EGZAMIN II, podstawy technologii chemicznej


EGZAMIN Z PODSTAW TECHNOLOGII CHEMICZNEJ

1998/1999

  1. Równanie stanu w postaci parametrycznej przedstawia zależność tzw. współczynnika ściśliwości od temperatury i ciśnienia. Jakie są parametry tego typu równań? Podać przykład równania z 2 i 3 parametrami.

  2. W jakich temperaturach jest możliwe zachodzenie reakcji:

0x01 graphic

Efekt cieplny w temperaturze 300 K ok. 240 kJ/mol

  1. W reakcji substratu S z enzymem E najpierw tworzy się związek przejściowy SE:

0x01 graphic

który następnie daje produkt P:

0x01 graphic

Stosując do SE przybliżenie stanu stacjonarnego wyprowadzić wyrażenie na szybkość tworzenia P.

  1. Podać określenie stopnia przereagowania α. Napisać wyrażenie na szybkość reakcji:

0x01 graphic

z wykorzystaniem wielkości α.

5. Jaki jest związek pomiędzy stopniem przereagowania α i umownym czasem τ w doskonałym reaktorze przepływowym: przelewowym i tłokowym.

EGZAMIN Z PODSTAW TECHNOLOGII CHEMICZNEJ

1997/1998

  1. Omówić zasadę stanów odpowiadających sobie na przykładzie zależności z = f(Tr, Pr), gdzie z to tzw współczynnik ściśliwości, indeks r oznacza wielkości zredukowane: temperatury i ciśnienia.

  2. Podać interpretację kryterium znaku entalpii swobodnej reakcji, w ocenie możliwości jej praktycznego wykorzystania.

  3. Podać określenie stopnia przereagowania. Posłużyć się tą wielkością w celu rozpisania wyrażenia na szybkość reakcji odwracalnej pierwszego rzędu.

  4. Przyjmuje się, że reakcja A + B = P zachodzi w stadiach elementarnych:

A + B = C stała szybkości k1;

C = A + B stała szybkości k2;

C = P stała szybkości k3;

Zastosować przybliżenie stanu stacjonarnego do produktu pośredniego C; podać wyrażenie na szybkość tworzenia produktu P w tym przybliżeniu.

  1. Porównać objętości reaktorów o pracy ciągłej: a) z doskonałym mieszaniem i b) z przepływem tłokowym, potrzebne do uzyskania zadanego stopnia przereagowania w określonej reakcji. Stężenia początkowe i strumień objętości są takie same w obu reaktorach.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Technologia - egzaminy, Technologia ustna zerówka 2012, Tematy pytań na egzaminie z podstaw technolo
I POPRAWKA EGZAMINU Z CHEMII ORGANICZNEJ, Technologia chemiczna, Chemia organiczna, 4 semestr, organ
Sprawozdanie nr 3 (3), sem II, Podstawy Technologii Okrętów - Wykład.Laboratorium, Laboratorium nr 3
zadania2 preznosc pary nasyconej oraz gestosc cieczy i gazow, Technologia chemiczna, Podstawy techno
zadania4 lepkosc mieszanin gazow i cieczy pod niskim i umiarkowanym cisnieniem, Technologia chemiczn
zadania5 lepkosc gazow i cieczy pod wysokim cisnieniem, Technologia chemiczna, Podstawy technologii
Sprawozdanie nr 2 (2) Metoda Brinella, sem II, Podstawy Technologii Okrętów - Wykład.Laboratorium, L
Dodatkowe nr 1 (1), sem II, Podstawy Technologii Okrętów - Wykład.Laboratorium, Laboratorium nr 1 (1
Podstawy technologii chemicznej nowoczesne procesy utleniania
Egzamin(zad.) sem.3, Technologia chemiczna, Chemia fizyczna, Egzamin
Egzamin(pyt.) sem.3, technologia chemiczna, chemia fizyczna
Opracowanie pytań na egzamin, AGH, WIMiC, Technologia Chemiczna, Fizyka
technologia, podstawy technologii chemicznej, technologia chemiczna, technologia chemiczna
Sprawozdanie nr 4 (4) - Termometry, sem II, Podstawy Technologii Okrętów - Wykład.Laboratorium, Labo
Technologia chemiczna W5, Politechnika Wrocławska- Wydział Chemiczny (W3), Podstawy technologii chem
zadania7 wspolczynnik przewodzenia ciepla mieszanin + wplyw cisnienia, Technologia chemiczna, Podsta
zadania3 lepkosc gazow i cieczy pod niskim i umiarkowanym cisnieniem, Technologia chemiczna, Podstaw
Sprawozdanie nr 4 (4) - Termomatry, sem II, Podstawy Technologii Okrętów - Wykład.Laboratorium, Labo

więcej podobnych podstron