LAB K zejscia, WEiTI - Makro, SEMESTR III, ELCS, Laboratorium, Lab 4 [K]


1.w jaki sposób wyznacza się rezystancje szeregową diody,

2.czemu pasma przewodnika w złączu ms są zagięte oraz

3. jakie znasz nieidealności diody rzeczywistej).

co do cw k. nie czytajcie generalnie skryptu tylko lekko zerknijcie, koles sam mowi ze jest zbyt dlugi i z dupy:d hm no trzeba goscia uwaznie sluchac i pytac jak cos jest niejasne, bo potem zejscie bezproblemu sie napisze:) ogolnie to u tego typa co my mielismy wyklad wstepny trwal okolo 2 i pol godziny;/ co spowodowalo ze zadna z ekip nie zrobila wszystkiego do konca...no 30mminut to za malo, ale gosc mowil ze nie przejmujcie sie panstwo bo najwazniejsza dla niego chyba jest zejscie z tego wywnioskowalem. genrealnie koles daje naprawde 4 podpunkty do zrobienia bardzo prosto narysowac jakis wykres i cos tam wyliczyc juz nie pamietam dokladnie:) wybaczcie:) co do zejscia do dostalismy hmm jak wylczyc rs to z laby czemu pasma w polprzew sie wyginaja i czemu sa proste, opisac przyczyny nieidealnosci diody:) o wszystkim gosc mowil na dluuugim wykladzie:P

Cóż więcej do laborki K... W sumie nic;) Nie czytać instrukcji (może tylko przejrzeć), co najwyżej ogarnąć zejściówki, chociaż i tak wszystko jest powiedziane podczas wykładu wstępnego (słuchać uważnie!). Zadania do wykonania nie są zbyt trudne, ale 40 minut jak zostanie na wykonanie to trzeba się ostro sprężać, żeby zdążyć ze wszystkim.
PS: oczywiście nie ręczę, że nie trafi się jakiś inny prowadzący i że wszystko będzie do góry nogami itp itd;)

aborka K, zejscie:

1. jak wyznaczamy Rs
2. jakie niedoskonałości diody poznaliśmy dzisiaj
3. dlaczego charakterystyka prądowo-napięciowa diody nie jest symetryczna względem środka ukł współrzędnych

chyba jednak warto przejrzeć instrukcję

a do wykonania na laborce:
1. wykreślić charakterystykę prądowo-napięciową dla >=10 pktów pomiarowych
2. wyznaczyć Is
3. obliczyć Rs
4. wyznaczyć m

Zejście K (godzina 17-20)
1. Opisać sposób wyznaczania napięcia Is
2. Opisać sposób wyznaczania napięcia Rs
3. Dlaczego charakterystyka diody Schotky'ego nie jest symetryczna wzgledem srodka ukl wsp?

INNE

1.w jaki sposób wyznacza się rezystancje szeregową diody,

2.czemu pasma przewodnika w złączu ms są zagięte oraz

3. jakie znasz nieidealności diody rzeczywistej

----

Zad1

Jak się tworzy bariera potencjału na złączu M-S?

W stanie nierównowagi na granicy metal-półprzewodnik ( poziom Fermiego półprzewodnika jest wyżej od poziomu Fermiego metalu ) elektrony z półprzewodnika spłyną do metalu. W ten sposób półprzewodnik naładuje się dodatnio a metal ujemnie, powstanie między nimi różnica potencjału zwana napięciem kontaktowym Uk oraz odpowiadająca mu złączowa barierą potencjału qUk.

Zad2

Wyjaśnić co to takiego bariera potencjału.

Bariera potencjału dzieli się na dwie części - barierę szczelinową qUkv ( występującą na szczelinie ) i wewnętrzną qUkn ( występującą w obszarze półprzewodnika ). Bariera jest kształtowana w procesie ustalania się równowagi na kontakcie m-s.

Zad3

Jak połączyć metal z półprzewodnikiem aby układ zachowywał charakterystykę omową?

Należy połączyć metal z półprzewodnikiem o bardzo wysokim poziomie domieszkowania.

