sprawko spintrometria, Notatki, Elektronika AGH III rok, [STUDIA] rok 3, imiku


Inżynieria materiałowa i konstrukcja urządzeń

Tytuł:

Wyznaczanie parametrów magneto-elektrycznych

elementów spintronicznych typu TMR

Imię Nazwisko:

Numer zespołu:

Data wykonania ćwiczenia:

EAIiE

3 rok

gr. Pt 12 30

Uwagi:

Ocena:

1.Mierzyliśmy element TMR typu zawór spinowy o konstrukcji warstowej:

TaN 5

Ta 5

CoFeB 3

MgO 1.5

CoFe B4

RuO 0.9

CoFe 2.5

PtMn 25

Ta5

Si/SiO

0x08 graphic
Wykres R-H:

0x08 graphic
Tunelowa magnetorezystancja wynosi zgodnie ze wzorem

RAP=2135 Ω

RP=1825 Ω

TMR = 16.99%(dla dwóch średnich wartości ze stanu niskiej i wysokiej impedancji)

Wartości HP1 i HP2 w przypadku badanego elementu powinny się odnosić do rezystancji R=1980.

Najtrafniejsze punkt pomiarowe to:

HP1 = -2,493 Oe , R=1907,18 Ω

HP2 = 1,743 Oe , R=1926,24 Ω

0x08 graphic

HS = -0.75 Oe

Zmierzona histereza jest znikoma, a ilośc punktow pomiarowych niedostateczna, by jednoznacznie stwierdzić czy wogóle występuje czy zmierzona wartość to tylko bład pomiaru. Można wnioskować, że intencją twórcy było pozbycie się histerezy przełączania elementu. Co w pewnych zastosowaniach jest cenione, przykładem może być choćby pomiar pola magnetycznego.

  1. Charakterysrtyka I(U) dla stanu niskiej rezystancji oraz wysokiej rezystancji -

dla H = -180 Oe oraz H= 180 Oe:

Charakterystyki mają podobny przebieg jest to zwiazane z faktem, że charakterystyki R(U) w przypadku 0x08 graphic
nieskiej i wysokiej rezystancji mają przybliżony kształt. Oczywiście w przypadku

niskiej rezystancji całość jest przesunięta w kierunku niższych wartości, co widać jako różnice wartościach prądów na przebiagach I(U)

Wykres rezystancji w funkcji napięcia dla stanu wysokiej rezystancji przy H = 180 Oe :

0x08 graphic

Wykres rezystancji w funkcji napięcia dla stanu niskiej rezystancji przy H = -180 Oe :

0x08 graphic

Najlepsze właściwości otrzymujemy dla niskich wartości napięcia. Dla wartości napięcia bliskich zero widać wyraźne zaburzenia spowodowane błędem metody pomiarowej.

Wykres różnicy rezystancji w funkcji napięcia:

0x08 graphic

Wykres TMR w funkcji napięcia:

0x08 graphic

Przyjęto, że maksymalna wartość TMR wynosi 20%. Wtedy napięcie V1/2 wynosi około -0.63 V oraz 0.6 V.

Zależność G(V) dla stanu niskiego i wysokiego rezystancji

0x08 graphic

... oraz różnicy konduktancji w funkcji napięcia:

0x08 graphic

Dla znacznego zakresu napięcia wartość różnicy konduktancji utrzymuje się na podobnym poziomie nieznacznie różnym dla dodatnich i ujemnych wartości napięcia.

Zależność dI/dU dla stanu wysokiej i niskiej impedancji:

0x08 graphic

Extra wnioski, do wglądu tylko dla twórców:

"Badany material jest tak wyrąbisty, że napewno nie powstał na naszej planecie, prawdopodobnie zostal zesłany przez Bogów na ziemie wiele stuleci temu, by ułatwić ludzkości robienie zajefajnych czujników pola"



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
imiku sprawko zad5, Notatki, Elektronika AGH III rok, [STUDIA] rok 3, imiku, 6 pierwsze u tego czw
sieci komputerowe1 - pytania, Notatki, Elektronika AGH III rok, [STUDIA] rok 3, Sieci, Egzamin - s
egzamin 2002-2003, Notatki, Elektronika AGH III rok, [STUDIA] rok 3, Sieci, Egzamin - sieci, Egzam
Sieci - EGZAMIN I termin, Notatki, Elektronika AGH III rok, [STUDIA] rok 3, Sieci, Egzamin - sieci
siecikomp z odp, Notatki, Elektronika AGH III rok, [STUDIA] rok 3, Sieci, Egzamin - sieci
sieci komputerowe - pytania, Notatki, Elektronika AGH III rok, [STUDIA] rok 3, Sieci, Egzamin - si
termin II 2005 2, Notatki, Elektronika AGH III rok, [STUDIA] rok 3, Sieci, Egzamin - sieci
termin II 2005, Notatki, Elektronika AGH III rok, [STUDIA] rok 3, Sieci, Egzamin - sieci
SIECI O TOPOLOGII SZYNY - OGÓLNA CH-KA, Notatki, Elektronika AGH III rok, Pendrive, dodatkowe, moje
ŁĄCZENIE SIECI JEDNOSTKOWYCH - URZĄDZENIA AKTYWNE, Notatki, Elektronika AGH III rok, Pendrive, dodat
PORÓWNANIE WŁASNOŚCI SIECI - PIERŚCIENIA I SZYNY, Notatki, Elektronika AGH III rok, Pendrive, dodatk
SIECI PIERŚCIENIOWE, Notatki, Elektronika AGH III rok, Pendrive, dodatkowe, moje opracowania z sieci
sieci teoria, Notatki, Elektronika AGH III rok, Pendrive, dodatkowe, egzamin teoria
ADRESOWANIE WEWNĄTRZ SIECI LOKALNEJ, Notatki, Elektronika AGH III rok, Pendrive, dodatkowe, moje opr
M5 Charakterystyki podstawowych elementów elektronicznych, AGH, MiBM - I rok, Elektrotechnika, Spraw
Test rodzinne spadkowe, Studia Prawnicze- notatki,wykłady,skrypty, III rok prawa

więcej podobnych podstron