Konduktancja dynamiczna – obliczany pochodną z Shockleya dla złącza rzeczywistego (bez Rs): g_­d­ = (I + Is)/( NGUt) Rezystancja dynamiczna – odwrotność z konduktancji dynamicznej Pojemność złączowa - Związana z ładunkiem nieskompensowanych jonów domieszek istniejących po obu stronach złącza spolaryzowanego w kierunku zaporowym: C_­j = (ðQj) /(ðu) wartość tej poj. To zazwyczaj kilkanaście pF. Pojemnośc dyfuzyjna – zwiazana z wstrzykiwaniem nośników większościowych podczas polaryzacji w kierunku przew.. Nośniki nie rekombinują natychmiast, istnieją prze pewien czas zależny od czasu ich życia. Zmiana prądu lub napięcia w kier. Przewodzenia wymaga zmiany wart. zmagazynowanego ład. co prowadzi do pojawiania poj. dyfuzyjnej C_­d ­ = (I + I_­0­)/(2ŋU_­T­)*t t- czas życia nośników. Im większe wart. poj. Złącz. i dyfuzyjnej tym dłuższe czasy przełączania elementów, wolniejsza praca. Analiza wielkosygnałowa statyczna – schemat upraszcza się o pojemności dyfuzyjną i złączową. Analiza małosygnałowa – sygnał wymuszający doprowadzony do analizowanego elementu jest na tyle mały, że można zaniedbać nieliniowości char. danego elementu. Rodzaje diód: pojemnościowe, stabilizacyjne, uniwersalne, impulsowe, pojemnościowe, detektory i zrodła promieniowania, tunelowe, mikrofalowe, detekcyjne. Diody prostownicze - do prostowania prądu, zazwyczaj 50Hz, diody Si o dużych pow. złącza. Dwie grupy parametrów diód, charakterystyczne i dopuszczalne. Parametry charakterystyczne a) If - dop. Sredni prąd przewodzenia (znamionowy) b) Uf - napiecie przewodzenia przy określonym prądzie. Parametry dopuszczalne – Szczytowe U wsteczne pracy, niepowtarzalne szczytowe nap. Wsteczne, powtarzalny impulsowy Imax, niepowtarzalny szczytowy prąd przew., dopuszczalna moc, max temp złącza, rezystancja cieplna.OPTOELEMENTY:Fotodioda-prąd płynący przez złącze p-n spolaryzowane w kierunku zaporowym, jest niezależny od wartości przykładanego w tym kierunku napięcia, wartość koncentracji nośników mniejszościowych (chyba prąd) w stanie równowagi jest stała ustalona podczas domieszkowania, możemy ją zmieniać poprzez wzrost temp lub oświetlenia. Fototranzystor: tranzystor bipolarny, w którym zmianę prądu bazy powoduje zmiana oświetlenia. Odsłonięta dla promieniowania baza umożliwia generację nadmiarowych par elektron dziura, charakteryzuje się dużą wartością beta, i czułością większą od fotodiody, wady: wolniejszy w stosunku do fotodiody. Transoptor: izolowana od siebie elektrycznie para dioda LED-fototranzystor/fotodioda zamknięte w wspólnej obudowie. Char we. Określona przez LED, wy przez fototranzystor, możliwość pracy przy różnych poziomach składowych stałych na wejściu i wyjściu. Różnica napięć może dochodzić do kV, rezystancja do gigaom. Fotodioda lawinowa gdy zwiększana jest czułość i częstotliwość pracy fotodiody poprzez umieszczanie ich punktu pracy w zakresie przebicia lawinowego. Fotoogniwo U_f = ŋkT/q * ln(1 + I_f /I₀).TRANZYSTOR: System oznaczania prądów i napięć: -prądy wpływające do tranzystora traktujemy jako dodatnie, wypływające jako ujemne – pierwsza litera indeksu napięć wskazuje na zwrot strzałki, druga na elektrodę odniesienia – dla tranzystora npn, w stanie aktywnym normalnym jedyną wielkością przyjmującą wartość ujemną jest prąd emitera, dla pnp jest jedyną wielkością dodatnią. Obszary pracy tranzystora bipolarnego: najczęściej wykorzystywany, zakres aktywny normalny kolektor spolaryzowany w kierunku zaporowym a emiter w przewodzenia, -zatkania- oba zaporowo, -nasycenia, oba przewodzenia, -inwersyjnym, emiterowe zaporowo, kolektorowe przewodzenia. Opis działania tranzystora małym prądem bazy sterujemy przepływ znacznie większego prądu, który jest berta razy większy od prądy bazy płynącego od kolektora do emitera (dla NPN). Moc dostarczona do tranzystora: P_we= I(em)*U(em)=I²(em)r(we), Moc odbierana na obciążeniu P(wy)=I²(em)*R(l). PRZEBICIA: Zenera-złącze EB- emiter silnie domieszkowany, napiecie przebicia powyżej poniżej 7V. Skrośne-zanim natężenie pola elektrycznego w warstwie zaporowej osiągnie wartość krytyczną cały obszar neutralny bazy może zostać zajęty przez warstwę zaporową złącza BC. Wtórne- związane z przepływem przez strukturę zbyt dużego prądu. Lawinowe- słabe domieszkiwanie obszaru kolektora, przy rozwartym emiterze, rzedu kilkudziesięciu woltów. Wpływ temp.-Zakres zaporowy przed przebiciem,prąd wsteczny wzrasta dwukrotnie -zakres zaporowy po przebiciu, wsp napięcia przebicia beta dodatni dla lawinowego (złocze BC), ujemny dla zenera (złacze EB). Zmiana wsp prądowego β=β₀*[1+a*(T-T₀)] Mały sygnał – sygnał przy którym pominąć możemy nieliniowości ch-k na końcówkach elementów