, Idss nasycenia prąd D przy Ugs=0; Id pr wyłączenia; Udss dop max nap D-S, Przełączanie twarde- w ST przejściowych np. podczas wył elementu następuje jednoczesne zaniknięcie prądu i wzrost nap na elem, przy zał mamy odwrotnie. W oby przyp na elem wyst znaczne straty mocy które opisywane są tzw parabolą strat mocy, Jedynym sposobem ich zmniejszenia jest skracanie czasu trwania przełączeń, wtedy parabola zawęża swoje ramiona Możliwości skracania tego czasu są ograniczone ze wzgl na topologię ukł i właść dynam elem. Miękkie przeł- Główny wymóg to zerowe nap lub zerowy prąd podczas przełączania, wtedy jeden z czynników iloczynu decydującego o stratach =0. Realizacja tego wymaga technik rezonansowych i quasi.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Tranzystor
F 1 Zasada działania tranzystora bipolarnego
Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
71 NW 12 Tranzystorowa syrena
Wnioski tranzystor, Szkoła, Elektronika I, Elektronika
Wzmacniacz Tranzystorowy, Elektrotechnika, Elektrotechnika, elektronika
tranzystory diody
TRANZYSTORY WIELKIEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
90 Tranzystor bipolarny jako wzmacniacz
Tranzystor polowy
Ukł progowe i klucze tranzystorowe
TRANZYSTORY PRZEŁĄCZAJĄCE
TRANZYSTORY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI MAŁEJ MOCY SPECJALNE
OE WZMACNIACZ TRANZYSTOROWY OE
124 tranzystor polowy
5 Tranzystory polowe
cw5 Tranzystor bipolarny
tranzystory seria 2SD, ELEKRONIKA, Tranzystory
tranzystory mosfet(1), Architektura systemów komputerowych, Sentenza, Sentenza
cw6 Wzmacniacz tranzystorowy v1 Nieznany

więcej podobnych podstron