Zestaw 0

1. Ruchliwość nośników definicja, zależność od temperatury

2. Wyprowadzić wyrażenie na charakterystykę złącza p-n

3. Wpływ temperatury na charakterystykę diody w kierunku zaporowym

4. Dioda ładunkow: podstawowe parametry, . . . koncentracji domieszek

5. Wyprowadzenie wyrażenia na charakterystykę prądowo napięciową tranzystora MIS

Zestaw I *

1. zilustrować i objaśnić wpływ temperatury na koncentracje nośników w krzemie

2. napisać zależność Einsteina

3. układ do pomiaru parametrów h12 oraz h22

4. Złącze m-s energetyczny model pomiarowy, charakterystyki

5. wyprowadzenie wyrażenia na charakterystykę złącza p-n

6. rozkład koncentracji nośników w strukturze tranzystora npn w zakresie aktywnym normalnym

7. Mod LSA- podstawowe parametry

8. wyprowadzenie wyrażenia na charakterystykę prądowo napięciową tranzystora MIS

9. wymienić przyczyny włączenia tyrystora (co najmniej cztery)

10. Mod TRAPATT - definicja, zasada pracy,

11. klasyfikacja tranzystorów MIS w oparciu o charakterystyki przejściowe

Zestaw II

1. charakterystyka prądowo napięciową złącza p-n

2. charakterystyka przejściowa i wyjściowa w układzie OB i OE

3. szerokość warstwy zaporowej

4. wyprowadzenie wyrażenia na charakterystykę złącza p-n

5. Mod TRAPATT, definicja zasada pracy

6. Wymienić przyczyny włączenia tyrystora (co najmniej cztery)

7. wyprowadzenie wyrażenia na charakterystykę prądowo napięciową tranzystora MIS

8. układ do pomiaru parametrów h12 oraz h22

9. rozkład koncentracji nośników w strukturze tranzystora npn w zakresie aktywnym normalnym

10. klasyfikacja tranzystorów MIS w oparciu o charakterystyki przejściowe

11. uporządkować częstotliwości graniczne od min do max

Zestaw III *

1. definicja oraz zależność kondunktancji różniczkowej od częstotliwości

2. zależność poziomu Fermiego od koncentracji domieszek

3. wyprowadzenie wyrażenia na charakterystykę złącza p-n

4. model hybryd π tranzystora bipolarnego w układzie OE- podać typowe wartości parametrów dla wybranego typu tranzystora

5. wyprowadzenie wyrażenia na charakterystykę prądowo napięciową tranzystora MIS

6. układ pomiarowy parametru h12e

7. klasyfikacja tranzystorów MIS w oparciu o charakterystyki przejściowe

8. złącze m-s -energetyczny model pasmowy, charakterystyki

9. dioda Gunna ,podstawowe rodzaje pracy

10. klasyfikacja tranzystorów MIS w oparciu o charakterystyki przejściowe

11. definicja częstotliwości w max

Zestaw IV *

1. Obszary pracy diody Zennera

2. wyprowadzenie wyrażenia na charakterystykę złącza p-n

3. dioda wsteczna- model pasmowy, charakterystyki

4. Wpływ temperatury na charakterystykę diody w kierunku przewodzenia

5. Praca impulsowa tranzystora w układzie OE

6. wyprowadzenie wyrażenia na charakterystykę prądowo napięciową tranzystora MIS

7. rezystancja rozproszona bazy- definicja, sposoby zmniejszania

8. dioda Gunna ,podstawowe rodzaje pracy

9. klasyfikacja tranzystorów MIS w oparciu o charakterystyki przejściowe

10. odpowiedz wielkosygnałowa diody IMPATT

11. czas życia nośników: definicja, typowe wartości dla Ge, Si w temp 300 K

Zestaw VI *

1. diody pojemnościowe, podział, parametry, schematy zastępcze

2. wyprowadzenie wyrażenia na charakterystykę złącza p-n

3. zależność konduktywności od temperatury

4. zależność ruchliwości od koncentracji domieszek Si

5. wyprowadzenie wyrażenia na charakterystykę prądowo napięciowa tranzystora

6. układ do pomiaru h21e

7. prądy zerowe, definicje, uszeregowanie w kolejności rosnącej

8. tryby pracy tranzystora BCMOS

9. odpowiedz wielkosygnałowa diody IMPATT

10. dioda Gunna ,podstawowe rodzaje pracy

11. częstotliwości graniczne, definicje, uszeregowanie w kolejności malejącej

---