DIELEKTRYKI

1. Dielektryki posiadają rezystywność skrośną:

1. ρ > 10⁸ m,

2. ρ < 10⁸ m,

3. ρ < 10^-8 m,

2. Ładunek związany

1. - nie może przemieszczać się w ogóle w ciele stałym

2. - może się przemieszczać na odległości małe w porównaniu z odległościami międzyatomowymi,

3. - może przemieszczać się na odległości większe od odległości międzyatomowych.

3. Polaryzacja elektronowa

1. występuje we wszystkich dielektrykach,

2. występuje tylko w materiałach o wiązaniach atomowych,

3. występuje tylko w dielektrykach gazowych.

4. Względna przenikalność elektryczna dielektryków z polaryzacja jonową jest:

1. - wyższa,

2. - niższa,

3. - znacznie niższa

w stosunku do przenikalności dielektryków z polaryzacją elektronową.

5. Polaryzacja dipolowa polega na:

1. - przesunięciu chmury elektronów w stosunku do położenia jądra atomu,

2. - przesunięcia jonu w stosunku do położenia równowagi,

3. - porządkowaniu dipoli trwałych przez pole elektryczne.

6. Przenikalność elektryczna dielektryków stałych jest funkcją częstotliwości:

1. - rosnącą

2. - nierosnącą,

3. - niemalejącą,

4. - malejącą.

7. Przenikalność elektryczna dielektryków z polaryzacją czysto elektronową:

1. maleje,

2. rośnie,

3. pozostaje bez zmian

4. wykazuje ekstrema

wraz ze wzrostem temperatury dielektryka.

8. Przenikalność elektryczna dielektryków z polaryzacją jonową

1. maleje,

2. rośnie,

3. pozostaje bez zmian

4. wykazuje ekstrema

przy wzroście temperatury dielektryka.

9. Przenikalność elektryczna dielektryków z polaryzacją dipolową

1. maleje,

2. rośnie,

3. pozostaje bez zmian

4. wykazuje ekstrema

przy wzroście temperatury dielektryka.

10. Względna przenikalność elektryczna dielektryków stałych  spełnia zależność:

A) <1

B) ≤1

C) ≥1

D) >1

11. Aby na zewnątrz dielektryka nie było pola wystarczy aby:

1. ładunek całkowity bryły był równy zeru,

2. wypadkowy moment elektryczny był równy zeru,

3. i ładunek i moment wypadkowy były równe zeru

12. Jeżeli na okładkach kondensatorów C1 i C2, gdzie C1 = 10 C2, występuje to samo napięcie U to zgromadzone na nich ładunki Q1 i Q2 są:

1. Q1=10 Q2

2. Q1=0.1Q2

3. Q1=Q2

13. Zmniejszenie odległości pomiędzy elektrodami kondensatora płaskiego prowadzi do:

1. wzrostu jego pojemności

2. zmniejszenia jego pojemności,

3. nie wpływa na pojemność.

14. Zwiększenie przenikalności elektrycznej dielektryka wypełniającego kondensator:

1. prowadzi do zmniejszenia jego pojemności,

2. prowadzi do zwiększenia jego pojemności,

3. pozostaje bez wpływu.

15. Jednostką pojemności jest

1. [F]

2. [F/m]

3. [C/m]

4. [F/m²]

16. 1 pF oznacza pojemność równą

1. 10^-6 F

2. 10^-9 F

3. 10⁶ F

4. 10^-12 F

17. W dielektrykach liniowych

1. P=a₀ +a₁E

2. P=a₀

3. P=a₁E

18. Zależność D= ₀E jest słuszna dla dielektryków:

1. - liniowych

2. - izotropowych,

3. - wszystkich,

4. - liniowych i izotropowych

19. Zjawisko polaryzacji elektronowej nie występuje przy pobudzaniu dielektryka polem elektrycznym o częstotliwościach f:

1. f> 10¹⁴ Hz,

2. f<10¹⁴ Hz

3. f< 10¹² Hz,

4. f> 10⁵ Hz

20. Zjawisko polaryzacji jonowej nie występuje przy pobudzaniu dielektryka polem elektrycznym o częstotliwościach f:

1. f< 10¹² Hz,

2. f>10¹² Hz

3. f< 10⁸ Hz,

4. f> 10⁵ Hz

21. Miano przenikalności elektrycznej próżni to:

1. [F]

2. [F m]

3. [F/m]

4. [F/m²]

PÓŁPRZEWODNIKI

22. Konduktywność półprzewodników σ jest:

A) σ ≥ 10⁶ [m]

B) σ ≥ 10^-6 [m]

C) σ ≥ 10⁶ [m]^-1

D) σ ≥ 10^-6 [m]^-1

23. W modelu pasmowym dla przyjmuje się, że dla dielektryków szerokość przerwy zabronionej W_g jest:

A) W_g ≥ 2 eV

B) W_g 2 eV

C) W_g 2 meV

D) W_g 2 MeV

24. W półprzewodniku samoistnym dla T>0K koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa n oraz koncentracja dziur p zachowują relację:

1. n=p

1. n<p

2. n>p

25. W półprzewodniku samoistnym koncentracja nośników ładunku zależy od temperatury w sposób:

1. hiperboliczny,

2. wykładniczy;

3. nie zależy od temperatury

26. Konduktywność półprzewodnika samoistnego:

1. rośnie z temperaturą;

2. maleje z temperaturą

3. Pozostaje bez zmian

27. W półprzewodniku typu „n” w temperaturze pokojowej koncentracja elektronów „n” oraz dziur „p” spełniają zależność:

1. n=p

2. n<p

3. n>p

28. W półprzewodniku typu „p”, w temperaturze pokojowej koncentracje elektronów „n” oraz dziur „p” spełniają zależność:

1. n=p

2. n<p

3. n>p

29. W półprzewodniku domieszkowanym (krzem) typu „n”, w wysokiej temperaturze - 400°C - koncentracje elektronów „n” oraz dziur „p” spełniają zależność:

