tranzystor

Sprawozdanie

Instytut Fizyki PWR

Laboratorium Fizyka 3.3

Ćwiczenie numer 4: Tranzystor polowy

ŚR 10.15

data 14.03.12

  1. Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest pomiar charakterystyk przejściowej oraz wyjściowej tranzystora polowego. Dodatkowo należy wyznaczyć transkonduktancję oraz kondunktancję wyjściową tranzystora.

  1. Opis ćwiczenia:

Do pomiaru charakterystyk wykorzystamy układ złożony z dwóch źródeł napięcia, potencjometrów, tranzystora oraz amperomierza i woltomierza. Jego schemat znajduje się poniżej:

Rys.1. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych tranzystora polowego.

Wykorzystane wzory fizyczne:

  1. charakterystyka wyjściowa:

(1)

gdzie - konduktancja wyjściowa

  1. charakterystyka przejściowa:

(2)

(3)

gdzie - transkonduktancja

  1. Wykresy:

  1. Obliczenia:

  1. Niepewności pomiarowe

  2. Transkonduktancja, napięcie odcięcia (Up), prąd drenu (Ipss)

Aby wyznaczyć transkoduktację w pewnym punkcie, musimy znaleźć styczną do wykresu w danym punkcie pracy. Korzystając z geometrycznej interpretacji transkoduktacji, możemy określić, iż transkoduktacja jest tangensem nachylenia stycznej, do osi x. (Jest współczynnikiem kierunkowym stycznej - a). A więc odczytujemy: (dla Vds = 11V)


gm = 0.47mS dla Vgs =   − 5V


gm = 2.91mS dla Vgs =   − 3V 


gm = 4.19mS dla Vgs =   − 1V 

Aby wyznaczyć napięcie odcięcia, odnajdujemy miejsce przecięcia f(x) z osia X (interesuje nas miejsce zerowe najbliższe początku układu wspórzednych).


0.0034241814x5 + 0.049347031x4 + 0.21268286x3 + 0.65534032x2 + 5.0469977x + 15.269253 = 0


x =   − 4.948 V

Aby wyznaczyć wartość prądu drenu, odnajdujemy miejsce przecięcia f(x) z osią Y.


Ipp = f(0) = 15.269 mA


 

  1. Konduktancja

Konduktancja została wyznaczona analogicznie do transkoduktancji z charakterystyki wyjściowej.

  1. Wyniki:

Konduktancja wyjściowa
UDS [V]
0,5
2
6

Tabela 1: Wartości kondunktancji wyjściowej tranzystora dla wybranych punktów pracy.

Transkonduktancja
UGS [V]
-5
-3
-1

Tabela 2: Wartości transkonduktancji tranzystora dla wybranych punktów pracy.

Napięcie odcięcia
Up = -4,948 V

Tabela 3: Wartość napięcia odcięcia dla UDS = 11 V.

Prąd drenu IDSS
IDSS = 15.269mA

Tabela 4: Wartość prądu drenu IDSS.

  1. Wnioski:


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Tranzystor
F 1 Zasada działania tranzystora bipolarnego
Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
71 NW 12 Tranzystorowa syrena
Wnioski tranzystor, Szkoła, Elektronika I, Elektronika
Wzmacniacz Tranzystorowy, Elektrotechnika, Elektrotechnika, elektronika
tranzystory diody
TRANZYSTORY WIELKIEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
90 Tranzystor bipolarny jako wzmacniacz
Tranzystor polowy
Ukł progowe i klucze tranzystorowe
TRANZYSTORY PRZEŁĄCZAJĄCE
TRANZYSTORY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI MAŁEJ MOCY SPECJALNE
OE WZMACNIACZ TRANZYSTOROWY OE
124 tranzystor polowy
5 Tranzystory polowe
cw5 Tranzystor bipolarny
tranzystory seria 2SD, ELEKRONIKA, Tranzystory
tranzystory mosfet(1), Architektura systemów komputerowych, Sentenza, Sentenza
cw6 Wzmacniacz tranzystorowy v1 Nieznany

więcej podobnych podstron