Nie ma wtedy obszaru zubożonego, pasma są wyprostowane, a koncentracja i rezystywność obszaru półprzewodnikowego wszędzie jednakowe.

Kontakt omowy można otrzymać również z półprzewodnika średnio domieszkowanego. Tworzy go złącze m-s z półprzewodnikiem typu n lecz przy stosunku prac wyjścia Am<An. Pasma są zagięte w dół , wskutek czego dół potencjału i bariera złączowa występują tylko dla mniejszościowych dziur w pasmie podstawowym i tylko dla nich warstwa przypowierzchniowa jest obszarem zubożonym.

Wejście E1 11.12.2008 8.15

Zad1. Dlaczego w łaczu m-s pasma ulegają zagięciu?

Zad2. Jak wyznaczyć rezystancę strat diody Schottky'ego?

Zad3. Jak wykonać kontakt omowy ?

1. Jaka jst różnica między charakterystyką diody idealnej a rzeczywistej

(ideal - charakterystyka wykładnicza, real- spłaszczona na końcu przez rezystancje szeregową)

2. Jak się wyznacza rezystancję szeregową? (na laborce się to robi - ekstrapolując liniowy kawałek charakterystyki - wyznaczeni Ud, róznica napięć U - Ud przez prąd I)

3. Dlaczego dioda Shotkiego ma charakterystykę prostowniczą (różny kształt w zaporowym i przewodzenia)

Bo napięciem regulujemy tylko ruch elektornów z półprzewodnika do metalu, prąd metal->pp jest stały (równy Is) więc wstecznie polaryzując mamy Is a dodatnio to wykładniczo przyrost prądu pp->metal.

zejściówka dra Siennickiego 19 04 2007

1) Opisać barierę potencjału na złączu m-s i czemu powstaje.

2) Napisać jak się otrzymuje opór półprzewodnika w ćwiczeniu.

Zejściówka 22.11.07

Zad1

Wyjaśnić zasadę powstawania napięcia kontaktowego.

Zad2

Z przebiegu laboratorium jak się wyznacza Is i Rsz.

Zad3

Jak połączyć metal z półprzewodnikiem aby układ zachowywał charakterystykę omową

(liniową).

WEJŚCIÓWKA:

1. wyjaśnić to to takiego bariera potencjału. (z tego co pamietam)

2. narysować charakterystykę I(U) diody metal-półprzewodnik, zaznaczyć prąd nasycenia.

Zejściówka:

1. Sposób pomiaru rezystancji szeregowej (Rs) z laborki.

2. cależność miedzy 'fi'b a prądem nasyczenia.

staraaaa

Jak się tworzy bariera potencjału na złączu M-S



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
zejscie elka + eiti, WEiTI - Makro, SEMESTR III, ELCS, Laboratorium, LAB 3 [M]
ELCS lab 3, WEiTI - Makro, SEMESTR III, ELCS, Laboratorium, LAB 3 [M]
wyjscie, WEiTI - Makro, SEMESTR III, ELCS, Laboratorium, LAB 3 [M]
termistor, WEiTI - Makro, SEMESTR III, ELCS, Laboratorium, LAB 2 [T]
Dioda Zenera, WEiTI - Makro, SEMESTR III, ELCS, Laboratorium, LAB 2 [T]
ELCS lab 3, WEiTI - Makro, SEMESTR III, ELCS, Laboratorium, LAB 3 [M]
l3, WEiTI - Makro, SEMESTR III, AISDE, Laboratorium, Lab 3
odp lab3 pofa-update 16-04-10, WEiTI - Makro, SEMESTR III, POFA, Laboratorium, Lab 3
SYMSE lab5, WEiTI - Makro, SEMESTR III, SYMSE, Laboratorium, Lab 5
lab3 pofa 16-04-10, WEiTI - Makro, SEMESTR III, POFA, Laboratorium, Lab 3
pofa lab 5 elka eiti, WEiTI - Makro, SEMESTR III, POFA, Laboratorium, Lab 5


więcej podobnych podstron