1. n=p

2. n<p

3. n>p

30. W półprzewodniku domieszkowanym (krzem) typu „p”, w wysokiej temperaturze - 400°C - koncentracje elektronów „n” oraz dziur „p” spełniają zależność:

1. n=p

2. n<p

3. n>p

31. Konduktywność półprzewodnika (krzem) domieszkowanego σ_n oraz samoistnego σ_i w zakresie temperatur pokojowych spełniają zależność:

1. σ_n=σ_i

2. σ_n<σ_i

3. σ_n>σ_i

32. Względne zmiany konduktywności samoistnego Si (W_g= 1.1 eV) w porównaniu do zmian dla samoistnego Ge (W_g= 0.67 eV) przy takich samych zmianach temperatury są:

1. takie same jak dla Ge

2. większe niż dla Ge;

3. mniejsze niż dla Ge.

33. Wzrost koncentracji domieszki prowadzi do:

1. wzrostu konduktywności;

2. zmniejszenia konduktywności;

3. nie ma wpływu na konduktywność

półprzewodnika w temperaturze pokojowej.

34. Domieszkowanie krystalicznego Si domieszkami z V grupy układu okresowego prowadzi do wzrostu koncentracji:

1. elektronów w paśmie przewodnictwa;

2. elektronów w paśmie walencyjnym;

3. dziur w paśmie walencyjnym.

35. Napięcie Halla obserwowane dla hallotronów o tych samych wymiarach, wykonanych z metalu (Um) i półprzewodnika (Up), w warunkach takiego samego wymuszenia prądowego (Ix) i polowego (Bz) jest:

1. Um>Up

2. Um=Up

3. Um<Up

36. Wykonano z tego samego materiału hallotrony H1 o grubości d1 oraz H2 o grubości d2. Pozostałe wymiary są takie same. Napięcie Halla U1 (dla hallotronu H1) oraz U2 (dla H2) będą dla d1=2d2 i tych samych wymuszeń będą:

1. U1=2U2

2. U1=(1/2)U2

3. U1=U2

37. Napięcie Halla dla hallotronu wykonanego z samoistnego Si - Us, w stosunku do takiego samego, wykonanego z domieszkowanego Si - Ud, będzie

1. Us>Ud

2. Us=Ud;

3. Us<Ud

38. Wzrost indukcji w hallotronie prowadzi teoretycznie do:

1. liniowego wzrostu napięcia Halla;

2. liniowego zmniejszania się napięcia Halla;

3. hiperbolicznego wzrostu napięcia Halla;

39. Z krzemu domieszkowanego domieszką donorową o koncentracjach ND1 i ND2, gdzie ND1>ND2 wykonano hallotrony odpowiednio (1) i (2) o identycznych wymiarach. Posiadają one czułości polowe odpowiednio γ1 i γ2 przy czym:

1. γ1 = γ2

2. γ1 > γ2

3. γ1 < γ2

40. Z krzemu domieszkowanego domieszką donorową o koncentracjach ND1 i ND2, gdzie ND1>ND2 wykonano hallotrony odpowiednio (1) i (2) o identycznych wymiarach. Posiadają one przyrostowe czułości prądowe odpowiednio γ1 i γ2 przy czym:

 γ1 = γ2

 γ1 > γ2

C γ1 < γ2

41. Wzrost prądu Ix hallotronu prowadzi do:

1. zwiększenia jego czułości polowej;

2. zmniejszenia czułości polowej,

3. nie ma wpływu na czułość polową.

42. Ilość ciepła wydzielana na styku w wyniku efektu Peltiera:

1. rośnie proporcjonalnie do wartości prądu płynącego przez styk;

2. nie zależy od prądu płynącego przez styk;

3. rośnie z kwadratem wartości prądu płynącego przez styk;

43. Materiał wykazujący wysoką wartość współczynnika Seebecka () będzie posiadał:

1. silny efekt Peltiera;

2. słaby efekt Peltiera;

3. wartość () nie ma wpływu na efekt Peltiera.

44. Końce (1) i (2) podłużnej płytki półprzewodnika typu „n” mają temperatury T1 i T2, gdzie T1>T2. Znak ładunku gromadzącego się przy styku (1) znajdującym się w temperaturze T1 będzie:

1. - ujemny;

2. - dodatni.

45. Współczynnik Peltiera dla materiałów półprzewodnikowych ma wartości:

1. - wyższe;

2. - niższe

3. - podobne

niż/jak dla metali.

46. Wytrzymałość elektryczna dielektryka mierzona jest:

A) [V]

B) [V/m]

C) [V/m²]

D) [Vm]

47. Dwukrotny wzrost wytrzymałości elektrycznej dielektryka prowadzi do:

A) dwukrotnego

B) czterokrotnego

wzrostu maksymalnej gęstości energii możliwej do zgromadzenia w nim w polu elektrycznym.

48. tgδ kondensatora to stosunek prądów:

A) skł. rzeczywistej do całkowitego;

B) skł. pojemnościowej do całkowitego;

C) skł. rzeczywistej do pojemnościowej;

49. tgδ dla równoległego układu RC jest równy 0.1 dla częstotliwości f=100 Hz. Przy częstotliwości 1 kHz tgδ dla tego układu będzie:

1. 1.0

2. 0.1

3. 0.01

4. 0.01

50. tgδ dla dielektryków nisko-stratnych jest:

1. >0.1

2. >1

3. >0.01

4. <0.01

---