Politechnika Poznańska Wydział Elektryczny | Laboratorium Metrologii Elektrycznej i Elektronicznej | Rok akademicki 2011/2012 |
---|---|---|
Kierunek: ElektrotechnikaRok studiów: II Semestr: IIIGrupa E-7 |
Temat: Badanie stabilizowanego źródła napięcia. | |
Wykonujący ćwiczenie: 1. Łukasz Iwicki 2. Kamil Pałucki 3. Krystian Weinstock 4.Piotr Witt |
Data wykonania ćwiczenia: 24.11.2012 Data oddania sprawozdania: 31.11.2012 |
Ocena: |
1. Wstęp
W ćwiczeniu obiekt badań stanowi układ stabilizowanego źródła napięcia. Zbudowany on jest z diody Zenera i szeregowego opornika.
Celem ćwiczenia jest wyznaczenie współczynnika stabilizacji i rezystancji wewnętrznej badanego źródła na podstawie charakterystyk ΔUwy=f(Uwe), ΔUwy=f(I0).
Podczas ćwiczenia korzystaliśmy z poniższego układu:
Zakresy i klasy dokładności przyrządów używanych podczas ćwiczenia:
V1=(15)[V] kl. 0,5
mV=(150)[mV] kl.0,5
mA=(3; 7.5)[mA] kl.0,5
Tabela pomiarów :
Lp. | Uwe | δUwe | ΔUwy | δΔUwy | S | δS | Uwagi |
---|---|---|---|---|---|---|---|
[V] | [%] | [mV] | [%] | [-] | [%] | Io=0A Up=4.96V |
|
1 | 10 | 0.75 | 5 | 15 | 0.005 | 29.98 | |
2 | 11 | 0.68 | 30 | 2.5 | 0.0300 | 17.54 | |
3 | 12 | 0.63 | 57,5 | 1.3 | 0.0575 | 16.40 | |
4 | 13 | 0.58 | 80 | 0.94 | 0.0800 | 16.04 | |
5 | 14 | 0.54 | 97,5 | 0.77 | 0.0975 | 15.83 | |
6 | 15 | 0.50 | 115 | 0.65 | - | - |
Wzory wykorzystane do obliczeń:
Przykładowe obliczenia dla 1)
δUwe = 0.5· $\frac{15}{10}$ = 0.75
δΔUwy = 0.5 · $\frac{150}{5}$ = 15
S=$\ \frac{5 \bullet 10^{- 3}}{11 - 10}$ = 0.005
δS = 15+$\ \frac{0.68 \bullet 11 + 0.75 \bullet 10}{11 - 10}$ = 29.98
Wyznaczanie charakterystyki ΔUwy=f(Uwe), przy I0=const oraz wyznaczenie współczynnika stabilizacji S.
Tabela wyników:
Lp. | I0 | δIo | ΔUwy | δΔUwy | Rw | δRw | Uwagi |
---|---|---|---|---|---|---|---|
[mA] | [%] | [mV] | [%] | [Ω] | [%] | Io=0,Uwe=10,Up=4.96 Zakres mA=(3) |
|
1 | 0 | 0 | 10.0 | 7.50 | 1.00 | 22.50 | |
2 | 0.1 | 15 | 10.0 | 7.50 | 11.1 | 10.83 | Io=5mA Uwe=10 V Up=4.96V |
3 | 1 | 1.5 | 20.0 | 3.75 | 20.0 | 6.750 | |
4 | 2 | 0.75 | 37.5 | 2.00 | 37.5 | 7.250 | |
5 | 3 | 1.25 | 45.0 | 1.67 | 45.0 | 9.180 | |
6 | 4 | 0.94 | 57.5 | 1.30 | 57.5 | 8.810 | |
7 | 5 | 0.75 | 70.0 | 1.07 | 70.0 | 8.570 | |
8 | 6 | 0.625 | 85.0 | 0.88 | 85.0 | 8.380 | |
9 | 7 | 0.536 | 102.5 | 0.73 | - | - |
Wzory wykorzystane do obliczeń:
Przykładowe obliczenia dla 2)
δIo = 0.5 ∙$\ \frac{3}{0.1}\ $=15
δΔUwy = 0.5 ∙ $\frac{150}{10}$ = 7.5
Rw = $\frac{10 \bullet 10^{- 3}}{(1 - 0.1) \bullet 10^{- 3}}$ = 11.1
δRw = 7.5+$\frac{1.5 \bullet 1 + 15 \bullet 0.1}{1 - 0.1}$ = 10.83
Obliczanie błędów bezwzględnych:
$$Uwe = \frac{\delta_{\text{Uwe}}\ \bullet Uwe}{100}$$
$$\left( Uwy \right) = \frac{\delta_{Uwe\ \ } \bullet Uwe}{100}$$
$$Io = \frac{\delta_{\text{Io}} \bullet Io}{100}$$
Przykładowe obliczenia:
Uwe = $\frac{0.75\ \bullet 10}{100}$ =0.075
(Uwy) = $\frac{15 \bullet 10}{100}\ $=1.5
Io= $\frac{15 \bullet 0.1}{100}\ $= 0.015
Lp | ΔI0 | Δ(ΔUwy) | Uwagi |
---|---|---|---|
[mA] | [mV] | ||
1 | - | - | Zakres mA=(3) |
2 | 0,015 | 1,5 | |
3 | 0,015 | 1,5 | |
4 | 0,015 | 1,5 | |
5 | 0,0375 | 1,5 | Zakres mA=(7.5) |
6 | 0,0376 | 1,5 | |
7 | 0,0375 | 1,5 | |
8 | 0,0375 | 1,5 | |
9 | 0,0375 | 1,5 |
Lp. | ΔUwe | Δ(ΔUwy) | Uwagi |
---|---|---|---|
[V] | [mV] | ||
1 | 0,0750 | 1,5 | |
2 | 0,0748 | 1,5 | |
3 | 0,0756 0,0754 |
1,5 | |
4 | 1,5 | ||
5 | 0,0756 | 1,5 | |
6 | 0,0750 | 1,5 |
Urządzenia i mierniki zastosowane podczas ćwiczenia:
- źródło napięcia
- 5 mierników uniwersalnych (3 woltomierze, miliwoltomierz, miliamperomierz)
- pomocnicze źródło napięcia
- rezystor dekadowy
- płytka + przewody
Wyznaczanie charakterystyki ΔUwy=f(I0), dla Uwe=const oraz wyznaczenie rezystancji wewnętrznej źródła Rw.
Wykresy zostały dodane do sprawozdani na papierze milimetrowym
Wnioski:
Z pomiarów można zaobserwować paraboliczną zmianę współczynnika stabilizacji S (w zależności od napięcia zasilania i prądu obciążenia), który ma minimum w okolicach (9-10[V]), a tym samym dioda ma wtedy najlepsze właściwości stabilizacyjne. Można to wytłumaczyć tym, że im wyższe napięcie zasilania od napięcia Zenera (ale tylko o kilka woltów) ustala punkt pracy naszej diody w bardziej korzystnym miejscu, tzn. tam gdzie charakterystyka jest bardziej stroma. Im niższe napięcie tym punkt pracy diody znajduje się bliżej zagięcia charakterystyki, w którym dioda traci właściwości stabilizacyjne a współczynnik stabilizacji osiąga największą wartość.
Gdy zasilacz obciążyliśmy prądem I0=5 [mA], wtedy współczynnik stabilizacji, choć podobnie jak poprzednio malał wraz ze wzrostem napięcia zasilającego (ale tylko do napięcia 9,5 [V]), to ogólnie był on znacznie większy, tzn. gorszy od diody nieobciążonej, a po przekroczeni 10[V] współczynnik stabilizacji znowu zaczął rosnąć choć tym razem, gdy dioda była obciążona to był on minimalnie niższy od diody nieobciążonej. Dzieje się tak dlatego, poniważ dioda chcąc utrzymać stałe napięcie przy zwiększonym prądzie obciążeniu musi zmniejszyć przepływający przez siebie prąd. Punkt pracy przesuwa się teraz do góry, tam gdzie dioda ma gorsze właściwości stabilizacyjne.
Z dalszych pomiarów wynika, że rezystancja wewnętrzna zasilacza wzrasta wraz ze wzrostem obciążenia. Ma to ścisły związek z tym co napisałem wyżej, że dioda chcąc utrzymać stałe napięcie na odbiorniku musi zmniejszyć przepływający przez nią prąd. Od strony zacisków zasilacza widziane jest to jako zwiększenie jej rezystancji.
$$Uwe\frac{\delta_{\text{Uwe}}\ \bullet Uwe}{100}$$
$$\left( Uwy \right) = \frac{\delta_{Uwe\ \ } \bullet Uwe}{100}$$
$$Io = \frac{\delta_{\text{Io}} \bullet Io}{100}$$